 |
華邦電子TrustME安全快閃記憶體結合ARM平台安全架構 (2017.10.24)
華邦電子推出與ARM平台安全架構密切結合的安全快閃記憶體，大幅擴展華邦TrustME安全快閃記憶體的產品組合延伸。
擁有共同準則 (Common Criteria) EAL5+認證的安全非揮發性記憶體，TrustME W75F支援ARM PSA，為SoC和MCU的設計業者提供高度安全可靠的解決方案於物聯網（IoT）、手機、人工智慧和其他高安全需求的應用領域 |
 |
捷鼎國際推出新款全NVMe快閃記憶體儲存陣列 (2017.08.02)
軟體定義全快閃記憶體儲存陣列供應商捷鼎國際 (AccelStor) 推出全新的高可用性全 NVMe快閃記憶體儲存陣列NeoSapphire H810，搭配捷鼎國際獨家FlexiRemap快閃記憶體導向的軟體技術，此款機型提供高效能、耐用性和容量，加速人工智慧時代的演進 |
|
Western Digital發表可應用於3D NAND的X4技術 (2017.07.31)
全球儲存技術和解決方案供應商Western Digital公司發表開發出適用於64層3D NAND (BiCS3) 的X4 (每單元4位元) 快閃記憶體架構技術。憑藉之前開拓創新的X4 2D NAND 技術、成功商品化的經驗及深厚扎實的垂直整合能力，Western Digital再次成功研發推進適用於3D NAND的X4架構技術 |
|
群聯電子竹南三期廠辦正式啟用 (2017.06.19)
快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片解決方案廠商群聯電子於竹南基地舉行三期廠辦啟用典禮，由潘健成創辦人暨董事長親自主持，並與歐陽志光總經理、楊俊勇監察人、許智仁技術副總、伍漢維經理等4位共同創辦人，以及鄺宗宏副總率先開幕剪綵恭迎眾貴賓 |
|
慧榮發佈首款SD 5.1控制晶片解決方案 (2016.11.22)
慧榮科技（Silicon Motion Technology）宣佈該公司的旗艦級產品SM2703 SD控制晶片現能支援高達2000/800 IOPS的最快隨機讀/寫效能，符合最新SD 5.1規範中的A1（Application Performance Class 1）標準 |
|
瑞薩電子開發90奈米單電晶體MONOS快閃記憶體技術 (2016.02.26)
瑞薩電子（Renesas）宣佈開發90奈米（nm）單電晶體MONOS (1T-MONOS)快閃記憶體技術，可結合各種製程如CMOS與雙極CMOS DMOS（BiCDMOS），並提供高程式/抹除(P/E)耐受性及低重寫耗電量 |
|
Atmel全新8位tinyAVR擁有1kB快閃記憶體 (2016.02.24)
Atmel公司在2016年德國嵌入式系統展（Embedded World 2016）上宣佈，推出帶有1kB快閃記憶體的低功耗8位MCU。全新ATtiny102/104 MCU的運行速度最高可達12 MIPS（每秒百萬條指令），並整合了此前僅在大型MCU上擁有的特性，使它們成為小型應用的理想之選，這些應用包括邏輯置換以及消費、工業和家庭自動化市場的最新成本優化應用 |
|
捷鼎國際發表旗艦級NeoSapphire 3413全快閃記憶體儲存陣列 (2016.02.19)
軟體定義全快閃記憶體儲存陣列供應商捷鼎國際（AccelStor）發表全新NeoSapphire 3413 旗艦級全快閃記憶體儲存陣列，其效能可持續維持在600K IOPS範圍（4KB 隨機寫入）。可用容量高達13TB的 NeoSapphire 3413 儲存設備透過標準的2U機架、 iSCSI 10GbE網路介面提供強力的儲存效能 |
|
Lexar發表新一代 Professional 1800x microSD UHS-II 記憶卡 (2016.01.13)
全球快閃記憶體品牌Lexar（雷克沙）發表新一代Lexar Professional 1800x microSDHC 和microSDXC UHS-II記憶卡，其讀取傳輸速度每秒高達 270MB。新一代 microSD記憶體專為運動攝錄影機、航空攝影機、平板電腦和智慧型手機所設計，利用 Ultra High Speed II（U3技術），能更快速地擷取、播放和傳輸高品質的影音和相片 |
|
Xilinx推出LDPC錯誤校正IP基礎 (2015.08.13)
美商賽靈思（Xilinx）推出低密度奇偶校驗（Low-Density Parity-Check；LDPC）錯誤校正IP基礎，為雲端與資料中心儲存市場實現各種新一代快閃型應用。由於各種3D NAND技術讓NAND快閃記憶體不斷精進，LDPC錯誤校正已然成為一項關鍵的核心功能以因應現今儲存解決方案對可靠度和耐用度的嚴格要求 |
|
東芝16顆粒堆疊式NAND快閃記憶體搭載TSV技術 (2015.08.07)
東芝公司（Toshiba）宣布研發出運用矽穿孔（TSV）技術的16顆粒（最大）堆疊式NAND快閃記憶體。東芝將於8月11~13日在美國聖克拉拉舉行的2015年快閃記憶體高峰會（Flash Memory Summit 2015）上展示其原型 |
|
東芝為微控制器和無線通訊積體電路開發新製程技術 (2015.07.09)
（日本東京訊）東芝公司（Toshiba）宣布，該公司已根據使用小於當前主流技術功率的65奈米邏輯製程開發了快閃記憶體嵌入式製程，以及採用130奈米邏輯及類比電源製程開發了單層多晶矽非揮發性記憶體（NVM）製程 |
|
宜鼎國際工控模組全新升級，推出高IOPS全系列產品 (2015.05.19)
工控儲存廠商宜鼎國際（Innodisk）新一代3ME3模組產品系列升級自3ME系列，採用先進控制器，及針對工業電腦應用所設計的韌體，搭配A19奈米製程的原廠高品質同步快閃記憶體，可讓微型模組效能大幅提升 |
|
SST和GLOBALFOUNDRIES宣布汽車級55nm嵌入式快閃記憶體技術獲認證 (2015.05.15)
‧SST的 SuperFlash技術與GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx結合，實現低功耗、低成本、高可靠度、資料保存性能和高耐用度兼備的客戶解決方案
‧因應智慧卡、NFC、IoT、MCU和汽車1級標準應用方面的客戶需求不斷增長 |
|
瑞薩電子開發28奈米嵌入式快閃記憶體技術 (2015.05.15)
瑞薩電子（Renesas）宣布已開發全新快閃記憶體技術，可達到更快的讀取與覆寫速度。這項新的技術是針對採用28奈米（nm）嵌入式快閃記憶體（eFlash）製程技術的晶片內建快閃記憶體微控制器（MCU）所設計 |
 |
MTBF提升25% + HGST SAS SSD =整體優越效能 (2015.05.14)
隨著不斷增長的資料量，可否能有效且可靠地儲存與讀取資料成為了企業的競爭關鍵。數據資料中的資訊能協助做出更快速且明智決策，提供各行各業寶貴的洞見... |
|
TDK推出支持串行ATA 6Gbps的高可靠性固態硬碟SDS1B系列 (2015.05.11)
（日本東京訊）TDK株式會社將於2015年8月開始發售搭載有可支持串行ATA 6Gbps的NAND型快閃記憶體控制IC GBDriver GS1的2.5inch型工業用固態硬碟SDS1B系列產品。
近年來，以OS的高容量化及4K、8K全高畫質數位播放為代表的高畫質大容量數據的儲存等都逐漸要求儲存器實現高速、大容量的用途 |
|
2015數據資料將如何發展? (2015.02.24)
數據資料是新型經濟的貨幣，數量不曾如此之多，亦不曾如此重要。
應用程式、裝置與資料類型等不斷地增加，再加上物聯網(IoT)的應用，現在人們創造與複製的資料量每兩年增加一倍 |
|
意法半導體新款STM32F3微控制器高達512KB快閃記憶體容量 (2015.02.10)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）的STM32F3系列微控制器再添新成員，滿足市場對高性能、創新功能及價格實惠要求。新微控制器的記憶體容量增至512KB快閃記憶體（Flash）以及80KB靜態隨機存取記憶體（SRAM），並整合豐富的周邊設備介面，其中包括高速控制器及晶片外（off-chip）記憶體介面 |
|
意法半導體推出多款超值型系列微控制器款新品 (2015.02.05)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）全面升級STM32F0 超值型系列ARM Cortex-M0微控制器的功能。為了擴大對成本導向的消費性電子、智慧能源、通訊閘道和物聯網等應用的支援，新產品增加了USB介面，並搭載更高的快閃記憶體容量 |
