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英飞??全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列促进汽车和工业发展 (2024.03.29)
英飞凌科技（Infineon）推出 750V G1 分立式 CoolSiC MOSFET，以满足工业和汽车电源应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级 SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双主动式桥式（DAB）、HERIC、降压/升压和相移全桥（PSFB）拓扑结构进行了优化 |
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大联大品佳推出基于Infineon产品的11kW DC-DC变换器方案 (2022.01.06)
随着以电池供电的移动电子设备和分布式电源系统应用的飞速发展，人们对DC-DC电源模块的性能提出更高的要求。除了常规的电性能指标外，人们希望其具备更小的体积、更大的功率密度、更高转换效率的同时，能够拥有良好的散热功能 |
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英飞??推出分离式CoolSiC MOSFET模组化评估平台 助碳化矽成为主流 (2020.05.25)
双脉冲测试是设计人员要了解功率装置切换特性的标准程序。为方便测试1200V CoolSiC MOSFET采用TO247 3针脚和4针脚封装的驱动选项，英飞凌科技推出模组化评估平台，其核心包含一个主板与可互换的驱动器卡板，驱动器选项包括米勒钳制和双极供电卡；其他版本将於近期内推出 |
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英飞凌加入CharIN 推动电动行动力全球标准 (2017.02.02)
【德国慕尼黑暨柏林讯】英飞凌科技（Infineon）是自动驾驶与电动车市场的重要厂商。适当的充电基础设施，对于支持全球快速成长的电动车市场极为重要。身为全球自动驾驶和电动行动力半导体供应商，英飞凌支持混合动力与电动车充电基础设施的全球化标准 |
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客制化电子票证解决方案嘉惠俄罗斯的城市通勤 (2016.12.13)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技（Infineon）及Udobny Marshrut公司（以下简称UM）目前正在俄罗斯建置采用CIPURSE 为基础的可扩充电子收费系统，UM 已在伊热夫斯克（Izhevsk）与安加尔斯克（Angarsk）展开作业，另外七个都会区也计划在2016 年年底前跟进，总计最终将有约200 万人可受益于这套客制化、易用且安全的公共运输票证解决方案 |
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适用于免接触式开关与动作侦测的表面黏着雷达模组 (2016.11.22)
【德国慕尼黑暨多内杜夫讯】英飞凌科技（Infineon）与 InnoSenT 公司共同推出 24 GHz ISM 频段运作的表面黏着雷达（SMR）动作侦测器。 InnoSenT 的SMR系列产品内建英飞凌最新MMIC BGT24LTR11 24GHz 收发器，提供优异的高度功能性、低功耗及易安装等优点 |
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宜特获评为「中国集成电路第三方实验室最佳影响力企业」 (2016.04.11)
宜特大陆子公司-宜特(上海)检测技术传来捷报!宜特宣布双获中国半导体行业协会评选为「2015-2016中国集成电路第三方实验室年度最具影响力企业」及「2015- 2016中国高阶元器件ESD测试流程静电防护年度最佳解决方案」，肯定宜特在大陆半导体市场的检测验证实力 |
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Gartner公布08年全球半导体销售 高通成长最快 (2009.04.12)
市场研究公司Gartner日前公布了2008年全球半导体销售报告。报告中显示，2008年全球半导体销售收入为2550亿美元，较2007年减少了5.4%，而英特尔继续依然位居龙头的地位，高通则是成长速度最快的公司 |
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英飞凌推出第三代SiC萧特基二极管 (2009.02.20)
功率半导体暨碳化硅（SiC）萧特基二极管供货商英飞凌科技在美国华盛顿特区举办之应用电力电子研讨会暨展览会（APEC）上宣布推出第三代thinQ! SiC萧特基二极管。全新thinQ!二极管拥有低装置电容，适用于所有电流额定值，在更高的切换频率以及轻负载的情况下，更能提升整体系统效率，有助于降低整体电源转换的系统成本 |
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英飞凌科技媒体春酒餐会 (2009.01.08)
Infineon 为了答谢所有媒体朋友这一年来的支持与爱护，与台湾英飞凌科技总经理汪福波及各部门高阶主管们，正式见面及餐敍；活动当天除了美食外，还准备了精美礼品 |
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降低能源损耗 「飞」我莫属 (2008.10.13)
生活中各个角落无不需要使用电力，然而电源的损耗也正在这些电子设备与线路的传递处理中一点一滴流逝。也因此半导体厂商所汲汲营营的，正是不断开发出更新的半导体架构，让电能的使用效率能够达到更高，降低损耗，不仅用户能更节省能源支出，也相对为环境的保护多出一份心力 |
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专访：英飞凌多元市场资深技术总监Leo Lorenz (2008.10.13)
生活中各个角落无不需要使用电力，然而电源的损耗也正在这些电子设备与线路的传递处理中一点一滴流逝。也因此半导体厂商所汲汲营营的，正是不断开发出更新的半导体架构，让电能的使用效率能够达到更高，降低损耗，不仅用户能更节省能源支出，也相对为环境的保护多出一份心力 |
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英飞凌推出DECT 6.0/CAT-iq芯片 (2008.05.28)
英飞凌科技在 2008有线电视展上公布一项具成本效益的DECT方案，表示该方案若与DOCSIS 3.0芯片结合，可为北美有线服务提供商创造一个平台，以利在DECT 6.0无线电话上部署下一代的VoIP(Voice-over-IP)服务 |
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东芝加入IBM联盟 共同研发32奈米制程技术 (2007.12.19)
外电消息报导，东芝（Toshiba）于周二（12/18）宣布，将加入由IBM领军的半导体产业联盟，共同研发32奈米的半导体制程技术，以降低整体的研发成本。
这个由IBM所领军的半导体产业联盟目前已有多家知名的半导体厂加入，包括美国AMD、韩国三星电子、新加坡特许半导体、德国英飞凌以及美国飞思卡尔半导体等 |
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IBM偕AMD等六大芯片商共同开发32奈米处理器 (2007.12.12)
外电消息报导， IBM偕同AMD、飞思卡尔（Freescale）等六大芯片厂商于日前共同宣布，已在32奈米制程研发上取得重大突破，首款采用32奈米的处理器预计于2009年上市。
相较于目前的45奈米制程，新的32奈米技术可进一步缩小处理器的体积，缩小幅度高达50%，而且还能减少漏电的问题 |
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第二季10大半导体厂排名公布 高通首次挤进 (2007.08.26)
外电消息报导，市场研究机构iSuppli日前公布了2007年第二季十大半导体厂商名单。其中英特尔(Intel)与三星电子(Samsung)仍高居第一、二名，而没有建置半导体生产工厂的高通（Qualcomm）则首次挤进前10名，成为第二季中意外的黑马 |
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IBM将与合作伙伴开发32奈米CMOS制程技术 (2007.06.01)
IBM与数家LSI制造商日前已就共同开发32nm制程技术及生产技术达成了协议。这些厂商未来将合作开发用于逻辑LSI芯片之Bulk CMOS制程。IBM与这五家公司的合作将持续至2010年，而32nm制程LSI芯片也将从2009年第四季开始生产 |
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三星、IBM等四公司合作开发65nm制程技术 (2004.03.09)
韩国三星电子与IBM等公司将合作开发65nm逻辑LSI的半导体制程技术。据日经BP社消息指出，三星电子将参加IBM、新加坡特许半导体(Chartered)、英飞凌科技三公司正在进行的65nm半导体制程技术的联合开发，上述四公司将来还准备联合开发45nm制程技术 |
