Lam Research 科林研發推出 Lam Cryo 3.0，這是該公司經過生產驗證的第三代低溫介電層蝕刻技術，擴大了在 3D NAND 快閃記憶體蝕刻領域的領先地位。隨著生成式人工智慧（AI）的普及不斷推動更大容量和更高效能記憶體的需求，Lam Cryo 3.0 為未來先進 3D NAND 的製造提供了至關重要的蝕刻能力。Lam Cryo 3.0 利用超低溫、高功率侷限電漿反應器技術和創新的表面化學製程，以精度和輪廓控制進行蝕刻。

Lam Cryo 3.0 利用超低溫、高功率侷限電漿反應器技術和創新的表面化學製程進行蝕刻。

迄今為止，3D NAND 主要透過儲存單元的垂直層堆疊取得進展，這是透過蝕刻深而窄的 HAR 儲存通道實現的。蝕刻輪廓的極小原子級誤差可能會對晶片的電效能產生負面影響，並可能影響良率。經過最佳化的 Lam Cryo 3.0，可解決上述提及和其他微縮方面的蝕刻挑戰。