二氧化鉿（HfO2）具鐵電相（ferroelectric phase）的這項新發現，已再次引起半導體界對鐵電材料記憶體的興趣。具非揮發性且以二氧化鉿為基礎的鐵電場效電晶體（ferroelectric field-effect transistor，FeFET）便是個例子，它展現了3D NAND記憶體類型儲存應用和記憶體內運算（in-memory computing）的特性。愛美科技術總監Jan Van Houdt將解釋FeFET運作機制，以及預測這項令人振奮的「新選手」會怎樣融入下一代記憶體的發展藍圖。

鐵電場效電晶體：具備記憶的電晶體
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