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Power Integrations推1700V氮化??切换开关IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的单级、独立稳压多路输出离线式电源供应器 IC 的新成员。新装置采用了业界首款透过该公司专有 PowiGaN 技术制造的 1700 V 氮化??切换开关 |
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德州仪器扩大氮化??半导体内部制造作业 将自有产能提升至四倍 (2024.10.25)
德州仪器 （TI） 已开始在日本会津的工厂生产氮化?? （GaN） 功率半导体。随着会津厂进入生产，加上位於德州达拉斯的现有GaN制造作业，TI 现针对GaN功率半导体的自有产能可增加至四倍之多 |
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格棋化合物半导体中坜新厂落成 携手中科院强化高频通讯技术 (2024.10.23)
格棋化合物半导体中坜新厂落成，同时宣布与国家中山科学研究院（中科院）合作，双方将共同强化在高频通讯技术领域的应用。此外，格棋也和日本三菱综合材料商贸株式会社签署合作协议，双方将致力於扩大日本民生用品和车用市场的布局 |
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ASM双腔体碳化矽磊晶平台 满足先进碳化矽功率元件领域需求 (2024.10.07)
ASM 发布了全新PE2O8碳化矽磊晶系统。这款双腔体碳化矽（SiC）磊晶 （Epi）平台旨在满足先进碳化矽功率元件领域的需求，具备低缺陷率、高制程稳定性，成为业界标竿。PE2O8具备更高的产量和较低的拥有成本，促进了碳化矽元件的更广泛应用 |
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ROHM与UAES签署SiC功率元件长期供货协议 (2024.09.05)
半导体制造商ROHM与中国车界Tier1供应商联合汽车电子有限公司（United Automotive Electronic Systems，UAES）签署了SiC功率元件的长期供货协议。
UAES和ROHM自2015年开始技术交流以来，双方在SiC功率元件的车载应用产品开发方面也建立了合作夥伴关系 |
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意法半导体於义大利打造世界首座一站式碳化矽产业园区 (2024.06.24)
意法半导体（STMicroelectronics，ST），将於义大利卡塔尼亚打造一座结合8寸碳化矽（SiC）功率元件和模组制造、封装、测试於一体的综合性大型制造基地。透过整合同一地点现有之碳化矽基板制造厂，意法半导体将打造一个碳化矽产业园区，达成在同一个园区内全面垂直整合制造及量产碳化矽之愿景 |
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安森美於捷克打造端到端碳化矽工厂 完备先进功率半导体供应链 (2024.06.20)
电气化、再生能源和人工智慧是全球大势所趋，激发了市场对可最隹化能源转换和管理的先进功率半导体的空前需求。为满足这些需求，安森美采取了战略举措，宣布将在捷克建造先进的垂直整合碳化矽 (SiC) 制造工厂 |
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Power Integrations收购Odyssey 为GaN技术的持续发展提供支援 (2024.05.08)
Power Integrations这家节能型电源转换领域的高压积体电路领导厂商，宣布收购垂直氮化?? (GaN) 电晶体技术开发者 Odyssey Semiconductor 的资产。这项交易预计将於 2024 年 7 月完成，之後 Odyssey 的所有重要员工预期会加入 Power Integrations 的技术组织 |
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意法半导体碳化矽协助理想汽车加速进军高压纯电动车市场 (2024.01.05)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）与中国新能源汽车商理想汽车签立一项碳化矽（SiC）长期供货协议，而意法半导体将为理想汽车提供碳化矽MOSFET，支援理想汽车进军高压电池纯电动车市场的策略 |
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ST开启再生能源革命 携手自然迎接能源挑战 (2024.01.02)
随着全球能源需求於2030年预计将增长30%，同时碳排放量目标扩大至减少45%（控制全球暖化在摄氏1.5℃以内），再生能源正成为攸关人类未来的重要议题。回顾十年前，人们只顾担??石油、煤炭和天然气等资源何时枯竭，但现在人们转变思维，更注重人类在地球上的永续生存方式 |
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Transphorm与伟诠电子合作开发氮化??系统级封装元件 (2023.12.28)
Transphorm与Weltrend Semiconductor（伟诠电子）合作推出100瓦USB-C PD电源适配器叁考设计。该叁考设计电路采用两家公司合作开发的系统级封装（SiP）SuperGaN电源控制晶片WT7162RHUG24A，在准谐振反激式（QRF）拓扑中可实现92.2%的效率 |
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TI：扩大低功率GaN产品组合 实现AC/DC电源供应器体积缩小50% (2023.12.04)
德州仪器（TI）扩大其低功率氮化?? (GaN) 产品组合，旨在协助提升功率密度、最大化系统效率，以及缩小 AC/DC 电源供应消费电子和工业系统的尺寸。TI 具备整合式闸极驱动器的 GaN 场效应电晶体 (FET) 整体产品组合，可解决常见的散热设计挑战，让供应器维持低温，同时以更小的体积推动更大功率 |
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蔚华与南方科技合作非破坏性SiC缺陷检测系统 抢攻化合物半导体商机 (2023.11.28)
蔚华科技与旗下数位光学品牌南方科技合作，共同推出业界首创的JadeSiC-NK非破坏性缺陷检测系统，采用先进非线性光学技术对SiC基板进行全片扫描，找出基板内部的致命性晶体缺陷，用以取代现行高成本的破坏性KOH（氢氧化钾）蚀刻检测方式，可提升产量并有助於改善制程 |
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意法半导体GaN驱动器整合电流隔离功能 兼具安全性和可靠性 (2023.11.13)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）推出首款具有电流隔离功能的氮化??（GaN）电晶体闸极驱动器，新款STGAP2GS缩小了晶片尺寸，同时降低物料清单成本，能够满足应用对宽能隙晶片的效能以及安全性和电气保护的更高需求 |
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英飞凌完成收购GaN Systems 成为氮化??龙头企业 (2023.10.25)
英飞凌科技宣布完成收购 GaN Systems 公司。这家总部位於加拿大渥太华的公司，为英飞凌带来了丰富的氮化?? (GaN) 功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。已获得所有必要的监管部门审批，交易结束後，GaN Systems 已正式成为英飞凌的一部分 |
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罗姆集团马来西亚工厂新厂房竣工 强化类比IC产能 (2023.10.25)
半导体制造商ROHM为了加强类比IC的产能，在其马来西亚制造子公司ROHM-Wako Electronics（Malaysia）Sdn. Bhd.（以下称 RWEM）投建了新厂房，已经於近日竣工并举行了竣工仪式。
RWEM之前主要生产二极体和LED等小讯号产品，新厂房建成後则计画生产绝缘闸极驱动器（类比IC的重点产品之一） |
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格棋化合物半导体掌握碳化矽晶体成长技术 完成A轮募资新台币15亿元整 (2023.10.24)
掌握碳化矽（SiC）单晶晶体成长技术、同时具备6寸和8寸晶体制程能力的新创公司格棋化合物半导体股份有限公司（GCCS）宣布，近期成功完成新台币15亿元的A轮募资，并将持续投资先进晶体研发与制程优化技术 |
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PI以IC颠峰效率为aCentauri太阳能赛车队执行关键任务功能 (2023.10.23)
Power Integrations这家节能功率转换之高压积体电路领域的领导厂商，将为 aCentauri 车队提供先进的 PowiGaN 氮化?? (GaN) 技术、专家设计支援和财务赞助，协助他们叁加本月下旬举办的 3,000 公里普利司通世界太阳能车挑战赛 |
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英飞凌与英飞源合作 拓展新能源汽车充电市场 (2023.09.25)
基於碳化矽（SiC）的功率半导体具有高效率、高功率密度、高耐压和高可靠性等诸多优势，为实现新应用和推进充电站技术创新创造了机会。近日，英飞凌科技宣布与中国的新能源汽车充电市场相关企业英飞源 (INFY) 达成合作 |
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宜普：氮化??将取代650伏特以下MOFEST市场 市场规模约数十亿美元 (2023.09.04)
随着氮化?? （GaN）技术在各产业中扮演起重要的角色，中国政府已积极透过资助计画、研发补助以及激励政策等方式来支持氮化??技术在中国的发展。此外，中国近年来出现了许多专注於研发氮化??的公司，并且包括复旦大学、南京大学、浙江大学及中国科学院等大学或研究机构也积极地投入氮化??相关领域的研究及发展 |
