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解決7奈米以上CMOS的接觸電阻挑戰
 

【作者: 愛美科】   2019年06月11日 星期二

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文/愛美科;編譯/丘燕

源/汲極接觸電阻:先進矽CMOS的技術瓶頸

源極/汲極是電晶體的接觸電極,用來引入與移除載子(carriers)於電晶體的傳導通道。傳統的CMOS技術,利用金屬導體(MS)接觸特性,在金屬側具有過渡金屬矽化物(例如鎳矽化物),得以形成源極/汲極的接觸電子。另一種普遍方式,是利用自對準矽化物製程,稱為SALICIDE,讓矽化物覆蓋在整個源/汲極表面。
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