CTIMES - ESD

英飛凌針對GPS應用程式推出新接收前端模組 (2008.10.23)
英飛凌科技推出全球最小的「GPS 接收前端模組」(GPS Receive Front-End Module)。全新 BGM681L11模組內含可放大GPS訊號、過濾雜訊干擾的各項重要元件，體積僅3.75 mm³，僅約其他同類產品的三分之一

可攜式醫療電子系統設計 (2008.10.07)
除了斷層掃描（CT Scan）、核磁共振掃瞄（MRI Scan）、正子掃瞄（PET Scan）等醫療影像系統外，幾乎各式醫療電子皆已具備可攜性。一套可攜式醫療電子運作主軸在於感測器、放大器、運算放大器、一路到微控器間的過程，而依據不同應用的差異設計也非常重要

ON推出低電容靜電放電保護陣列 (2008.10.06)
安森美半導體(ON)推出低電容靜電放電(ESD)保護產品線的兩款新產品。這些新產品採用安森美半導體獲得專利的先進整合ESD保護平臺，增強鉗位性能，並維持超低電容和極小裸片尺寸

Vishay推出高強度白光功率SMD LED (2008.09.23)
Vishay推出首款採用CLCC-6及CLCC-6扁平陶瓷封裝的高強度白光功率SMD LED，提供基於藍寶石 InGaN/TAG技術、2240mcd至5600mcd的高光功率。新型VLMW63..系列採用CLCC-6封裝且具有低達50k/W的低熱阻，而採用CLCC-6扁平封裝的VLMW64.. 系列則具有40k/W低熱阻及0.9mm超薄厚度，這兩大系列都設計用於降低大容量應用的成本

Microchip推出符合汽車製告商標準之全新收發器 (2008.09.17)
微控制器及類比元件供應商Microchip，推出MCP2021及MCP2022(MCP202X) LIN/SAE J2602收發器。兩款元件均已獲第三方LIN/J2602以及原始設備製造商的認可，並通過了AEC-Q100標準認證，完全符合全球汽車製造商的嚴峻標準

英國威格斯深耕台灣半導體產業供應鏈 (2008.09.09)
VICTREX PEEK聚合物、VICOTE塗料和APTIV薄膜等高性能材料的全球製造商英國威格斯公司(Victrex plc)宣佈，將於台灣半導體設備暨材料展(SEMICON Taiwan 2008)發表其應用於半導體產業的產品與技術成果

Avago推出新一代高增益GPS低雜訊放大器 (2008.09.04)
Avago Technologies(安華高科技)宣佈，推出新一代整合濾波器的高增益GPS低雜訊放大器(LNA, Low Noise Amplifier)。在2.7V與6mA的典型運作條件下，Avago高度整合的ALM-1612 LNA/濾波器模組可以提供令人驚豔的效能表現，包括0.9dB的雜訊指數、18dB的增益、+2dBm的輸入第三階截點(IIP3)以及超過65dBc的行動通訊Cell/PCS頻帶拒斥能力

快捷針對I2C應用推出電壓轉換器 (2008.08.28)
快捷半導體（Fairchild Semiconductor）為設計人員提供內置積體電路（Inter-Integrated Circuit；I2C）的電壓轉換器FXM2IC102，在寬泛的電壓範圍（1.65V 到 5.5V) 內工作，以適應I2C和低電壓應用的要求

Vishay推出高強度新款黃色及黃色SMD LED (2008.08.28)
Vishay推出採用CLCC-2扁平陶瓷封裝且具有400mA驅動電流的首個高強度淡黃色及黃色功率SMD LED系列。強大可靠且具有高光效率的VLMK82..與VLMY82..器件具有20K/W的低熱阻以及5600mcd～14000mcd的高光功率，主要面向熱敏應用

Vishay推出新款p通道功率MOSFET系列 (2008.08.21)
Vishay推出採用PowerPAK SC-75封裝的p通道功率MOSFET系列，該系列包括額定電壓介於8V～30V的多個器件，這些是採用此封裝類型的首批具有上述額定電壓的器件。日前推出的這些器件包括首款採用PowerPAK SC-75封裝的-12V(SiB419DK)及-30V(SiB415DK)單p通道功率MOSFET

Vishay推出專業汽車用薄膜晶片電阻 (2008.08.14)
Vishay宣佈推出採用0603封裝尺寸的專業汽車用薄膜晶片電阻，該電阻結合了高達+175°C（1000小時）的高工作溫度以及先進額定功率。大多數薄膜晶片電阻在+70°C的環境溫度下額定功率為100mW，而MCT 0603 AT在+85°C時額定功率規定為150mW

Vishay推出Bulk Metal Z箔卷型表面貼裝電阻 (2008.08.14)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型VSMP0603超高精度Bulk MetalZ箔(BMZF)卷型表面貼裝電阻。該器件採用0603芯片尺寸的產品，當溫度範圍在−55°C至+125°C（參考溫度為+25°C）時，可提供±0.2 ppm/°C的軍用級絕對TCR、±0.01%的容差以及1納秒的快速響應時間（幾乎不可測量），且無振鈴

Vishay推出新型VPR220Z超高精度Z箔電阻 (2008.08.06)
Vishay推出新型VPR220Z超高精度Z箔電阻。這款新型器件在0°C～+60°C的溫度範圍內具有±0.05 ppm/°C的工業級絕對TCR、在−55°C～+125°C（+25°C 參考溫度）的範圍內具有±0.2ppm/°C的絕對TCR、在+25°C時具有8W的額定功率（按照 MIL-PRF-39009規範，在自由空氣中為1

TI推出HDMI及DisplayPort設計之ESD解決方案 (2008.08.04)
德州儀器(TI)宣佈推出一款專為高畫質多媒體介面(HDMI)及DisplayPort轉接器設計的靜電放電(ESD)解決方案，可為8個高速差動通道提供穩定可靠的系統級ESD保護。TPD8S009的直通式、單列式接腳映射選擇功能，不僅使電路板配置最佳化，更有效降低電磁干擾對裝置的影響

英飛凌推出最低雜訊係數GPS專用低雜訊放大器 (2008.08.01)
英飛凌科技公司日前於日本電信展(EXPO COMM WIRELESS JAPAN)宣佈推出業界最低雜訊係數的GPS專用高靈敏度LNA（低雜訊放大器），為其眾多的產品系列新添生力軍。這款名為BGA715L7的元件符合手機設計在高靈敏度與手機訊號干擾的需求，耗電功率超低僅僅只有5.94 mW，並且在1.8伏特電壓下即可操作

Vishay推出改進的S系列高精度Bulk Metal箔電阻 (2008.07.31)
Vishay宣佈推出改進的S系列高精度Bulk Metal 箔(BMF)電阻，這些電阻在-55°C～+125°C（+25°C 參考點）時具有±2 ppm/°C的軍用級典型TCR、±0.005%的容差，以及超過10,000小時的±0.005%負載壽命穩定性

提供過電流、過溫度與過電壓的保護機制 (2008.07.31)
在創新的熱保護裝置中，可在過電流情況發生時提供可復位的電流限制，並於過電壓的情況下提供電壓箝制能力。此一整合型解決方案可確保廠商的產品符合業界測試標準、減少元件數量並提高設備可靠性

40奈米製程邏輯元件的開發與實踐 (2008.07.31)
邏輯元件進展到40奈米節點將可得到摩爾定律在增進密度與效能中所預期的效益。本文為Altera公司開發40奈米FPGA所實踐的成果說明，在與先進晶圓代工廠配合下解決了效能、功耗與製造良率的問題

快捷電壓轉換器可簡化SD卡應用設計 (2008.07.24)
快捷半導體（Fairchild Semiconductor）推出專為安全數位（SD）應用的設計人員而設計，能夠簡化其設計的低電壓、雙電源SD介面電壓轉換FXL2SD106，具備內置的自動方向控制功能，可讓元件感測和控制資料流動的方向，而無需方向控制接腳

Vishay推出新型VSA101軸向Bulk Metal Z箔電阻 (2008.07.17)
為滿足在高可靠性應用中對超高精度電阻的需求，Vishay推出新型VSA101軸向Bulk Metal Z箔電阻。這款新型器件在0°C～+60°C以及−55°C～+125°C（+25°C參考溫度）的溫度範圍內分別具有±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C的低絕對TCR、額定功率時±5 ppm 的出色PCR（“R，由於自加熱”）、±0.005%的容差，以及±0.005%的負載壽命穩定性