面對開發先進元件時越發嚴峻的微縮瓶頸，半導體開發人員持續積極尋找創新的材料、元件結構與製程來突破物理限制。二維材料是備受全球矚目的新興開發選擇，各界尤其看好這類材料在延續邏輯元件微縮進展方面的潛力。

圖一 : 半導體開發人員持續積極尋找創新的材料、元件結構與製程來突破物理限制。

二維材料，例如二硫化鎢（WS2），在未來邏輯晶片的製造上扮演了關鍵要角。它們具備傑出的材料特性，因此可望實現閘極長度的終極微縮，進而延續邏輯電晶體微縮的發展藍圖。二維材料還可能改變晶片架構的設計思維，帶來革命性的巨變，甚至能讓緊湊型電晶體相容於後段製程，模糊了前段與後段製程之間的分界。

近年來，實驗性二維電晶體的技術成熟度已經大幅提升，而且要將這項技術引進業界的開發途徑也在持續拓展。同時，為了提升元件性能，現有的相關技術挑戰也在著手解決。
...
...