歐洲奈米電子行動顧問委員會（ENIAC）聯盟（JU）日前公佈為期三年的LAST POWER專案開發成果。此專案於2010年4月啟動，目標在於研發高成本效益且高可靠性的功率電子技術，聚集了寬能隙功率半導體元件（Wide Bandgap Power Semiconductor）領域的民營企業、大學和公共研究中心。其研究主軸包括碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）高能效功率晶片技術，涉及工業、汽車、消費性電子、再生能源轉換系統和電信應用。

碳化矽主要研發成果基於SiCrystal公司展示的離軸2°截止角的150mm直徑的大面積4H-SiC基板。在晶體結構和表面粗糙度方面，材料品質與專案啟動時的標準100mm 4°離軸材料相容。在LPE/ETC，這些基板用於中度摻雜的外延層的外延生長，適用於加工600-1200V JBS（Junction Barrier Schottky）蕭特基二極體和MOSFET，專案為在大面積（150mm）4H -SiC上生長外延開發了一個創新的化學氣相沉積（CVD，Chemical Vapor Deposition）反應堆（reactor）。

外延層品質讓意法半導體能夠在工業生產線上製造JBS蕭特基二極體。第一批晶圓特徵分析顯示，電氣性能與先進的4°離軸材料相當。在這種情況下，關鍵製程是在NOVASiC上實現化學機械拋光（CMP，chemical mechanical polishing） - StepSiC R 填充和平坦化，對於外延層生長前的基板製備和元件活動層表面粗糙度亞奈米控制，該製程是一個關鍵問題。在這個專案內，同一企業還取得了用於加工MOSFET和JFET的外延生長能力。

專案與意法半導體、IMM-CNR公司進行SiO2/SiC介面的合作研發，以改進4H-SiC MOSFET的通道遷移率。

最後，專案與Acreo、FORTH合作開發出了用於高溫4H-SiC JFET和MOSFET的全新技術模組，為可靠封裝解決方案封膠體化合物（molding compound）和無鉛晶片連接材料研究提供CCR支援。

LAST POWER專案還從事在功率電子應用中使用基於GaN元件的研究。特別是意法半導體在150mm 矽基板上生長AlGaN/GaN HEMT外延層結構的開發取得了成功，外延層長至3μm，抗擊穿電壓能力高達200V。 LAST POWER與IMM-CNR、Unipress和意法半導體合作，採用一種無金（Gold-Free）方法開發常關型AlGaN/GaN HEMT元件。

該製程模組與意法半導體生產線要求的晶片製造流程完全相容，目前正整合至HEMT生產線。專案成員在材料生長和裝置技術方面已有相當的合作互動，讓業界向單晶片整合GaN和SiC元件的目標邁出重要一步，這兩項技術在2°離軸4H-SiC基板上均取得成功。

ENIAC聯盟成員包括專案協調人意法半導體（義大利）、LPE/ETC （義大利）、Institute for Microelectronics and Microsystems of the National Research Council –IMM-CNR（義大利）、Foundation for Research & Technology-Hellas – FORTH（希臘） , NOVASiC（法國）、Consorzio Catania Ricerche -CCR（義大利）、Institute of High Pressure Physics – Unipress（波蘭）、 Universita della Calabria（義大利）、SiCrystal（德國）、SEPS Technologies（瑞典）、SenSiC（瑞典）、Acreo （瑞典）、Aristotle University of Thessaloniki - AUTH（希臘）。