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宜鼎全面扩充边缘AI智慧应用与智慧储存 (2024.05.30)
●首度揭示Architect Intelligence全新品牌主张，展现Innodisk AI策略布局
●AI人流追踪、空气品质管理、智慧制造解决方案，全面加速产业应用边缘AI落地
●旗下首款工控级CXL记忆体、16TB大容量系列SSD |
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宜鼎发布全球首款Ultra Temperature极宽温DRAM模组 (2021.10.27)
近来全球记忆体市场话题不断，DRAM新品持续在容量、频宽及速度上力求突破；看似面面俱到，却始终不见耐受温度向上提升，使得严苛的高温应用情境备受挑战。为此，宜鼎国际正式推出全球首款「Ultra Temperature」极宽温DDR4记忆体模组 |
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拓展伺服器记忆体产品组合 Crucial 首推 32GB NVDIMM 系列 (2018.10.31)
Micron Technology 旗下领导全球记忆体及储存升级方案的消费者品牌 CrucialR，於今日发表一款全新的 32GB 非挥发性 DIMM (NVDIMM) 产品，协助企业在系统电力中断的情况下保存关键资料，并缩短停机时间以避免成本上的浪费 |
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美高森美为关键任务应用推出建基于SLC的高容量安全固态硬碟 (2015.08.04)
美高森美公司（Microsemi）针对国防、情报、无人机（unmanned aerial vehicle, UAV）和其它国防相关网路区域储存（NAS）应用， 推出具备高安全性和容量等级的序列先进技术附接（serial advanced technology attachment, SATA） 固态硬碟（solid state drive, SSD） |
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Altera展示FPGA中的DDR4记忆体资料速率 (2014.12.25)
Altera公司宣布，在矽晶片中展示了DDR4记忆体介面，其运作高速率为2,666 Mbps。 Altera的Arria 10 FPGA和SoC是目前支援此速率DDR4记忆体的FPGA，记忆体性能比前一代FPGA提高了43%，比20 nm FPGA高出10% |
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[专栏]记忆体撞墙效应谁来解？ (2014.12.15)
电脑系统的效能精进，在近年来遭遇一些问题，例如处理器的时脉撞墙（Clock Wall）问题，即运作时脉难以超越4GHz，2011年第4季Intel推出第二代的Core i7处理器达3.9GHz，至今Intel所有的处理器均未超过3.9GHz |
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HGST推出通过VMWARE认证的完整性阶层式储存产品组合 (2014.10.20)
为协助全球释放数据数据力量，HGST（昱科环球储存科技）宣布，其生产的 SAS 企业级HDD、PCIe与SAS接口的SSD等多款硬盘通过VMware认证，并能在VMware Virtual SAN环境下提供互动操作的储存层 |
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真的是拆上瘾！ iPhone 4成本结构大曝光！ (2010.06.29)
看起来大家真的是拆上瘾了。iPhone 4正式问世没多久，各界就无所不用其极地把iPhone 4拆解开来，进行巨细靡遗的分析。不让专业拆解网站iFixit专美于前，市调研究机构iSuppli的拆解分析服务部门，也对于iPhone 4内部各个主要零组件的成本进行细致的推估 |
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Cypress推出首款65奈米制程SRAM (2009.05.05)
Cypress公司4日宣布推出业界首款采用65奈米线宽的Quad Data Rate（QDR）与Double Data Rate（DDR）SRAM组件。此新款72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII、以及DDRII+内存，采用与晶圆代工伙伴联华电子合作开发的制程技术 |
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华邦电子推出了高应用度之DDR2 SDRAM产品 (2009.03.27)
华邦推出了高应用度之DDR2 SDRAM产品，包括: 256Mb (W9725G6IB系列), 512Mb (W9751G6IB系列), 1Gb (W971GG6IB系列)。华邦所有产品通过ROHS标准，且符合日本绿色采购调查标准化协会(JGPSSI) 严苛标准，适用于各类型的电子产品上 |
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广域电压范围操作之静态随机存取记忆体设计 (2009.02.03)
目前设计低功率SOC系统的主要方式，是以操作速度需求不高的电路以较低VDD来设计，低电压高效能的记忆体设计将是其中一项主要的挑战。本设计应用了低电压操作原理，把静态随机存取记忆体操作在0.5V，让此设计在使用时能够达到80MHz的最高操作频率 |
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报告:DRAM持续减产有助于价格回稳 (2008.12.25)
外电消息报导，市场研究公司DRAMeXchange日前发表一份最新的最新内存市场调查报告。报告中指出，由于内存持续的减产，明年1月~3月全球内存产出仍将维持负成长，加上全球第一季PC销售下滑，DRAM的价格将可望落底，并逐渐回温 |
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东芝、IBM及AMD合作开发出世界最小的SRAM (2008.12.20)
外电消息报导，东芝、IBM与AMD日前共同宣布，采用FinFET共同开发了一种静态随机内存（SRAM），其面积仅为0.128平方微米，是目前世界上最小的SRAM。这项技术是在上周（12/16）在旧金山2008年国际电子组件会议上所公布的 |
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汽车后视摄影机鱼眼影像修正的FPGA弹性架构 (2008.12.08)
鱼眼摄影机越来越广泛应用在汽车的后视影像系统。其所所捕捉到的影像应该进行修正，使其接近光线直射时所看到的影像。修正过程需要进行大量的数学运算，因此无法轻易地以FPGA实现 |
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新一代NVM内存之争 MRAM赢面大 (2008.11.12)
全球先进半导体设备及制程技术供货商Aviza今日（11/13）在台表示，MRAM有希望从多家新一代非挥发性内存（Non-Volatile Memory;NVM）技术中脱颖而出，并取代目前主流的SRAM，成为终极的通用型内存解决方案 |
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08年Q2全球内存销售 三星依旧称王 (2008.08.11)
外电消息报导，市场研究公司iSuppli日前表示，根据统计数据，今年第二季三星电子在全球内存市场上依旧表现抢眼，市场占有率已超过了30%，持续维持第一大内存厂的龙头地位 |
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三星:下半年内存市场前景仍不明朗 (2008.05.28)
外电消息报导，三星电子半导体事业部总裁权五铉日前表示，内存芯片价格已经触底，且短期内不会大幅反弹，内存産业今年下半年的前景也仍不明朗。
权五铉表示，受次贷危机及中国震灾的影响，使得内存芯片价格短期内不会大幅提升 |
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华邦电子推出低功率行动内存 (2008.02.29)
华邦电子即将参加由Global Sources所主办的2008 IIC-China深圳（3/3-4深圳会展中）、上海（3/10-11上海世贸商城），届时也将展出华邦两大系列行动内存产品－低功率耗易失存储器及虚拟静态内存，并推出一系列低功耗易失存储器512Mb Low Power DRAM |
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奇梦达宣布突破性的30奈米世代技术蓝图 (2008.02.28)
奇梦达公司宣布先进的技术蓝图，此技术可达30奈米世代，并在cell尺寸可至4F²。奇梦达的创新Buried Wordline技术结合高效能、低功耗及小芯片尺寸的特性，再次拓展公司的多元化产品组合 |
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奇梦达1、2GB省电DDR3 SO-DIMMs开始出货 (2008.01.28)
奇梦达公司宣布1GB和2GB的DDR3 SO-DIMM内存模块（Double Data Rate 3 Small Outline Dual In-line Memory Modules）的样品开始出货给主要客户，以布局次世代的笔记本电脑市场。奇梦达将其最新的DDR3 SO-DIMMs优化，提供高度的省电功能 |
