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英飞凌推出新一代磁性位置传感器 (2012.11.21)
英飞凌(Infineon) 日前宣布推出新一代霍尔开关 (TLE496x) 和角度传感器（TLE5009 和 TLE5012B），让无刷直流 (BLDC) 马达更节能、设计更为精巧。相较于传统有刷马达，BLDC 马达更有效率、使用周期更长、外型设计更精巧、噪音较小，而且可靠性也更高 |
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电动动力微控制器和变频器设计要点 (2011.01.27)
为加速油电混合车与纯电动车上市时程，缩短简化关键电子元件设计的步骤与架构，并且兼顾电子元件的安全和可靠度，是目前晶片厂商在技术上念兹在兹的重点。本文将以电动动力微控制器和变频器为例，简述电动车电子元件设计的核心要点 |
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DC/DC闸极驱动变压器与完全整合隔离器的比较 (2010.07.20)
近来许多供货商开始以完全整合式的解决方案取代传统的闸极驱动变压器。本文章将会检视使用闸极驱动变压器时所遇到的问题，并说明一些已经开始应用的新型解决方案 |
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英飞凌传感器采用获颁诺贝尔奖的技术 (2007.12.31)
今年的诺贝尔物理奖颁给了巨磁电阻效应的发现者。英飞凌已开始利用这种效应，测量汽车中的转向角度，是全球第一家开始量产整合式巨磁电阻传感器(iGMR)的半导体供货商 |
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检视STT-RAM记忆体应用优势 (2007.10.19)
旋转力矩转移随机存取记忆体（STT-RAM）是一种透过自旋电流移转效应所开发而出的新记忆体技术，属于非挥发性记忆体的一种，其应用优势包括无限次数的读写周期、低耗电，以及运算速度更快等，更适合嵌入式设计应用 |
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光电所发表穿隧巨磁电阻效应机制自旋晶体管技术 (2004.04.05)
工研院光电所日前宣布成功研发奈米级技术──穿隧巨磁电阻效应机制自旋晶体管（Spin transistor），该技术为我国自行研发，且磁电流变化率更是凌驾世界水平，目前正申请欧、美、日等国专利，预期将可带动台湾自旋电子产业发展，以争取广大商机 |
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工研院光电所开发出室温高效益自旋晶体管技术 (2004.04.02)
奈米自旋晶体管是目前非常新颖及极具市场潜力之明星产品，工研院光电所于新竹工研院中兴院区举办「自旋晶体管成果发表会」，会中展示已成功研发出之穿隧巨磁电阻效应机制的自旋晶体管 |
