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IR推出表面黏着型75V MOSFET搭载极低导通电阻 (2014.11.13)
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)为工业应用扩充StrongIRFET MOSFET系列，为多种工业应用包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流马达驱动器、锂离子电池组保护、热插入及开关模式电源二次侧同步整流推出75V组件 |
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IR推出75V MOSFET具有极低导通电阻 (2014.10.29)
工业应用所需的工具与组件较一般电子组件更讲求坚固安全，国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩充StrongIRFET MOSFET系列，为多种工业应用推出75V组件，包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流马达驱动器、锂离子电池组保护、热插入及开关模式电源二次侧同步整流 |
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功率半导体市场大地震 英飞凌并购国际整流器 (2014.08.21)
近年来半导体市场的并购案件不断，像是英特尔并购英飞凌的无线射频部门、或是德州仪器一次买下美国国家半导体（NS）等，都是全球半导体产业十分关注的焦点，而此次英飞凌以以每股 40 美元、总计约 30 亿美元的现金出手买下国际整流器（IR），更是撼动了全球功率半导体市场 |
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车用电子翻新 英飞凌颠覆MCU想象 (2014.04.16)
车用电子所涵盖的半导体组件相当广泛，一言以蔽之，就是既有的系统设计架构套上车用规范。也因此，从既有的DC/DC、AC/DC、DC/AC、MCU（微控制器）、MPU（微处理器）等，这些组件都可以在车用电子中窥见其踪影 |
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次芯片级封装是行动装置设计新良药 (2013.11.29)
手机渗透率在已开发市场达到了很高比例，而在世界上其他地区也不断提高。根据GSMA的信息，先进的欧洲国家，其行动用户渗透率已经超过90%。开发中市场的平均渗透比例将由2012年的39%增加至2017年的47%，而且是未来5年内刺激全球行动市场成长的最大因素 |
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MOSFET封装进步 帮助提供超前芯片组线路图的行动功能 (2013.11.29)
面临为需求若渴的行动装置市场提供新功能压力的设计人员，正在充分利用全新次芯片级封装(sub-CSP)技术的优势，使用标准IC来构建领先于芯片组路线图的新设计。 |
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能源采集大不易 突破点就在静态电流 (2013.11.28)
能源采集这个议题在产业界的讨论并不算是相当热络，广泛来看，像是太阳能发电亦可以算是能源采集的一种。若将能源采集作一个简单的定义，将不同的能量转化为电能，就可等同视之 |
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最新平面型功率MOSFET系列UniFET II MOSFET问世 (2013.08.19)
高电压功率 MOSFET 一般分为两大类： 超接面（SJ : Super Juction）MOSFET 和平面型 MOSFET。由于其电荷平衡结构和更小的输入栅极电荷（Qg），SJ MOSFET具有比平面型 MOSFET 更低的导通电阻（RDS(on)）和更快的开关性能 |
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意法半导体推出采用TO-247封装的650V车规MOSFET (2013.08.14)
意法半导体的STW78N65M5和STW62N65M5是业界首款采用深受市场欢迎的TO-247封装的650V AEC-Q101车规MOSFET。在高电压突波（high-voltage spikes）的环境中，650V额定电压能够?目标应用带来更高的安全系数，有助于提高汽车电源和控制模块的可靠性 |
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凌力尔特打造高质量工业用桥式整流器 (2013.06.14)
传统采用二极管的桥式整流器，由于在运作过程会产生压降，导致系统厂商在选用组件方面会产生很大的不便。也因此，凌力尔特采用两组MOSFET来取代原有的二极管，有效提高了电源效率，并减少了稳压过程的二极管压降 |
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IR 全新300V功率MOSFET配备基准导通电阻 (2013.01.23)
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出配备了IR最新功率MOSFET的300V组件阵营，藉以为各种高效率工业应用提供基准导通电阻 (RDS(on))，包括110-120交流电压线性调节器和110-120交流电压电源，以及太阳能逆变器与不间断电源 (UPS) 等直流-交流逆变器 |
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快捷半导体智能型高侧开关为设计人员提供可靠的解决方案 (2012.05.11)
快捷半导体公司(Fairchild)日前开发出一款专门为汽车车身电子提供先进电气负载控制的智能型高侧开关系列。该系列组件为离散式MOSFET设计提供替代方案，整合了保护和诊断功能，以减少组件数量，简化印刷线路板设计，同时提高系统的可靠性 |
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Diodes新型MOSFET芯片高度减少50% (2012.05.11)
Diodes 公司日前推出了一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N信道和P信道MOSFET。采用DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4，离板高度只有0.4mm，面积只有4mm2，是一款额定电压为 -25V的P信道组件，较同类型组件薄50% |
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Diodes MOSFET控制器有助提高PSU效率 (2012.01.11)
Diodes公司日前推出额定电压为25V的同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，适用于90W或以上的笔记本电脑和可携型计算机的电源设计。这款组件能取代返驰式转换器内效率欠佳的萧特基二极管，并能减少多达70%的整流器损耗，有效提高3.5%的电源效率 |
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TI推出4 A与5 A双信道输出MOSFET驱动器 (2012.01.11)
德州仪器（TI）日前宣布推出3款双信道输出闸极驱动器，可提升高密度隔离电源效率与可靠度，进一步扩大MOSFET驱动器产品阵营。
UCC27210与UCC27211是120 V启动高侧（high-side）与低侧（low-side）双信道输出MOSFET驱动器，提供达4 A的输出电流，且可消除驱动器输入-10 V直流电（VDC）干扰 |
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ST超结型MOSFET系列再添新成员 (2012.01.06)
意法半导体（ST）日前推出MDmesh V系列。MDmesh V系列是高性能MOSFET产品，拥有极低的每单位面积导通电组（on-resistance per area），在650V额定电压应用中可实现高能效和功率密度；对于以热量形式损耗电能的系统功率转换电路，如电子照明控制器、消费性电子电源和太阳能电力转换器可提升能效 |
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Fairchild推出锂离子电池组保护设计解决方案 (2011.12.22)
快捷半导体（Fairchild）近日开发出PowerTrench MOSFET组件FDMB2307NZ。该组件具有能够缩小设计的外形尺寸，并提供所需的高效率。FDMB2307NZ专门针对锂离子电池组保护电路和其它超可携式应用而设计，具有N信道共同漏极MOSFET特性，能够达成电流双向流动 |
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Diodes推出12V新型P信道MOSFET (2011.12.15)
Diodes日前推出12V微型P信道强化型MOSFET—DMP1245UFCL，有助于提升电池效率和减少电路板空间，并满足空间受限的可携式产品设计要求，如智能型手机和平板计算机等。
这款新MOSFET采用超精密和高热效率的DFN1616封装，并具有极低的导通电阻（RDS(on)），能把传导损耗降至最低，以延长电池寿命 |
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ROHM运用硅深掘蚀刻技术推出全新超接面MOSFET (2011.11.29)
ROHM于日前宣布，推出全新低导通电阻之高耐压型功率MOSFET－R5050DNZ0C9，适合太阳能发电系统的功率调节器使用。随着节能议题愈来愈受到关注，其中，太阳能发电可谓是最具代表性的可回收能源，因此使得该市场在近年来不断地成长扩张 |
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瑞萨推出适用消费性马达驱动应用之功率半导体 (2011.08.03)
瑞萨电子（Renesas）于日前宣布，开发出100安培大电流功率MOSFET，适用于消费性产品中的马达驱动器，例如无线电动工具及动力辅助自行车，并藉此强化该公司功率半导体装置的整体产品线 |
倘若供应计算机的电源发生不正常中断或是电流不稳定时，不断电系统UPS（Uninterruptible Power Supply）便担负起暂时紧急供应电源的功能，使计算机不会因停电而被迫流失数据，或者造成系统的毁损。
