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碳化矽市場持續升溫 SiC JFET技術成為關鍵推動力 (2024.12.11)
隨著全球對高效能源與高性能技術需求的增加，碳化矽（SiC）市場正迎來快速增長。碳化矽材料因其優異的熱穩定性、高擊穿電壓與高功率密度性能，成為許多高效能應用的首選，涵蓋電動車、再生能源系統以及資料中心等領域 |
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Qorvo推出750V SiC FET 封裝D2PAK-7L提供更大靈活性 (2022.07.27)
Qorvo今日宣佈推出採用表面貼裝D2PAK-7L封裝的七款750V碳化矽（SiC）FET，借助此封裝選項，Qorvo SiC FET可為車載充電器、軟切換DC/DC轉換器、電池充電（快速DC和工業）以及IT/伺服器電源等快速增長應用量身客制，能夠為在熱增強型封裝中實現更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益高功率應用提供更佳解決方案 |
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UnitedSiC推出最小導通電阻6mΩ SiC FET 耗損僅競品的一半 (2021.09.14)
碳化矽（SiC）功率元件的應用正快速且廣泛的成長中，尤其是電動車相關的市場，而SiC元件的性能優劣也成為供應商的決勝點。而專注於碳化矽元件技術開發的美商UnitedSiC（聯合碳化矽），今日推出了一款業界最佳的750V SiC FET產品，該元件的導通電阻（RDS on）僅有6mΩ，僅有競爭對手SiC MOSFET產品的一半，並提供了5μs額定短路耐受時間 |
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UnitedSiC推出用於低功率AC-DC返馳式轉換器的SiC JFET系列 (2019.03.21)
UnitedSiC推出一系列適用於與具備內建低壓MOSFET的控制器IC共同封裝的SiC JFET晶片，可製造出速度快，基於疊接的20W至100W返馳式產品。這些常導通式SiC JFET的操作電壓範圍為650V至1700V，可幫助實現簡化的啟動方案，具有零待機功耗 |
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UnitedSiC發布全新UF3C FAST碳化矽FET系列產品 (2018.11.06)
碳化矽（SiC）功率半導體製造商UnitedSiC宣布推出採用標準TO-247-3L封裝之UF3C FAST系列650V和120V高性能碳化矽FET。相較現有UJC3系列，FAST系列具有更快的切換速度和更高的效率水準 |
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是德科技推出用於電力電路設計的 功率元件電容分析儀 (2014.08.12)
是德科技（Keysight Technologies Inc.）日前宣佈推出一款能夠在實際操作電壓下自動測試功率元件接面電容的功率元件電容分析儀。
隨著使用碳化矽（SiC）和氮化?（GaN）等新材料製成的功率元件不斷問世，切換式電源供應器現在必須在更高的頻率下運作，因而突顯出準確執行元件電容特性分析的重要性 |
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歐洲高能效功率晶片專案成果斐然 (2013.05.28)
歐洲奈米電子行動顧問委員會（ENIAC）聯盟（JU）日前公佈為期三年的LAST POWER專案開發成果。此專案於2010年4月啟動，目標在於研發高成本效益且高可靠性的功率電子技術，聚集了寬能隙功率半導體元件（Wide Bandgap Power Semiconductor）領域的民營企業、大學和公共研究中心 |
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Infineon推出採直驅技術的 CoolSiC 1200V SiC JFET 系列產品 (2012.05.15)
英飛凌(Infineon) 日前推出最新 CoolSiC 1200V SiC JFET 系列，進一步強化英飛凌在 SiC市場的領先地位。此一革命性的全新產品系列展現英飛凌在 SiC 技術研發領域超過十年的經驗，同時擁有高品質、可大量生產的特點 |
