CTIMES - 寬能隙半導體

Power Integrations推1700V氮化鎵切換開關IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的單級、獨立穩壓多路輸出離線式電源供應器 IC 的新成員。新裝置採用了業界首款透過該公司專有 PowiGaN 技術製造的 1700 V 氮化鎵切換開關

德州儀器擴大氮化鎵半導體內部製造作業將自有產能提升至四倍 (2024.10.25)
德州儀器（TI）已開始在日本會津的工廠生產氮化鎵（GaN）功率半導體。隨著會津廠進入生產，加上位於德州達拉斯的現有GaN製造作業，TI 現針對GaN功率半導體的自有產能可增加至四倍之多

格棋化合物半導體中壢新廠落成攜手中科院強化高頻通訊技術 (2024.10.23)
格棋化合物半導體中壢新廠落成，同時宣布與國家中山科學研究院（中科院）合作，雙方將共同強化在高頻通訊技術領域的應用。此外，格棋也和日本三菱綜合材料商貿株式會社簽署合作協議，雙方將致力於擴大日本民生用品和車用市場的布局

ASM雙腔體碳化矽磊晶平台滿足先進碳化矽功率元件領域需求 (2024.10.07)
ASM 發布了全新PE2O8碳化矽磊晶系統。這款雙腔體碳化矽（SiC）磊晶（Epi）平台旨在滿足先進碳化矽功率元件領域的需求，具備低缺陷率、高製程穩定性，成為業界標竿。PE2O8具備更高的產量和較低的擁有成本，促進了碳化矽元件的更廣泛應用

ROHM與UAES簽署SiC功率元件長期供貨協議 (2024.09.05)
半導體製造商ROHM與中國車界Tier1供應商—聯合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems，UAES）簽署了SiC功率元件的長期供貨協議。 UAES和ROHM自2015年開始技術交流以來，雙方在SiC功率元件的車載應用產品開發方面也建立了合作夥伴關係

意法半導體於義大利打造世界首座一站式碳化矽產業園區 (2024.06.24)
意法半導體（STMicroelectronics，ST），將於義大利卡塔尼亞打造一座結合8吋碳化矽（SiC）功率元件和模組製造、封裝、測試於一體的綜合性大型製造基地。透過整合同一地點現有之碳化矽基板製造廠，意法半導體將打造一個碳化矽產業園區，達成在同一個園區內全面垂直整合製造及量產碳化矽之願景

安森美於捷克打造端到端碳化矽工廠完備先進功率半導體供應鏈 (2024.06.20)
電氣化、再生能源和人工智慧是全球大勢所趨，激發了市場對可最佳化能源轉換和管理的先進功率半導體的空前需求。為滿足這些需求，安森美採取了戰略舉措，宣佈將在捷克建造先進的垂直整合碳化矽 (SiC) 製造工廠

Power Integrations收購Odyssey 為GaN技術的持續發展提供支援 (2024.05.08)
Power Integrations這家節能型電源轉換領域的高壓積體電路領導廠商，宣佈收購垂直氮化鎵 (GaN) 電晶體技術開發者 Odyssey Semiconductor 的資產。這項交易預計將於 2024 年 7 月完成，之後 Odyssey 的所有重要員工預期會加入 Power Integrations 的技術組織

意法半導體碳化矽協助理想汽車加速進軍高壓純電動車市場 (2024.01.05)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）與中國新能源汽車商理想汽車簽立一項碳化矽（SiC）長期供貨協議，而意法半導體將為理想汽車提供碳化矽MOSFET，支援理想汽車進軍高壓電池純電動車市場的策略

ST開啟再生能源革命攜手自然迎接能源挑戰 (2024.01.02)
隨著全球能源需求於2030年預計將增長30%，同時碳排放量目標擴大至減少45%（控制全球暖化在攝氏1.5℃以內），再生能源正成為攸關人類未來的重要議題。回顧十年前，人們只顧擔憂石油、煤炭和天然氣等資源何時枯竭，但現在人們轉變思維，更注重人類在地球上的永續生存方式

Transphorm與偉詮電子合作開發氮化鎵系統級封裝元件 (2023.12.28)
Transphorm與Weltrend Semiconductor（偉詮電子）合作推出100瓦USB-C PD電源適配器參考設計。該參考設計電路採用兩家公司合作開發的系統級封裝（SiP）SuperGaN電源控制晶片WT7162RHUG24A，在准諧振反激式（QRF）拓撲中可實現92.2%的效率

TI：擴大低功率GaN產品組合實現AC/DC電源供應器體積縮小50% (2023.12.04)
德州儀器（TI）擴大其低功率氮化鎵 (GaN) 產品組合，旨在協助提升功率密度、最大化系統效率，以及縮小 AC/DC 電源供應消費電子和工業系統的尺寸。TI 具備整合式閘極驅動器的 GaN 場效應電晶體 (FET) 整體產品組合，可解決常見的散熱設計挑戰，讓供應器維持低溫，同時以更小的體積推動更大功率

蔚華與南方科技合作非破壞性SiC檢測系統搶攻化合物半導體商機 (2023.11.28)
蔚華科技與旗下數位光學品牌南方科技合作，共同推出業界首創的JadeSiC-NK非破壞性缺陷檢測系統，採用先進非線性光學技術對SiC基板進行全片掃描，找出基板內部的致命性晶體缺陷，用以取代現行高成本的破壞性KOH（氫氧化鉀）蝕刻檢測方式，可提升產量並有助於改善製程

意法半導體GaN驅動器整合電流隔離功能兼具安全性和可靠性 (2023.11.13)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）推出首款具有電流隔離功能的氮化鎵（GaN）電晶體閘極驅動器，新款STGAP2GS縮小了晶片尺寸，同時降低物料清單成本，能夠滿足應用對寬能隙晶片的效能以及安全性和電氣保護的更高需求

英飛凌完成收購GaN Systems 成為氮化鎵龍頭企業 (2023.10.25)
英飛凌科技宣佈完成收購 GaN Systems 公司。這家總部位於加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉換解決方案產品組合和領先的應用技術。已獲得所有必要的監管部門審批，交易結束後，GaN Systems 已正式成為英飛凌的一部分

羅姆集團馬來西亞工廠新廠房竣工強化類比IC產能 (2023.10.25)
半導體製造商ROHM為了加強類比IC的產能，在其馬來西亞製造子公司ROHM-Wako Electronics（Malaysia）Sdn. Bhd.（以下稱 RWEM）投建了新廠房，已經於近日竣工並舉行了竣工儀式。 RWEM之前主要生產二極體和LED等小訊號產品，新廠房建成後則計畫生產絕緣閘極驅動器（類比IC的重點產品之一）

格棋化合物半導體掌握碳化矽晶體成長技術完成A輪募資新台幣15億元整 (2023.10.24)
掌握碳化矽（SiC）單晶晶體成長技術、同時具備6吋和8吋晶體製程能力的新創公司格棋化合物半導體股份有限公司（GCCS）宣佈，近期成功完成新台幣15億元的A輪募資，並將持續投資先進晶體研發與製程優化技術

PI以IC顛峰效率為aCentauri太陽能賽車隊執行關鍵任務功能 (2023.10.23)
Power Integrations這家節能功率轉換之高壓積體電路領域的領導廠商，將為 aCentauri 車隊提供先進的 PowiGaN 氮化鎵 (GaN) 技術、專家設計支援和財務贊助，協助他們參加本月下旬舉辦的 3,000 公里普利司通世界太陽能車挑戰賽

英飛凌與英飛源合作拓展新能源汽車充電市場 (2023.09.25)
基於碳化矽（SiC）的功率半導體具有高效率、高功率密度、高耐壓和高可靠性等諸多優勢，為實現新應用和推進充電站技術創新創造了機會。近日，英飛凌科技宣佈與中國的新能源汽車充電市場相關企業英飛源 (INFY) 達成合作

宜普：氮化鎵將取代650伏特以下MOFEST市場規模約數十億美元 (2023.09.04)
隨著氮化鎵（GaN）技術在各產業中扮演起重要的角色，中國政府已積極透過資助計畫、研發補助以及激勵政策等方式來支持氮化鎵技術在中國的發展。此外，中國近年來出現了許多專注於研發氮化鎵的公司，並且包括復旦大學、南京大學、浙江大學及中國科學院等大學或研究機構也積極地投入氮化鎵相關領域的研究及發展