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广域电压范围操作之静态随机存取记忆体设计
工研院系统晶片科技中心专栏(1)

【作者: 繆俊偉,蔡孟庭】2009年02月03日 星期二

浏览人次:【14368】

Multi-VDD设计低功率SRAM

Multi-VDD设计低功率SOC系统

目前设计低功率SOC系统的主要方式,将操作速度需求不高的电路以较低VDD来设计,可大幅减低功率的消耗。要使用Multi-VDD的设计方法,标准细胞元件库(Standard cell library)需要重新萃取参数,技术难度不高。不过SOC系统一定会用到的静态随机存取记忆体(Static Random Access Memory:;SRAM)却没这么幸运,需要重新设计。
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