CTIMES - 3d Nand

科林研發推出Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術加速3D NAND在AI時代的微縮 (2024.08.06)
Lam Research 科林研發推出 Lam Cryo 3.0，這是該公司經過生產驗證的第三代低溫介電層蝕刻技術，擴大了在 3D NAND 快閃記憶體蝕刻領域的領先地位。隨著生成式人工智慧（AI）的普及不斷推動更大容量和更高效能記憶體的需求，Lam Cryo 3.0 為未來先進 3D NAND 的製造提供了至關重要的蝕刻能力

首度支援SD8.0規格慧榮推出SD Express控制晶片解決方案 (2021.03.31)
NAND快閃記憶體控制晶片品牌今日宣布推出旗艦產品SM2708 SD Express控制晶片解決方案，支援最新SD 8.0規格，並向下相容SD 7.1規格。藉由PCIe Gen 3x2介面和NVMe 1.3，SM2708為SD Express卡提供超高效能的解決方案，滿足各產業高效能應用需求

世邁推出高容量NVDIMM 支援DDR4高匯流排頻率 (2020.11.26)
專業記憶體與儲存解決方案品牌世邁科技（SMART Modular）宣佈推出高容量16GB與32GB非揮發性雙列直插式記憶體模組（NVDIMMs），可支援DDR4-3200高匯流排頻率。此新品結合美光科技（Micron）先進的DDR4記憶體技術與世邁科技的高速PCB設計，可大幅增進訊號傳輸的完整性，在支援DDR4的最高速率下也能有效節省設計成本

美光176層3D NAND正式出貨瞄準5G手機及智慧邊緣運算商機 (2020.11.10)
美光科技今日宣布首款176層3D NAND快閃記憶體已正式出貨，實現前所未有的儲存容量和效能。美光最新的176層技術及先進架構為一重大突破，可大幅提高資料中心、智慧邊緣運算以及手機裝置等儲存使用案例的應用效能

KLA全新電子束缺陷檢測系統以深度學習提供先進IC缺陷檢測 (2020.07.21)
KLA公司今天宣布推出eSL10電子束圖案化晶圓缺陷檢測系統。該系統旨在通過檢測來發現光學或其他電子束缺陷檢測系統無法穩定偵測的缺陷，加快高性能邏輯和記憶體晶片，其中包括那些依賴於極紫外線（EUV）光刻技術的晶片的上市時間

Western Digital推出BiCS5 3D NAND技術滿足龐大且快速增長的資料儲存需求 (2020.02.24)
Western Digital今（24）日宣布成功開發出第五代3D NAND技術BiCS5，提供最先進的快閃記憶體技術。BiCS5採用三層單元（TLC）與四層單元（QLC）兩種架構，能以極具吸引力的成本提供卓越的容量、效能與穩定性，滿足因連網汽車、行動裝置與人工智慧而急速增長的資料量需求

3D FeFET角逐記憶體市場 (2019.11.25)
愛美科技術總監Jan Van Houdt解釋FeFET運作機制，以及預測這項令人振奮的「新選手」會怎樣融入下一代記憶體的發展藍圖。

Western Digital 1.33Tb – 4-bits-per-cell 96層架構3D NAND開始送樣 (2018.08.07)
Western Digital公司宣佈已成功開發出第二代4-bits-per-cell 3D NAND架構。透過專為Western Digital 96層BiCS4產品導入的QLC技術，已成功開發出儲存容量最高的單顆粒3D NAND，其單一儲存容量可提升至1.33 Tb(Terabits)

[COMPUTEX] 宜鼎發表iCAP雲端儲存平台整合現場硬體資訊 (2018.06.08)
宜鼎國際（Innodisk）於今年Computex推出最新工業級3D NAND快閃記憶體儲存裝置，以及高容量應用的SATA 3TG-6系列、3D NAND SSD以及高效能的PCI-E等，滿足客戶多元應用需求。另外在現場也展出iCAP雲端儲存管理平台，以軟、硬、韌體跨界整合的優勢，目前在工控領域以及智慧路燈上已準備啟用

TrendForce：東芝出售予美日聯盟，提升3D NAND產能力拼三星 (2017.09.25)
TrendForce記憶體儲存研究（DRAMeXchange）指出，東芝公司已正式在9月20日分拆記憶體業務，決定將旗下半導體事業以2兆日圓出售給由美國私募股權業者貝恩資本（Bain Capital）代表的美日聯盟

Western Digital發表可應用於3D NAND的X4技術 (2017.07.31)
全球儲存技術和解決方案供應商Western Digital公司發表開發出適用於64層3D NAND (BiCS3) 的X4 (每單元4位元) 快閃記憶體架構技術。憑藉之前開拓創新的X4 2D NAND 技術、成功商品化的經驗及深厚扎實的垂直整合能力，Western Digital再次成功研發推進適用於3D NAND的X4架構技術

SEMI:2017及2018年全球晶圓廠設備支出將續創新高 (2017.03.08)
SEMI（國際半導體產業協會）發佈最新「全球晶圓廠預測報告」(World Fab Forecast)，指出2017年晶圓廠設備支出將超過460億美元，創下歷年新高，並預計2018年支出金額將達500億美元，突破2017年新高點

先進節點化學機械研磨液優化 (2017.01.12)
在先進的前段製程中將有不同材料層的組合（如氧化物、氮化物和多晶矽），各材料都需要研磨，各層分別要求不同的研磨率、選擇比和嚴格的製程控制。多樣化需求需要新的研磨液配方

Western Digital於2016年度投資者大會公布最新策略發展 (2016.12.15)
全球儲存技術解決方案廠商Western Digital公司近日舉辦2016年度投資者大會，分享Western Digital轉型進程、策略與商業模式，以及如何以獨特且兼具差異化特質的平台協助企業因應不斷成長的資料量

Toshiba/WD攜手共拓3D NAND新時代 (2016.07.15)
日本半導體製造商Toshiba（東芝）與電腦硬碟大廠Western Digital（威騰電子）共同慶祝日本三重縣四日市新設半導體二廠的開幕儀式。由於Flash Memory（快閃記憶體）在智慧型手機、SSD（固態硬碟）

SEMI：3D NAND、10奈米製程與DRAM將成晶圓廠設備支出動能 (2016.03.14)
SEMI（國際半導體產業協會）公布最新「SEMI全球晶圓廠預測」（SEMI World Fab Forecast）報告，2016年包括新設備、二手或專屬（in-house）設備在內的前段晶圓廠設備支出預期將增加3.7%，達372億美元，而2017年則將再成長13%，達421億美元

慧榮推出搭載韌體支援3D NAND SATA 6Gb/s SSD控制晶片解決方案 (2016.01.08)
全球快閃記憶體控制晶片設計及固態硬碟控制晶片廠商慧榮科技（Silicon Motion）推出首款支援多家巿場主流供應商所生產的3D NAND產品完整解決方案的SATA SSD控制晶片（Turnkey Merchant SATA SSD Controller Solution）

SEMI:2015年七月北美半導體設備B/B值為1.02 (2015.08.24)
根據SEMI（國際半導體產業協會）最新Book-to-Bill訂單出貨報告，2015年七月北美半導體設備製造商平均訂單金額為15.9億美元，B/B值（Book-to-Bill Ratio，訂單出貨比）為1.02，代表半導體設備業者當月份每出貨100美元的產品，就能接獲價值102美元之訂單