随着运算需求不断地提高，新兴能源也同步崛起，传统矽基半导体材料逐渐逼近其物理极限，而宽能隙半导体材料以其优越的性能，渐渐走入主流的电子系统设计之中。它以更高的击穿电压、更快的开关速度、更高的工作温度，让宽能隙半导体材料在 电动车、5G 通讯、再生能源等领域，展现出巨大的应用潜力，也为半导体产业带来了一场全新的技术变革。

什麽是宽能矽材料?

宽能隙材料是指禁带宽度 (band gap) 比传统半导体材料 (如矽) 更宽的半导体材料。禁带宽度是指将电子从价带激发到导带所需的能量，而宽能隙材料的禁带宽度通常大於 2 电子伏特 (eV)，而矽的禁带宽度约为 1.1 eV。
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