隨著全球對高效能源與高性能技術需求的增加，碳化矽（SiC）市場正迎來快速增長。碳化矽材料因其優異的熱穩定性、高擊穿電壓與高功率密度性能，成為許多高效能應用的首選，涵蓋電動車、再生能源系統以及資料中心等領域。特別是在人工智慧（AI）驅動的資料中心與電動汽車快速崛起的推動下，市場對碳化矽技術的需求日益迫切。

在此背景下，碳化矽接面場效電晶體（SiC JFET）技術的發展顯得尤為重要。SiC JFET 是一種基於碳化矽材料的半導體元件，具有超低單位面積導通電阻，能顯著降低能耗並提升系統效率。與其他技術相比，SiC JFET 的導通電阻低近一半，且可兼容傳統矽基電晶體使用的現成驅動器，極大簡化了技術導入和設計過程。這些特性不僅能加速產品開發，更能幫助產業降低整體系統成本，成為高效能電源解決方案的關鍵技術之一。

隨著Al工作負載日趨複雜和耗能，能提供高能效並能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。近日，安森美（onsemi）宣佈以1.15億美元現金收購Qorvo的碳化矽接面場效電晶體（SiC JFET）技術業務及其子公司United Silicon Carbide。此項收購將大幅補強安森美的EliteSiC電源產品組合，滿足AI資料中心電源AC-DC段對高能效與高功率密度的需求，同時加速其在電動汽車斷電開關與固態斷路器（SSCB）等新興市場的部署。

SiC JFET 技術的融入，不僅可強化電源領域的競爭力，更為資料中心運營商和電源設計師帶來更高效、低耗的解決方案，助力產業朝向更高效、更永續的未來邁進。