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强化操作效率 Zetex提升MOSFET功率耗散 (2003.12.22)
Zetex推出全新20V和30V N信道晶体管，将旧型SOT23封装MOSFET的导通电阻减半、漏电流提升一倍，在25°C环境温度下功率耗散由625mW提升至1W。
新的ZXMN2A14F及ZXMN3A14F强化沟道MOSFET，采用Zetex SOT23封装，再加上接点至环境的热阻比旧型SOT23组件低37%，由每瓦特200°C锐减至125°C，这两款组件更可发挥极大的效益 |
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电源启动顺序控制电路设计 (2003.11.05)
有许多应用需要在电源的开关过程中控制它的顺序，电源启动顺序控制能解决避免双载子集成电路在开关机过程中死锁效应的问题，本文将就开关机过程中达成特定周期的数种电源启动顺序控制的设计方式作介绍 |
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三相位转换器之建置与操作 (2002.08.05)
以具有极度瞬间响应（transient response）的低电压供应稳定的电流，是IT电力管理的主要科技驱动器要素。本文将讨论目前提供电力给 GHz 等级与 CPU 时所需要之 DC-DC 转换器的特别要求、多相位拓朴学的优点，以及使用完整三相位同周期脉宽调变调节器集成电路的Intel VRM9.0 的建置情形 |
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合乎成本效益的 20V MOSFET 技术 (2002.06.05)
今日分布式电源供应器工程师所面临的挑战，是必须在尺寸精巧、最低成本的条件下，设计出热、电效能良好的 DC-DC 转换器。本文将讨论如何采用20V MOSFET 取代 30V MOSFET ，以在合乎经济原则的情况下，设计出适用于桌面计算机及服务器的高效率 DC-DC 转换器 |
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合乎成本效益的 20V MOSFET 技术 (2002.06.05)
今日分散式电源供应器工程师所面临的挑战，是必须在尺寸精巧、最低成本的条件下，设计出热、电效能良好的 DC-DC 转换器。本文将讨论如何采用20V MOSFET 取代 30V MOSFET ，以在合乎经济原则的情况下，设计出适用于桌上型电脑及伺服器的高效率 DC-DC 转换器 |
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IR推出20V HEXFET MOSFET (2001.08.23)
国际整流器公司(IR)，全面扩展20V HEXFET功率MOSFET系列，引进10种新款产品，不但以更具成本效率的方式取代高容量桌面计算机中的30V组件，而且效能完全不变。全新20V IRL3714和IRL3715 MOSFET晶体管系列 |
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IR发表新款HEXFET功率MOSFET晶体管系列 (2001.06.06)
IR推出全新HEXFET功率MOSFET晶体管系列
锁定低功率电讯与数据通讯市场
全球供电产品领导事业厂商国际整流器公司（International Rectifier，简称IR），宣布推出产品代号为IRF5802与IRF7465的新型150V与200V MOSFET，不仅进一步扩展SOIC封装的HEXFET功率MOSFET晶体管系列，更能满足电信及数据通讯骨干系统中DC-DC转换器最低功率的需求 |
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具有完全保护功能的功率MOSFET电晶体 (1999.06.29)
STMicroelectronics目前推出其新一代完全自动保护低电压功率MOSFET电晶体的第一个成员，以原OMNIFET系列产品为基础，新的OMNIFET II系列采用了最新的VIPower M0-3技术，可以透过降低导通电阻、缩小架构体积以及更佳的稳固度和崩溃功率处理能力来达到更低的导通功率损耗 |
ITU最主要的工作就是制定无线传输设施的相关规范，例如手机、飞航通讯、航海通讯、卫星通讯系统、广播电台和电视台等无线传输设施，
