 |
原子層沉積技術有助推動半導體製程微縮 (2025.02.08)
隨著半導體製程技術的持續進步，晶片微縮已達到物理極限，傳統的光刻技術面臨挑戰。在此背景下，原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD）技術因其薄膜沉積精度，成為推動半導體微縮的關鍵技術之一 |
|
[半導體展] 經部發表52項前瞻技術 2奈米鍍膜設備首亮相 (2023.09.07)
經濟部於「SEMICON TAIWAN 2023」開幕首日舉行的科專成果主題館（展位：N0476）開幕儀式中，發表多項全球領先技術，包括「全球散熱能力最強的相變化水冷技術」，可達全球最高千瓦散熱水準，超越目前散熱技術1倍以上，符合未來AI與資料中心建置需求，現已與一詮精密合作生產，順利交貨由多家國際AI晶片大廠驗證中 |
|
田中貴金屬確立液體釕前驅物2段成膜製程 助10nm以下微縮 (2022.06.24)
田中貴金屬工業株式會社宣布，確立液體釕（Ru）前驅物「TRuST」的2段成膜製程。「TRuST」是前驅物，對氧和氫兩者具備良好的反應性，能夠形成高純度的釕膜。本製程是一種2段ALD成膜製程（ALD＝Atomic Layer Deposition），先利用氫成膜形成較薄的防氧化膜，再以氧成膜實現高品質的釕膜 |
|
默克以創新材料驅動先進半導體微型化發展 (2020.09.24)
默克今日在SEMICON Taiwan 2020分享半導體科技趨勢與技術演進。默克在電子材料領域具百年根基，並擁有能推進下世代製程技術、晶片與應用領域之材料解決方案實力。繼去年宣布併購慧盛先進科技和Intermolecular公司後 |
|
儀科中心攜手天虹科技 打造12吋叢集式原子層沉積ALD設備 (2020.09.08)
國家實驗研究院台灣儀器科技研究中心（國研院儀科中心）表示，台灣半導體產業是政府六大核心戰略產業發展重點之一。日前國研院與台灣半導體設備供應商天虹科技股份有限公司合作 |
 |
3D FeFET角逐記憶體市場 (2019.11.25)
愛美科技術總監Jan Van Houdt解釋FeFET運作機制，以及預測這項令人振奮的「新選手」會怎樣融入下一代記憶體的發展藍圖。 |
|
延續摩爾定律 默克大力研發創新半導體材料 (2016.09.14)
摩爾定律正面臨技術瓶頸，半導體業者微縮製程日益困難，先進的封裝技術日益重要。看準此一機會，先進半導體材料供應商Merck（默克）近年來積極研發先進製程材料，且大舉併購了AZ Electronic Materials（安智電子材料）、SAFC Hitech（賽孚思科技），以及Ormet Circuits，以提供客戶更完整的解決方案 |
 |
單元六：真空鍍膜設備之真空零組件及原子層沉積技術 (2012.08.30)
課程介紹
本課程將介紹真空鍍膜設備之各種真空零組件，如真空邦浦、真空法蘭、管接頭、真空閥門、氣體閥、真空計等，以及其相關應用，讓學員了解真空鍍膜設備之各種真空零組件及其應用，增進職場真空技能知識 |
|
單元五：OLED元件與量測分析實作 (2012.08.16)
課程介紹
實驗室實際操作課程，限額20人，名額有限，請速報名！！
本課程將帶學員進入工研院中興院區實驗室，實際介紹與操作OLED製作流程及量測分析系統，期讓學員了解OLED元件的製作過程與量測分析系統技術，並以實際操作經驗，由講師現場解惑，協助學員掌握OLED製程及量測的完整概念 |
|
單元三：超低色溫OLED元件產業應用、量測與實作 (2012.07.19)
課程介紹
實驗室實際操作課程，限額20人，名額有限，請速報名！！
照明光源有高色溫與低色溫之別，雖然白天適合使用高色溫、藍光多的白光，但若入夜後繼續使用高色溫或含有高度藍光的光源，將影響褪黑激素，除了失眠、生理失序，甚至可能引發諸多癌症，超低色溫則可降低罹癌風險，改善夜間照明 |
|
單元二：高效率(橘或黃光)OLED元件結構設計、量測與實作 (2012.07.05)
課程介紹
實驗室實際操作課程，限額20人，名額有限，請速報名！！
本課程將深入淺出剖析OLED可侵入性現有產業技術之特質，介紹發光元件效率的理論上限以及高效率OLED的設計原理，而從OLED特具的侵入性優勢，可以了解此一技術未來的特色產品、市場方向；對高效率OLED設計的了解，可以掌握發展OLED產業的關鍵所在 |
|
OLED關鍵製程、設備與量測分析技術系列課程 (2012.06.21)
課程介紹
顯示器面板產業近來相當熱門的OLED技術，早在2001年日本就率先應用於手機面板，而隨著韓國在製程與良率的急起直追，目前的OLED設備與製程是分別由日本及韓國領先的局面；但隨著未來OLED面板面臨大型化 |
 |
原子層沉積複雜的奈米結構合成與表面工程-原子層沉積複雜的奈米結構合成與表面工程 (2012.01.18)
原子層沉積複雜的奈米結構合成與表面工程 |
|
In2S3的原子層沉積和太陽能轉換為二氧化鈦奈米管陣列及其敏化應用-In2S3的原子層沉積和太陽能轉換為二氧化鈦奈米管陣列及其敏化應用 (2011.12.08)
In2S3的原子層沉積和太陽能轉換為二氧化鈦奈米管陣列及其敏化應用 |
|
高貴的金屬薄膜的原子層沉積-高貴的金屬薄膜的原子層沉積 (2011.11.28)
高貴的金屬薄膜的原子層沉積 |
|
奈米膜為非晶氧化物半導體薄膜晶體管的高 κ 柵門電介質的原子層沉積-奈米膜為非晶氧化物半導體薄膜晶體管的高 κ 柵門電介質的原子層沉積 (2011.09.26)
奈米膜為非晶氧化物半導體薄膜晶體管的高 κ 柵門電介質的原子層沉積 |
|
原子層沉積二氧化鈦在光波導應用-原子層沉積二氧化鈦在光波導應用 (2011.07.29)
原子層沉積二氧化鈦在光波導應用 |
|
原子層沉積氧化鋁為表面鈍化的高效率多晶矽太陽能電池-原子層沉積氧化鋁為表面鈍化的高效率多晶矽太陽能電池 (2011.07.15)
原子層沉積氧化鋁為表面鈍化的高效率多晶矽太陽能電池 |
|
原子層沉積層中的微機電制程-原子層沉積層中的微機電制程 (2011.05.30)
原子層沉積層中的微機電制程 |
|
原子層沉積ZnS電致發光，SrS，薄膜BaS-原子層沉積ZnS電致發光，SrS，薄膜BaS (2011.01.21)
原子層沉積ZnS電致發光，SrS，薄膜BaS |
