隨著半導體製程技術的持續進步，晶片微縮已達到物理極限，傳統的光刻技術面臨挑戰。在此背景下，原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD）技術因其薄膜沉積精度，成為推動半導體微縮的關鍵技術之一。

ALD是一種氣相化學沉積技術，透過交替注入不同的氣體前驅物，並在每次注入後進行氣體去除，實現每次沉積一個原子層的薄膜。這種精確的控制使得ALD能夠在各種基材上均勻地沉積薄膜，厚度可精確控制在原子層級別。

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隨著製程技術的進步，半導體元件的尺寸不斷縮小，對薄膜沉積的精度和均勻性提出了更高的要求。ALD技術因其優異的薄膜質量和精確的厚度控制，成為滿足先進製程需求的理想選擇。特別是在高介電常數（High-k）材料、金屬閘極（Metal Gate）以及三維結構（如FinFET）的製程中，ALD技術展現出無可比擬的優勢。

近期，ALD技術在半導體製程中的應用取得了顯著進展。多家半導體製造商已將ALD技術應用於先進製程節點，如7奈米、5奈米甚至更小的製程中。此外，ALD技術在新材料的開發和應用方面也取得了突破，為未來半導體元件的微縮提供了更多可能性。

由於半導體產業對更高性能和更小尺寸元件的需求不斷增加，ALD技術在推動半導體微縮方面的作用將愈發重要。未來，ALD技術有望在新材料的開發、製程技術的創新以及元件結構的優化等方面發揮更大的作用，為半導體產業的持續發展提供強大的技術支持。