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东芝推出汽车 40V N 沟道功率 MOSFET采用新型高散热封装 (2023.01.31)
近年来，电动汽车的进展推动对於适应汽车设备功耗增加的组件的需求。东芝电子推出汽车40V N沟道功率 MOSFETXPQR3004PB和 XPQ1R004PB，它们使用新的 L-TOGL（大型晶体管外形鸥翼引线）封装，并且具有高漏极电流额定值和低导通电阻，今日开始供货 |
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英飞凌推出全新PQFN 系列源极底置功率MOSFET (2022.12.23)
为了满足电力电子系统设计趋向追求更先进的效能和功率密度，英飞凌科技（Infineon）在 25-150 V 等级产品中推出全新源极底置 3.3 x 3.3 mm2 PQFN 系列，包括有底部冷却（BSC）和双面冷却（DSC）两个版本 |
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单晶片驱动器+ MOSFET（DrMOS）技术 改善电源系统设计 (2022.10.27)
本文介绍最新的驱动器+ MOSFET（DrMOS）技术及其在稳压器模组（VRM）应用中的优势。单晶片DrMOS元件使电源系统能够大幅提高功率密度、效率和热性能，进而增强最终应用的整体性能 |
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认识线性功率MOSFET (2022.10.18)
本文针对MOSFET的运作模式，元件方案，以及其应用范例进行说明，剖析标准MOSFET的基本原理、应用优势，与方案选择的应用思考。 |
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ST推出LIN交流发电机稳压器 提升12V汽车电气系统性能 (2022.09.19)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出L9918车规交流发电机稳压器，改良後的功能可提升12V汽车电气系统之稳定度。
L9918车规交流发电机稳压器内建一个MOSFET及一个续流二极体，MOSFET提供交流发电机励磁电流，当励磁关闭时，续流二极体将负责提供转子电流 |
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以碳化矽MOSFET实现闸极驱动器及运作 (2022.08.19)
碳化矽MOSFET的驱动方式与传统的矽MOSFET和绝缘闸双极电晶体（IGBT）不同，本文叙述在碳化矽应用进行闸极驱动时，设计人员如何确保驱动器具备足够的驱动能力。 |
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ST新款40V STripFET F8 MOSFET电晶体 具备节能降噪特性 (2022.08.02)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出新40V MOSFET电晶体STL320N4LF8和STL325N4LF8AG降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极体之特性，降低功率转换、马达控制和配电电路的耗能和杂讯 |
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意法半导体推出适合高启动电流应用的单通道负载开关 (2022.06.15)
意法半导体（STMicroelectronics：ST）推出了IPS1025H与IPS1025H-32单通道可程式高边开关。这两款开关内建欠压保护、过压保护、过载保护、过热保护功能，能智慧驱动高启动电流的电容性负载、电阻性负载或电感性负载 |
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东芝与Farnell合作加强供应链 扩大新品及创新范畴 (2022.06.15)
东芝电子欧洲销售和行销子公司东芝电子欧洲有限公司（Toshiba Electronics Europe GmbH）扩大与Farnell的全球合作夥伴关系，Farnell为全球电子元件、产品和解决方案经销商，在欧洲以Farnell、北美的纽瓦克和在亚太地区的e络盟（element14）进行交易 |
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东芝五款MOSFET闸极驱动器IC新品采用超小型封装 (2022.06.09)
东芝电子元件及储存装置株式会社（简称东芝）为其TCK42xG系列MOSFET闸极驱动器IC 产品系列增加适用於穿戴式装置等行动装置的五款新品。该系列的新产品配备过压锁定功能，并根据输入电压控制外部MOSFET的闸极电压 |
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ST发表全新MDmesh MOSFET 提升功率密度与效能 (2022.06.08)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）新推出之STPOWER MDmesh M9和DM9矽基N通道超接面多汲极功率MOSFET电晶体适用於设计资料中心服务器、5G基础建设、平面电视的交换式电源供应器（Switched-Mode Power Supply，SMPS） |
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ROHM推出600V耐压SuperJunction MOSFET 实现超低导通电阻 (2022.04.13)
半导体制造商ROHM在600V耐压SuperJunction MOSFET“PrestoMOS”产品系列中，新增了「R60xxVNx系列」七款机型，非常适用於电动车充电桩、伺服器、基地台等大功率工控装置的电源电路、以及空调等因节能趋势而采用变频技术的大型生活家电的马达驱动 |
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英飞凌OptiMOS 6 100 V采用全新功率MOSFET技术 (2021.12.03)
因应电信与太阳能等高切换频率最佳化应用，当前切换式电源供应(SMPS)及电池供电的应用显著趋势是提高效率和可靠性。顺应这一发展趋势，英飞凌科技推出采用全新功率MOSFET技术的OptiMOS 6 100 V |
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Microchip首款碳化矽MOSFET 可降低50%开关损耗 (2021.09.22)
随着对电动公共汽车和其他电气化重型运输车辆的需求增加，以满足更低的碳排放目标，基于碳化矽的电源管理解决方案正在为此类运输系统提供更高效率。为了进一步扩充其广泛的碳化矽MOSFET分离式和模组产品组合 |
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Microchip抗辐射MOSFET获得商业航太和国防太空应用认证 (2021.06.09)
太空应用电源必须可以承受极端的太空环境，并在抗辐射技术环境中运作无碍，防止遭受到极端粒子相互作用及太阳和电磁事件的影响失效发生事端，导致降低太空系统的效能并干扰运行 |
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三星首款MOSFET冰箱变频器 采用英飞凌600V功率产品 (2021.05.27)
英飞凌科技向三星电子供应具有最高能源效率及最低噪音的功率产品。这些功率装置已整合在三星最新款的单门式(RR23A2J3XWX、RR23A2G3WDX)与FDR(对开式：RF18A5101SR)变频式冰箱 |
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英飞凌改良EasyDUAL CoolSiC MOSFET模组 采用新型AIN陶瓷基板 (2021.05.12)
英飞凌科技利用新型氮化铝(AIN)陶瓷基板，成功改良EasyDUAL CoolSiC MOSFET模组。此半桥式装置有EasyDUAL 1B及EasyDUAL 2B两种封装型式，导通电阻(RDS(on) )各是11mΩ及6mΩ。新款1200V装置采用高性能陶瓷，因此适合高功率密度应用，如太阳能系统、不断电系统、辅助变频器、储能系统及电动车充电器等 |
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ST推出隔离式闸极驱动器 可安全控制碳化矽MOSFET (2021.03.30)
半导体供应商意法半导体（ST）宣布推出STGAP系列隔离式闸极驱动器的最新产品STGAP2SiCS，可安全控制碳化矽（SiC）MOSFET，且作业电源电压高达1200V。
STGAP2SiCS能够产生高达26V的闸极驱动电压，将欠压锁定（UVLO）??压提升到15.5V，满足SiC MOSFET开关二极体正常导电要求 |
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英飞凌新款650V EiceDRIVER整合靴带二极体 强化强固性及快速切换 (2021.03.26)
英飞凌科技宣布扩展旗下EiceDRIVER产品组合，推出全新650V半桥式与高低侧闸极驱动器，采用公司独特的绝缘层上矽(SOI)技术，提供市场最先进的负VS瞬态电压抗扰性与真正靴带二极体的单片整合，因此有助於降低BOM，并在精简的外型尺寸以MOSFET与IGBT打造更强固的设计 |
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英飞凌推出新一代80V与100V功率MOSFET 电源效率再升级 (2021.03.22)
英飞凌科技推出StrongIRFET 2新一代功率MOSFET技术的80V和100V产品。新产品拥有广泛的经销供货通路和出色的性价比，成为设计人员可以便利选购的理想产品。该产品系列针对高、低切换频率进行最隹化，可支援广泛的应用范围，提供高度的设计灵活性，可受益於StrongIRFET的应用包括SMPS、马达驱动、电池充电工具、电池管理、UPS及轻型电动车 |
