功率半导体暨碳化硅（SiC）萧特基二极管供货商英飞凌科技在美国华盛顿特区举办之应用电力电子研讨会暨展览会（APEC）上宣布推出第三代thinQ! SiC萧特基二极管。全新thinQ!二极管拥有低装置电容，适用于所有电流额定值，在更高的切换频率以及轻负载的情况下，更能提升整体系统效率，有助于降低整体电源转换的系统成本。此外，英飞凌第三代产品提供业界最丰富的SiC萧特基二极管产品组合，不但有包含TO-220封装（2-pin版本），亦有适用于高功率密度表面黏着设计的DPAK封装。

英飞凌第三代thinQ! SiC萧特基二极管

SiC萧特基二极管的主要应用层面是切换式电源供应器的主动功率因素控制及其他AC/DC和DC/DC电源转换应用，例如太阳能逆变器和马达驱动。

英飞凌全新的SiC萧基二极管装置电容降低了40%，减少切换损失，例如在250kHz之下操作的1 kW PFC阶段，于20%的负载情况下，整体效率将提升0.4%。更高的切换频率代表可以使用更小、成本更低的被动组件，例如诱导器和电容器，促成功率密度更高的设计。 电源损失减少，同时也降低了散热需求，所需的散热器和风扇体积、数量均相应减少，让系统成本更低，稳定性更高。 英飞凌预计在某些SMPS应用中，系统成本可减少高达20%。