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罗姆推出小型PMDE封装二极体 助力应用小型化 (2022.04.11)
ROHM为满足车电装置、工控装置和消费性电子装置等各类型应用中，保护电路和开关电路的小型化需求，推出了PMDE封装（2.5mm×1.3mm）产品，此次又在产品系列中新增了14款机型 |
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DC充电站：ST在功率与控制层面所遇到之挑战 (2021.04.23)
预计到2027年，全球电动汽车充电站市场规模迅速扩展，而亚太地区电动汽车销量的迅速成长推动了全球电动汽车充电站市场的成长。意法半导体（ST）产品可支援此一市场／应用 |
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英飞凌新款650V EiceDRIVER整合靴带二极体 强化强固性及快速切换 (2021.03.26)
英飞凌科技宣布扩展旗下EiceDRIVER产品组合，推出全新650V半桥式与高低侧闸极驱动器，采用公司独特的绝缘层上矽(SOI)技术，提供市场最先进的负VS瞬态电压抗扰性与真正靴带二极体的单片整合，因此有助於降低BOM，并在精简的外型尺寸以MOSFET与IGBT打造更强固的设计 |
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意法半导体推出暂态电压抑制二极体 更小封装带来更强的保护功能 (2019.11.08)
半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，ST）推出最新一代暂态电压抑制（TVS）二极体，其具有市场领先的功率密度，SMB Flat封装的额定功率为600W，暂态功率高达1500W，仅1.0mm厚的SMA Flat封装的额定功率，而功率则分别为400W和600W |
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下一代3D感测应用中的二极体雷射器 (2018.03.30)
本文描述了消费电子或汽车OEM 评估二极体雷射器潜在供应商时应参考的重要参数。 |
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Littelfuse 瞬态抑制二极体 针对550V瞬变电压提供单元件防护 (2017.11.15)
Littelfuse, Inc.宣布推出符合AEC-Q101标准的高压瞬态抑制二极体，该产品专为保护敏感汽车电路免受浪涌和静电放电损坏。 由於兼具高达600瓦的峰值脉冲功耗和快速回应能力，TPSMB系列汽车用瞬态抑制二极体可为电路设计师提供高压单元件电路保护解决方案 |
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意法半导体新MDmesh MOSFET内建快速恢复二极体 (2017.06.02)
意法半导体新MDmesh MOSFET内建快速恢复二极体
此系列为超接面MOSFET电晶体技术，新产品额定电压范围涵盖950V至1050V，开关性能、导通电阻（RDS(ON)）和矽单位面积流过的额定电流等技术参数均优于平面结构的普通MOSFET电晶体 |
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东芝推出新系列多位元暂态电压抑制二极体 (2017.04.06)
东芝公司(Toshiba)旗下储存与电子元件解决方案公司推出新系列多位元低电容暂态电压抑制(TVS)二极体，该二极体用于为高速介面提供防静电放电(ESD)和防涌浪电压保护。新系列包含四款适用于USB Type-C和HDMI介面的产品，可用于智慧型手机、穿戴式装置和平板电脑等行动装置 |
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凌力尔特双向电子断路器针对电流和电压故障提供全面保护 (2017.03.03)
凌力尔特 (Linear Technology) 日前推出电路保护控制器 LTC4368，在电池供电式汽车、工业和可携式系统中，该元件可针对2.5V 至 60V 电子线路确保安全的电压和电流水准。 LTC4368 能替代熔断器、暂态电压抑制器和分立电路，以实现用于避免电子线路遭受有害的过电流及过压、欠压和反向电压状况之损坏的精小全面解决方案 |
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凌力尔特推出新款多相 60V 同步升压控制器 (2017.01.11)
凌力尔特 (Linear) 日前推出多相同步升压 DC/DC 控制器 LTC3897，该元件具备输入涌浪抑制器和理想二极体控制器。升压控制器异相可驱动两个 N 通道功率 MOSFET 级，以降低输入和输出电容要求，因而能使用比同类单相方案更小的电感器 |
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Littelfuse将收购安森美半导体的精选产品组合 (2016.08.26)
Littelfuse(利特)宣布已经正式达成协议，将以$1亿400万的总价收购安森美半导体（ON Semiconductor）汽车点火应用的产品组合，包括瞬态电压抑制器（TVS）二极体、双向晶闸管及绝缘栅型双极电晶体（IGBT） |
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凌力尔特3相理想二极体桥接整流器简化散热设计 (2016.05.12)
凌力尔特（Linear Technology）日前发表低损耗3相理想二极体桥接整流器参考设计，并展示于评估板DC2465。传统的3相整流器采用六个二极体，但二极体会产生压降及负载电流数安培的显著功耗，由于需要昂贵的散热和主动散热解决方案，使得散热设计复杂化，并增加了方案的尺寸 |
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从3C跨足工业4.0应用 (2016.04.07)
随着苹果公司最新公布财报退烧，未来无论将续往穿戴装置、虚拟/扩增实境(VR/AR)装置发展，以维持一定的毛利率；或推出中低阶产品饮鸩止渴，都将对未来台湾供应链上下游厂商进一步砍单、降价，让台厂必须加速转型避险 |
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凌力尔特高功率负电源Diode-OR控制器可耐+/-300V瞬变 (2016.03.21)
凌力尔特（Linear Technology）日前发表强固的diode-OR控制器LTC4371，主要应用于双馈高功率电信和数据通信板。 LTC4371提供于冗余电源之间的无缝切换，并以N通道MOSFET取代功率肖特基二极体和相关的散热片，因而大幅缩减了功耗、压降和解决方案尺寸 |
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美高森美发布全新系列Powermite1 MUPT瞬态电压抑制二极体 (2016.03.17)
配合飞机电气化的发展趋势，美高森美公司（Microsemi）发布一独特且具有专利的全新系列Powermite1 MUPT瞬态电压抑制（transient voltage suppression, TVS）二极体产品。飞机电气化、提高可靠性和燃油效率等市场趋势的发展 |
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罗姆量产沟槽式SiC 导通电阻降低再下一城 (2015.08.14)
在全球功率半导体市场，SiC（碳化矽）元件的发展，一直是主要业者所十分在意的重点，理由在于它与传统的MOSFET或是IGBT元件相较，SiC可以同时兼顾高开关频率或高操作电压，反观MOSFET与IGBT只能各自顾及开关频率与操作电压，显然地SiC元件相对地较有技术优势 |
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抢攻基础研究量测市场「THz」最是关键 (2015.08.03)
在无线传输的频率当中，所谓的「MHz」或是「GHz」等级的频率是相当常见的，不过在事实上，若到了「THz」（泛称为太赫兹）这种频率可能就在全球科技产业中相对少见。
筑波科技华北地区业务协理李菁君表示，事实上，THz可以用在相当多的应用范围，像是学术研究、一般量测、化学分析、医疗影像、航空与机场安检等 |
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R&S推出整合USB/LAN介面的二极体感测器加速功率量测 (2015.03.17)
罗德史瓦兹（R&S）功率传感器系列新增全新的三信道二极管传感器，除了技术成熟的 USB 传感器外，全新的传感器还支持了局域网络 (LAN) 接口， LAN适合于长距离远程控制应用 |
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Fairchild新型SuperFET II MOSFET系列提供最低通导电阻与广泛封装范围 (2015.03.10)
高效能电源半导体解决方案供货商Fairchild推出800V SuperFET II MOSFET 系列，具备广泛的封装选项以及最低的通导电阻（Rdson）与输出电容（Coss）。全新产品阵容协助设计人员针对需要600V / 650V以上的崩溃电压的高效能解决方案，改善效率、成本效益与可靠度，更减少了组件数量，精简机板空间，为设计人员带来更大的弹性 |
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意法半导体新款碳化矽二极体支援新能源汽车等应用 (2014.12.17)
因应逆变器小型化的挑战和强劲需求，意法半导体（ST）推出新款车规碳化矽（SiC）二极体，以满足电动汽车和插电式混合动力车（Plug-in Hybrids；PHEVs）等新能源汽车对车载充电器（on-board battery chargers；OBCs）在有限空间内处理大功率的苛刻要求 |
总的来说，一系列与时俱进的Bus规格标准，便是不断提升在计算机主机与接口设备之间，数据传输速度、容量与质量的应用过程。下面我们就简介几个重要的总线应用规格标准。
