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IR 发表新款20V HEXFET MOSFET
可将12V输入端降压转换器的运作效率提升4%

【CTIMES/SmartAuto 黃明珠报导】   2001年03月14日 星期三

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国际整流器(IR)14日发表两套20V HEXFET功率MOSFET系列产品,能提升12V 输入端DC-DC转换器的效率达4%。新型 20V IRF3711 与 20V IRF3704系列装置专为多相位降压转换器(multiphase buck converters)所设计,支持新一代GHz级的微处理器,如应用在高阶桌面计算机与服务器的Intel(r) Pentium(tm) 4 与AMD( Athlon处理器。

产品与效能图标(厂商提供)
产品与效能图标(厂商提供)

这两款新型的20V MOSFET适合应用于电信与数据通讯设备,并采用分布式电源架构的12V Vin的非绝缘式降压转换器(buck converters)。

先进的多相位降压转换器在每个相位中通常需要两组MOSFET、同步式FET、以及控制端FET。设计人员可充分利用两款组件的优点,并依照不同的实际应用情形将RDS(on) 参数如闸电荷(gate charge)和输出电容(output capacitance (Coss)) 设定在优化的状态。20VDSS IRF3711系列专为同步FET应用设计,能提供最佳的效能;而20V IRF3704系列则能为控制端FET提供最佳的效能。这款新型组件的20V最大功率能提供12V输入端同步降压转换器足够的安全极限(safety margin),并能提升运作的效能。

IR产品管理部副总裁Mr. Gene Sheridan表示:「 IR新型20V MOSFET能降低导通、切换、驱动、以及输出电容等所产生的功率损耗,与传统30V MOSFETs相较,在12V输入端同步降压转换器应用上更能提供更优异的效率。」

在桌面计算机与服务器环境中,未经处理的AC输入电源使用传统的AC-DC变压器转换成12V DC的输出电源。12V DC的输入电源随即再经过同步降压转换器进行降压,提供给CPU使用。同步降压转换器需要高效率的电力组件,方能支持现今GHz级处理器,提供超级纯净的DC电源。

例如,若制造商将支持Pentium 4系统的双相位降压转换器(two-phase buck converter)中的30V MOSFETs组件,更换成IR新推出的20V 同步式FET (IRFR3711) 与20V 控制端FET ( IRFR3704)之后,测试结果显示系统效能可提升4%。改良后的电路若采用IR的专属应用MOSFET,在220kHz频率、输出1.7V 与每相位20 安培的环境下,可将整体效率提高至78%。

Mr. Sheridan接着指出:「在20 安培的环境下提高4%的效率是相当卓越的成就。由于电路板的空间限制是首要的考虑因素,故电源管理系统必须在相同甚至是更小的组件中提供更高的效率。」

在相同的双级(two-stage)降压转换器,当频率提高至410kHz时,IR的MOSFET在最高负载时可将效率提高至74%,而其它竞争厂商的产品在这种条件下却可能会产生散热不良的状况。

關鍵字: 国际整流器  Gene Sheridan  电压控制器 
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