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英飞凌再度蝉联全球功率半导体市场宝座 (2015.09.18)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技（Infineon）连续十二年蝉联全球功率半导体市场领导者地位。继年初并购国际整流器公司（International Rectifier），英飞凌的市占率达到19.2%，稳居市场龙头地位（而根据美国市场研究机构IHS Inc.前一年的调查结果，两家公司于2013 年的市占率合计后约为17.5% )，领先最大竞争对手的幅度达7.0% |
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功率半导体市场大地震 英飞凌并购国际整流器 (2014.08.21)
近年来半导体市场的并购案件不断，像是英特尔并购英飞凌的无线射频部门、或是德州仪器一次买下美国国家半导体（NS）等，都是全球半导体产业十分关注的焦点，而此次英飞凌以以每股 40 美元、总计约 30 亿美元的现金出手买下国际整流器（IR），更是撼动了全球功率半导体市场 |
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IR推出三相逆变器驱动器集成电路 (2002.11.25)
全球功率半导体及管理方案厂商国际整流器公司(IR),推出IR2136三相逆变器驱动器集成电路系列，适用于变速马达驱动器设计。新元件把六个MOSFET或IGBT高电压栅驱动器整合起来，并融合多元化的保护功能，系统成本较光耦合器方案低30% |
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IR推出三相逆变器驱动器集成电路系列 (2002.11.22)
全球功率半导体及管理方案厂商国际整流器公司(International Rectifier),推出IR2136三相逆变器驱动器集成电路系列，适用于变速马达驱动器设计。新元件把六个MOSFET或IGBT高电压栅驱动器整合起来，并融合多元化的保护功能，系统成本较光耦合器方案低30% |
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IR推出双FETKY组合封装元件 (2002.11.07)
国际整流器公司(IR)日前推出全新的IRF7335D1型双FETKY元件，把两个N通道MOSFET及一个肖特基二极管，组合于单一SO-14封装，载电效能远超市场上同类双MOSFET-肖特基组合封装方案，亦较IR早前推出的IRF7901D1元件提供高出40%的电流 |
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IR推出150V及200V MOSFET组件 (2002.08.09)
全球功率半导体及管理方案厂商----国际整流器公司（简称IR） 推出一系列全新的150V及200V HEXFET功率MOSFET，它们的导通电阻和栅电荷特性经过优化，能将48V输入隔离式直流-直流转换器的效率提升1%，适用范围包括网络和电信系统 |
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IR发展全新IGBT/FRED技术 (2001.08.08)
全球供电产品领导事业厂商IR针对绝缘闸双极晶体管及快速恢复磊晶二极管发展出一项全新的程序技术，不仅能提供较上一代组件快70% 的关机时间，功率损耗亦低于目前市场上顶级产品20% |
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IR发表2001年第三季营收财报 (2001.05.03)
国际整流器公司（IR）日前公布2001年第三季营收财报，营收成长高达39%。净收入的年度成长率攀升至121%，营收为2亿7600万美元。而前三季营收总为7亿9千3百万美元，比去年同期成长53% |
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IR推出GBL及GBU桥接整流器系列 (2001.04.25)
国际整流器(IR)日前推出全新GBL及GBU桥接整流器系列 (GBL and GBU Series bridge rectifiers)，应用于工业以及消费性电子领域，例如电源供应系统和手持式电子装置。
全新桥接整流器的额定电压由50V至1200V |
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IR扩展快速恢复二极管产品系列 (2001.04.19)
国际整流器( IR)，宣布以多款的全新400V组件，进一步扩展IR的超快速恢复外延二极管（FRED, ultra-fast recovery epitaxial diode）产品系列。这些具超快速恢复功能的输出二极管（output diodes），不但可以大幅提高电源供应效率，也能有效缩小产品的尺寸、重量与节省生产成本 |
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IR推出新型同步整流IC参考设计 (2001.04.11)
全球供电产品厂商国际整流器(IR)，推出IR1176应用同步整流IC专用的参考设计－IRDCSYN2。新型IR1176组件的输出电压低至1.5V，能大幅简化及改善隔离式DC-DC转换器的设计，提供电信及宽带网络服务器源源不绝的动力 |
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IR 推出两款全新的TO-220封装HEXFET功率MOSFET (2001.03.20)
国际整流器(IR)推出两款全新的TO-220封装HEXFET功率MOSFET，大幅提升初级(primary-side)和次级(secondary-side) DC-DC转换器电路的功率密度(power density)，使有关应用发挥最大效能。
这些新型组件是专为电信及数据通讯系统中的高效率48V输入隔离式(input-isolated) DC-DC转换器而设计，以取代TO-247封装体积较大的组件 |
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IR 发表新款20V HEXFET MOSFET (2001.03.14)
国际整流器(IR)14日发表两套20V HEXFET功率MOSFET系列产品，能提升12V 输入端DC-DC转换器的效率达4%。新型 20V IRF3711 与 20V IRF3704系列装置专为多相位降压转换器(multiphase buck converters)所设计，支持新一代GHz级的微处理器，如应用在高阶桌面计算机与服务器的Intel(r) Pentium(tm) 4 与AMD( Athlon处理器 |
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IR发表全新iPOWIR组件技术 (2001.03.08)
国际整流器公司(IR)八日发表全新的iPOWIR技术，为各种计算机及通讯设备的内建DC-DC电源转换器，开创前所未有的设计效益。随着iPOWIR技术的发表，IR DC-DC发展计划的第一阶段顺利完成 |
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IR并购Unisem,全面扩展DC-DC电源管理方案 (2001.02.27)
国际整流器公司(IR)日前宣布并购 Unisem 公司，不但加强了本身的工程设计能力，更进一步扩展了DC-DC功率管理IC产品线。
Unisem总部位于美国加州，是领导业界的模拟IC供应厂商，其产品为手持式电子设备、因特网基础建设及视讯处理器等信息科技应用系统，提供完善的功率管理功能 |
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IR推出一系列HEXFET功率 MOSFET组件 (2000.12.22)
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)，致力于提升特定隔离式及降压式DC-DC转换器的运作效率，特别针对个别电子拓朴技术需要，推出一系列HEXFET功率 MOSFET组件。
全新100V IRF7473组件采用SO-8封装，适用于48V输入、1.6V输出和60A双阶段隔离式转换器的初级运作，及全桥式配置 |
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IR推出超高电压HEXFET功率MOSFET (2000.07.07)
国际整流器(International Rectifier；IR)全面扩展其HEXFET功率MOSFET系列，推出多种适用于开关式供电应用系统(switch-mode power supply；SMPS)的新组件。
新组件把系统专用式开发技术结合到支持大量生产的全新处理平台，为零电压开关(Zero-voltage Switching；ZVS)及硬式开关(Hard-switching；HS)转换器带来更强劲性能，同时满足系统需求，并降低系统成本 |
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IR发表两款新型功率桥式整流器 (2000.06.29)
供电产品厂商国际整流器公司(International Rectifier；IR)日前推出两款崭新的精巧型单相桥式整流器，使原有产品系列更为充实。全新的25A GBPC25及35A GBPC35桥式整流器4四个整流二极管结合于单一的全波桥式整流器中，为高电流供电系统的输入电路提供更大效益 |
USB的沿革历史充满曲折，其中各大厂商从本位主义的相互对抗，到尝尽深刻教训后的Wintel合作，能否给予后进有意「彼可取而代之」者一些深思与反省？
