德州仪器（TI）日前宣布推出3款双信道输出闸极驱动器，可提升高密度隔离电源效率与可靠度，进一步扩大MOSFET驱动器产品阵营。

TI推出3款双信道输出闸极驱动器。

UCC27210与UCC27211是120 V启动高侧（high-side）与低侧（low-side）双信道输出MOSFET驱动器，提供达4 A的输出电流，且可消除驱动器输入-10 V直流电（VDC）干扰。这两款驱动器提供18 ns传递延迟（propagation delay），支持多重高频率半桥及全桥电源拓朴。这些特性可为100 V突波电压需求的电信、服务器及工业电源设计提高效率与可靠度。

UCC27210与UCC27211的主要技术特性：

•20 V的4 A高侧与低侧驱动器（TTL与伪CMOS兼容输入版本），可驱动N信道高侧与低侧FET。

•0.9 Ω上拉（pull-up）及下拉（pull-down）电阻，可降低MOSFET转换通过米勒平坦区（Miller Plateau）时的开关损耗。

•输入支持-10 V直流电压，不需整流二极管，可直接连接闸极驱动器变压器。

针对二次侧同步整流器MOSFET及IGBT电源开关，TI同时推出5 A双信道低侧驱动器。该UCC27524提供低脉冲失真与高效12 ns传递延迟，6 ns上升时间与1 ns输出延迟比对。该驱动器支持4.5 V至18 V宽泛运作电压，可弹性结合两组输出高达10 A的应用，如驱动马达驱动系统等。

UCC27524的主要技术特性：

•支持高效率5 A峰值源极与汲极驱动器电流。支持4.5 V至18 V宽泛输入。两组输出可并行以支持更高电流的驱动器。

•12 ns标准传递延迟，6 ns标准上升时间，两个信道间仅1 ns标准输出延迟比对。

•采用业界标准8接脚SOIC及PDIP封装。