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英飛凌推出新一代氮化鎵功率分立元件 (2024.11.26)
最新一代CoolGaN電晶體實現了現有平台的快速重新設計。新元件改進了性能指標，確保為重點應用帶來具有競爭力的切換性能。與主要同類產品和英飛凌之前的產品系列相比，CoolGaN 650 V G5電晶體輸出電容中儲存的能量（Eoss）降低了多達50%，漏源電荷（Qoss）和閘極電荷（Qg）均減少了多達 60% |
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緯湃採用英飛凌CoolGaN電晶體打造高功率密度DC-DC轉換器 (2024.09.03)
在電動汽車和混合動力汽車中，少不了用於連接高電壓電池和低電壓輔助電路的DC-DC轉換器，而它對於開發更多具有低壓功能的經濟節能車型也很重要。由TechInsights的資料顯示，2023年全球汽車DC-DC轉換器的市場規模為40億美元，預計到2030年將增長至110億美元，預測期內的複合年增長率為15% |
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英飛凌新一代CoolGaN電晶體系列採用8 吋晶圓製程 (2024.07.11)
根據Yole Group預測，氮化鎵（GaN）市場在未來五年內的年複合成長率將以46%成長。英飛凌科技推出兩款新一代高電壓（HV）與中電壓（MV）CoolGaN產品，讓客戶可以在更廣泛的應用領域中，採用 40 V 至 700 V 電壓等級的GaN裝置，推動數位化與低碳化進程 |
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意法半導體1350V新系列IGBT電晶體符合高功率應用 (2023.11.21)
為了在所有運作條件下確保電晶體產生更大的設計餘量、耐受性能和高可靠性，意法半導體（STMicroelectronics）推出新系列IGBT電晶體將擊穿電壓提升至1350V，最高作業溫度高達175°C，具有更高的額定值 |
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評比奈米片、叉型片與CFET架構 (2022.04.21)
imec將於本文回顧奈米片電晶體的早期發展歷程，並展望其新世代架構，包含叉型片（forksheet）與互補式場效電晶體（CFET）。 |
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EPC新推80 V和200 V eGaN FET (2021.06.17)
宜普電源轉換公司（EPC）推出新一代氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)產品--EPC2065 和 EPC2054。EPC2065是一款 80 V、3.6微歐姆的氮化鎵場效應電晶體，可提供221 A?衝電流，其晶片級封裝的尺寸?7.1 mm2，讓整體電源系統的尺寸更小和更輕，並且成?電動出行、電動自行車和踏板車，服務、交付、物流機器人和無人機的32V/48V BLDC電機驅動應用的適用元件 |
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加速導入二維材料 突圍先進邏輯元件的開發瓶頸 (2021.05.10)
二維材料是備受全球矚目的新興開發選擇，各界尤其看好這類材料在延續邏輯元件微縮進展方面的潛力。 |
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片上變壓器隔離門極驅動器的優勢 (2020.12.04)
儘管隔離技術已經存在多年了，但已演變以滿足新應用的需求，如可再生能源的逆變器、工業自動化、儲能以及電動和混合動力汽車的逆變器和正溫係數(PTC)加熱器。 |
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打造更美好的人工智慧晶片 (2020.11.13)
由於7奈米及更先進製程愈趨複雜昂貴，正採用不同方法來提高效能，亦即降低工作電壓並使用新IP區塊來強化12奈米節點，而這些改變對於AI加速器特別有效。 |
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邏輯元件製程技術藍圖概覽（上） (2020.11.10)
愛美科CMOS元件技術研究計畫主持人Naoto Horguchi、奈米導線研究計畫主持人Zsolt Tokei彙整各自的領域專長，將於本文一同呈現先進製程技術的發展藍圖。 |
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為什麼選擇GaN電晶體？MasterGaN1告訴你答案 (2020.10.27)
MasterGaN1用於新拓撲。在設計AC-DC轉換系統時，工程師可以將其用於LLC諧振變換器。 |
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零交叉偵測 IC可大幅降低生活家電待機功耗 (2020.09.16)
ROHM針對空調、洗衣機和吸塵器等生活家電，研發出零交叉偵測 IC－BM1ZxxxFJ系列產品，大幅降低待機功耗。 |
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遵循DO-254標準與流程 及重大/輕微變更的分類概述 (2020.08.12)
半導體特殊應用積體電路(ASIC)及標準產品都面臨生產停產問題，正因如此，需要製造出外形、尺寸與功能都等效的器件。 |
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選定萬用表的簡單指南 (2020.07.07)
萬用表是所有電子工程師操作台的必備重要物品，此類儀器可用於量測電壓、電流、電阻等一系列關鍵電氣參數，而且事實證明，在故障排除時亦非常有用。 |
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微縮實力驚人 台積3奈米續沿用FinFET電晶體製程 (2020.06.04)
台積電終於在今年第一季的法人說明會裡，透露了其3奈米將採取的技術架構，而出乎大家意料的，他們將繼續採取目前的「FinFET」電晶體技術。 |
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3D FeFET角逐記憶體市場 (2019.11.25)
愛美科技術總監Jan Van Houdt解釋FeFET運作機制，以及預測這項令人振奮的「新選手」會怎樣融入下一代記憶體的發展藍圖。 |
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再見摩爾定律？ (2019.10.07)
許多半導體大廠正積極研發新架構，都是為了找出一個全新的產業方向。龍頭大廠開始重視晶片的創新，並持續以全新架構來取代舊有的晶片。 |
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EDA跨入雲端環境新時代 (2019.09.11)
全球主要EDA供應業者，已經開始將一部分的IC設計工具，透過提供雲端設計或驗證的功能。並且未來可能針對各種不同領域或產業、製品技術等，都能夠透過雲端來完成所需要的 |
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解決7奈米以上CMOS的接觸電阻挑戰 (2019.06.11)
隨著新型鈦矽化技術的發展，來自愛美科（imec）的博士生Hao Yu，介紹了改進源/汲極接觸方案，這將能解決先進CMOS技術接觸電阻帶來的挑戰。 |
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貿澤供應Qorvo QPD1025L碳化矽基氮化鎵電晶體 適合航空電子應用 (2018.05.31)
貿澤電子即日起開始供應Qorvo的QPD1025L碳化矽基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 電晶體。
QPD1025在65V的運作功率達1.8 kW，為業界功率最高的碳化矽基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 射頻電晶體，擁有高訊號完整度和延伸的涵蓋範圍，適合L波段航空電子和敵我識別 (IFF) 應用 |
