账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
ASM双腔体碳化矽磊晶平台 满足先进碳化矽功率元件领域需求
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2024年10月07日 星期一

浏览人次:【846】

ASM 发布了全新PE2O8碳化矽磊晶系统。这款双腔体碳化矽(SiC)磊晶 (Epi)平台旨在满足先进碳化矽功率元件领域的需求,具备低缺陷率、高制程稳定性,成为业界标竿。PE2O8具备更高的产量和较低的拥有成本,促进了碳化矽元件的更广泛应用。

PE208碳化矽磊晶系统
PE208碳化矽磊晶系统

随着全面电气化趋势推动更多功率元件制造商在越来越多高功率应用中(如电动车、绿能与先进资料中心)使用碳化矽 (SiC),对碳化矽的需求和降低成本的期??日益增强,这促使了6寸至8寸碳化矽基板的过渡。同时,碳化矽元件制造商正致力於设计更高功率的元件,这些元件将受益於更优质的碳化矽磊晶技术。

關鍵字: SiC  GaN  宽能隙半导体  化合物半导体  ASM 
相关新闻
筑波举办化合物半导体与矽光子技术研讨会 引领智慧制造未来
德州仪器扩大氮化??半导体内部制造作业 将自有产能提升至四倍
格棋化合物半导体中坜新厂落成 携手中科院强化高频通讯技术
ASM携手清大设计半导体制程模拟实验 亮相国科会「科普环岛列车」
ROHM推出4款工业电源适用SOP封装通用AC-DC控制器IC
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» 最隹化大量低复杂度PCB测试的生产效率策略
» 确保装置互通性 RedCap全面测试验证势在必行
» ESG趋势展??:引领企业迈向绿色未来
» 高阶晶片异常点无所遁形 C-AFM一针见内鬼
» 高速传输需求??升 PCIe讯号测试不妥协


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BSBKJSZMSTACUKM
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: [email protected]