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48 V低速電動車參考設計 微型交通技術加速發展 (2024.03.22)
許多國家致力於實現氣候目標，促使城市交通實現零排放。除了乘用汽車的電氣化之外，低速電動車也能做出重要貢獻。 |
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儒卓力供貨高功率密度的威世N-Channel MOSFET (2020.02.19)
SiSS12DN MOSFET在10V下的1.98mΩ低導通電阻(RDS(ON))可以最大限度地降低傳導損耗。此外，該器件的680pF低輸出電容(Coss)和28.7nC的最佳化閘極電荷(Qg)則可減少與開關相關的功率損耗 |
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威世科技推出新款8 mm x 8 mm x 1.8 mm PowerPAK 8x8L封裝 (2015.08.04)
威世科技（VISHAY）推出新款 8 mm x 8 mm x 1.8 mm PowerPAK 8x8L 封裝，旨在針對汽車應用常用的 D2PAK 及 DPAK 器件提供節省空間又節能的高電流替代方案。威世 Siliconix SQJQ402E 40 V TrenchFET功率 MOSFET 是業界首款通過 AEC-Q101 認證且尺寸為 8 mm x 8 mm 的 MOSFET，也是首款採用海鷗腳引線，來消除機械應力的 8 mm x 8 mm 封裝 |
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Mouser 供應 Vishay Siliconix TrenchFET 功率 MOSFET (2012.11.23)
Mouser 日前開始供應 Vishay Siliconix的晶片級封裝，並將導通電阻降至 1.2V 的 MOSFET。 Vishay Siliconix 的 Si8802 TrenchFet 功率 MOSFET 是採用最小的 0.8mm x 0.8mm 晶片級封裝，亦即 Vishay 的 MICRO FOOT，將導通電阻降至 1.2V 的 N 通道元件 |
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Vishay發表新型20V P通道第三代MOSFET (2009.03.10)
Vishay發表採用其新型p通道TrenchFET第三代技術的首款元件，該20V p通道MOSFET採用SO-8封裝，具最低的導通電阻。
新型Si7137DP具有1.9mΩ（在10V時）、2.5mΩ（在4.5V時）和3.9mΩ（在 2.5V時）的超低導通電阻 |
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Vishay推出採用MICRO FOOT晶片級封裝MOSFET (2009.02.02)
Vishay宣佈推出首款採用MICRO FOOT晶片級封裝的TrenchFET功率MOSFET，該器件具有背面絕緣的特點。
Si8422DB針對手機、PDA、數碼相機、MP3 播放器及智慧型電話等便攜設備中的功率放大器、電池和負載切換進行了優化 |
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Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET (2008.12.24)
Vishay宣佈推出新型20-V和30-V p-通道TrenchFET功率MOSFET。該器件採用SO-8封裝，具有±20-V柵源極電壓以及業內最低的導通電阻。
現有的同類SO-8封裝器件額定電壓下導通電阻僅低至24 mΩ，而Si7633DP具有3.3 mΩ（在10 V時）及 5.5 mΩ（在4.5 V時）的超低導通電阻 |
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Vishay新增兩款第三代功率MOSFET產品 (2008.12.04)
Vishay推出兩款20V和30V n通道元件，擴展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。這些元件採用TurboFET技術，利用新電荷平衡漏結構將柵極電荷降低多達45%，大幅降低切換損耗及提高切換速度 |
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Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET系列 (2008.11.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型20V n通道器件，擴展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。該器件採用PowerPAK SO-8封裝，在20V額定電壓時具有業界最低導通電阻及導通電阻與閘極極電荷乘積 |
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Vishay擴展Gen III TrenchFET功率MOSFET系列 (2008.10.23)
Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型25V n通道器件，從而擴展了其Gen III TrenchFET功率MOSFET系列，對於採用PowerPAK SO-8封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業界最低的導通電阻以及導通電阻與閘極極電荷之乘積 |
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Vishay推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOSFET (2008.06.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOSFET，該器件採用MICRO FOOT晶片級封裝，具有業界最小占位面積以及1.2 V時業界最低的導通電阻。
憑借1.2mm×1.0mm的超小占位面積，Si8445DB比業界大小僅次於它的器件小20%，同時具有0.59mm的相同超薄濃度 |
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Vishay推出20V p通道TrenchFET功率MOSFET (2008.04.10)
日前，為滿足對可攜式設備中更小元件的需求，Vishay推出20V p通道TrenchFET功率MOSFET，該元件採用MICRO FOOT晶片級封裝，具有此類元件中最薄厚度及最低導通電阻。
Vishay Siliconix Si8441DB具有0.59mm的超薄厚度，以及1.5mm×1mm的占位面積 |
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Vishay推出新系列汽車用TrenchFET功率MOSFET (2007.11.15)
Vishay推出已通過AEC-Q101認證的新系列汽車用TrenchFET功率MOSFET，該系列包含兩款採用PowerPAK 1212-8封裝且額定結溫為175°C的60V元件。日前推出的元件為在10V柵極驅動時導通電阻為25毫歐的Vishay Siliconix n通道SQ7414EN以及額定導通電阻為65毫歐的p通道SQ7415EN |
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VSH推出三款面向OR-ing應用的功率MOSFET (2007.11.08)
Vishay Intertechnology, Inc.(VSH)推出三款面向OR-ing應用的功率MOSFET，這些器件具有三種封裝選擇，可提供最佳的導通電阻性能，憑借這三款器件，公司將有助於提升固定電信網路的效率 |
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Vishay推出新系列P通道MOSFET (2007.10.11)
Vishay推出新系列P通道MOSFET，這些元件建立了每單位面積最低導通電阻的新記錄。基於新一代TrenchFET晶片技術的新型Vishay Siliconix元件採用PowerPAK SC-70封裝（2.05 mm×2.05 mm）時最大導通電阻額定值為29毫歐，採用標準SC-70封裝（2.0 mm ×2.1 mm）時為80毫歐，採用SC-89封裝（1.6 mm×1.6 mm）時為130毫歐 |
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Vishay的MOSFET幫助設計人員簡化電源管理電路 (2007.08.16)
Vishay宣佈推出業界首批在1.2V柵源電壓時具有額定導通電阻值的功率MOSFET，這一進步將幫助設計人員簡化電源管理電路，同時延長可擕式電子系統中的電池運行時間。
額定電壓為1.2V的這些新型Vishay Siliconix TrenchFET器件使MOSFET導通電壓與移動電子設備中使用的數位IC的1.2V～1.3V工作電壓保持一致，從而可實現更安全、更可靠的設計 |
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Vishay推出17款新型功率MOSFET (2005.12.01)
Vishay推出17款新型功率MOSFET，這些器件採用小型PowerPAK 1212-8封裝，並且具有低至3.7mΩ的超低導通電阻值。這些TrenchFET第二代器件實現了巨大的空間節約，它們的尺寸僅為3.3毫米×3.3毫米×1毫米，僅是SO-8封裝的1/3，並且它們還具有不足2°C/W的低熱阻，這一熱阻值比SO-8器件低8倍 |
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Vishay推出功率MOSFET器件－Si4368DY及Si7668DP (2004.05.11)
Vishay Intertechnology控股80.4%的子公司，Siliconix Incorporated宣佈推出首批兩款功率MOSFET 器件。採用了WFET. 技術使産品的Qgd 值極低，而同時採用了TrenchFET.Gen II 技術使産品具有很低的rDS(on)值 |
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SILICONIX推出200V功率MOSFET器件 (2004.04.16)
擁有80.4% 股份的Vishay子公司Siliconix日前宣佈推出採用小型PowerPAK. 1212-8 封裝的業界首款200V功率MOSFET 器件。針對固定電信網路與路由器中主要的電源直流到直流轉換應用，新型N 通道Si7820DN TrenchFET功率MOSFET是電源交換市場中的最小200V 器件 |
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SILICONIX 推出新P通道–40V與–60V TRENCHFET (2004.04.12)
擁有80.4%股份的Vishay子公司Siliconix日前宣佈推出針對創記錄的P 通道MOSFET系列的目標應用：汽車12V板網（boardnet）高端開關與電動機驅動器。這種新型–40V 與–60V 器件是首款採用Vishay 高級P 通道技術構建的具有額定擊穿電壓的器件，該技術將MOSFET 導通電阻降到了低於記錄的水平 |
