Vishay推出新系列P通道MOSFET，這些元件建立了每單位面積最低導通電阻的新記錄。基於新一代TrenchFET晶片技術的新型Vishay Siliconix元件採用PowerPAK SC-70封裝（2.05 mm×2.05 mm）時最大導通電阻額定值為29毫歐，採用標準SC-70封裝（2.0 mm ×2.1 mm）時為80毫歐，採用SC-89封裝（1.6 mm×1.6 mm）時為130毫歐。

與市場上僅次之的MOSFET相比，這些新型Vishay Siliconix元件的規格表現了高達63%的改進。這些新型P通道TrenchFET將用於手機、MP3播放器、PDA及數碼相機等可擕式終端產品中的負載開關、PA開關及電池開關，在這些應用中，它們的低傳導損失將有助於延長電池的運行時間，它們的微型封裝將節省寶貴的板面空間，從而實現更多功能。

在可擕式電子系統中，通過在顯示器或功率放大器等功能不用時關閉它們，或將系統從活動模式切換到睡眠模式，P通道MOSFET執行基本功能，從而節省電池使用時間。執行這些切換任務時，這些新型Vishay Siliconix元件的功耗低於市場上的先前任何P通道功率MOSFET，因為它們超低的導通電阻額定值會直接體現成更低的導電損失。

日前推出的P通道TrenchFET包括具有-12V、-20V及-30V擊穿電壓額定值的單通道元件。這些元件採用6引腳SC-89、標準SC-70及PowerPAK SC-70封裝，所有封裝均無鉛（Pb），符合當今的環保要求。