Vishay Intertechnology, Inc.(VSH)推出三款面向OR-ing應用的功率MOSFET，這些器件具有三種封裝選擇，可提供最佳的導通電阻性能，憑借這三款器件，公司將有助於提升固定電信網路的效率。

VSH推出三款面向OR-ing應用的功率MOSFET（來源：廠商）

在企業伺服器網路中，OR-ing功能可在主電源出現故障時接通冗餘電源，以確保為系統持續供電。由於 MOSFET承載來自正在營運的電源的整個負載，因此降低這些器件的功耗可極大降低能源成本。

日前推出的這三款N通道MOSFET具有20V漏極到源極與閘極極到源極額定值，並且在SO-8占位面積中具有低至1.6毫歐的導通電阻規格。與同類競爭器件相比，這些Vishay Siliconix功率MOSFET的導通電阻性能比市場上具有相同電壓規格及封裝類型的僅次之的器件低36%。

設計人員將根據他們應用的具體電路及熱要求，從日前推出的這三款TrenchFET第二代器件中進行選擇。

與採用SO-8封裝的任何類似功率MOSFET相比，新型Si4398DY的導通電阻低36%，在10V時rDS(on)額定值為2.8毫歐。除OR-ing應用外，Si4398DY還可用于低功耗整流、直流到直流以及負載點功率轉換電路。

對于低壓電源，在採用SO-8封裝的器件中，Si4398DY具有最佳的rDS(on)額定值。當功率增加時，採用熱增強型封裝的功率MOSFET可在相同占位面積中傳導更多電流，從而可減少應用所需的器件數。在需要冗餘電路的交流或直流開關模式電源中，這可實現透過12V的軌電壓拓撲架構增加功率密度。

為在靜止空氣環境中實現最佳散熱效果，Vishay正在推出采用熱增強型PowerPAK SO-8封裝的Si7866ADP。Si7866ADP在10V時最大額定導通電阻值為2.4毫歐，該器件將低傳導損耗與強大可靠的熱性能進行了完美結合。最大結到外殼熱阻為1.5°C/W，而標準SO-8提供的結到腳（junction-to-foot）熱阻為16°C/W。除OR-ing外，其目標應用還包括台式機電腦中的同步降壓轉換器以及低輸出電壓同步整流。

對于使用風冷裝置的實施，先前推出的采用PolarPAK封裝的SiE808DF（有兩個散熱通道，分別位于該器件的頂部與底部）具有比僅次之的采用雙面冷卻的器件低20%的導通電阻。在10V時，其超低的最大 rDS(on)額定值為1.5毫歐。

目前Si4398DY、Si7866ADP及SiE808DF的樣品及量產批量已可提供，大宗訂單的供貨週期為12～14周。