Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型25V n通道器件，從而擴展了其Gen III TrenchFET功率MOSFET系列，對於採用PowerPAK SO-8封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業界最低的導通電阻以及導通電阻與閘極極電荷之乘積。

新型Siliconix 25V TrenchFET Gen III功率MOSFET具有4.5V時最大2.1mΩ及10V時最大1.7mΩ的業界最佳導通電阻，並採用PowerPAK SO-8封裝。

SiR476DP在4.5V閘極極驅動時最大導通電阻為2.1mΩ，在10V閘極極驅動時最大導通電阻為1.7mΩ。導通電阻與閘極極電荷乘積是直流到直流轉換器應用中針對MOSFET的關鍵優值(FOM)，在4.5V時為89.25nC。