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CTIMES / 宜普電源
科技
典故
计算机病毒怎么来的?

计算机病毒最早的概念可追溯回1959年一种叫做 「磁蕊大战」(core war)的电子游戏,这种游戏的意义在于,程序是可以自我大量复制的,并可与其他程序对抗进行破坏,造成计算机软、硬件的损毁。而后在1987年,C-Brain程序会吃盗拷者的硬盘空间,C-Brain的恶性变种就成为吃硬盘的病毒。
宜普电源推出高频单片式氮化镓半桥功率电晶体 (2017.06.12)
宜普电源推出高频单片式氮化镓半桥功率电晶体 EPC2111氮化镓半桥功率电晶体?明系统设计师实现具高效率的负载点系统应用,在14 A、12 V转至1.8 V、5 MHz开关时实现超过85%效率,及在10 MHz开关时实现超过80%效率
Tektronix 提出隔离量测标准 (2017.05.24)
Tektronix 提出隔离量测标准 Tektronix 提出隔离量测标准 IsoVu 量测系统在 APEC 2016 展会上首次亮相时即获得广泛的好评。 Panasonic Semiconductor Solutions 的Daijiro Arisawa表示:「市场上显然需要一种新的探棒技术,使我们能够对高端电压进行直接量测
EPC eGaN技术在性能及成本上实现质的飞跃 (2017.03.17)
全球增?型氮化镓电晶体厂商、致力于开发创新的矽基功率场效应电晶体(eGaN FET)及积体电路的宜普电源转换公司(EPC)推出全新的EPC2045(7微欧姆、100 V)及EPC2047(10 微欧姆、200 V)电晶体,在提升产品性能的同时也可以降低成本
CES 2017:宜普电源展示基于eGaN技术的多元化应用 (2017.01.04)
宜普电源转换公司(EPC)将于国际消费电子展(CES 2017)展示氮化镓(GaN)技术是众多最新应用的主要技术,包括自动驾驶车、不使用电源线的未来家居、联网汽车及于药丸内的微型X光系统以非侵入式方法进行结肠镜检查等应用
宜普电源推出全新增?型氮化镓功率电晶体 (2015.08.27)
宜普电源(EPC)推出EPC2039功率电晶体。该产品是一种具备高功率密度的增?型氮化镓(eGaN)功率电晶体,其尺寸只是1.82mm2、80 VDS、6.8 A及在闸极上施加5 V电压时的最大阻抗? 22 微欧姆
宜普演示板采用氮化镓场效应晶体管实现音频高效 (2015.02.06)
宜普电源转换公司(EPC)推出新款采用具备高频开关性能的氮化镓功率晶体管的D类音频放大器参考设计(EPC9106)采用 Bridge-Tied-Load(BTL)设计,包含四个接地的半桥输出功率级电路,使得设计可以升级及扩展
宜普电源推出单片式氮化镓半桥功率晶体管 (2015.01.23)
宜普电源转换公司(EPC)推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)增强型单片式氮化镓半桥元件。可推动48 V转12 V降压转换器在20 A输出电流下实现超过97%的系统效率。在于透过整合两个eGaN功率场效应电晶体而成为单个元件可以除去印刷电路板上元件之间的相连电感及空隙,使电晶体的占板面积减少50%
宜普电源推出450 V增强型氮化镓功率晶体管 (2015.01.15)
具备4奈秒上升时间特性的450 V氮化镓场效应功率晶体管(eGaN FET)并适合于高频直流-直流转换器及医疗诊断仪器的应用。 宜普电源(EPC)推出450 V并通常处于关断状态的增?型功率晶体管(EPC2027),可用于需要高频开关的应用,从而实现更高的效率及功率密度
宜普电源推出单片半桥式氮化镓功率晶体管 (2014.12.09)
为了协助功率系统设计增加效率与功率密度,宜普电源转换公司(EPC)推出60 V单片半桥式氮化镓功率晶体管-- EPC2101。透过整合两个eGaN功率场效应晶体管而成?单个组件,可以除去互连电感及电路板上组件之间所需的空隙,使得晶体管的占板面积?少50%
宜普300 V氮化镓功率晶体管因应高频应用需求 (2014.10.03)
宜普公司为功率系统设计师提供一种上升时间为2奈秒(ns)并面向高频直流-直流转换器及医疗诊断仪器的300 V氮化镓场效应功率晶体管(EPC2025)。 宜普电源(EPC)推出300 V功率晶体管(EPC2025),可用于需要高频开关的应用,从而实现更高效率及更高功率密度

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