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力晶科技将於竹科铜锣基地兴建12寸新厂 跻身晶圆代工3雄 (2018.08.27)
转型为晶圆代工厂的力晶科技公司创办人兼执行长黄崇仁，今日在科技部正式宣布，将於竹科铜锣基地投资新台币2,780亿元，兴建2座12寸晶圆厂，占地11公顷，总月产能10万片 |
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台湾DRAM产业加速解构重组 (2012.10.25)
台湾DRAM大厂透过裁员以进行企业重组的速度正在加速。因为产量供给过剩，DRAM的价格长期低迷，迟迟无法改善营收赤字。不论是个人计算机、或是移动电话用的消费型DRAM产品世代更换延迟，与韩国之间的差异更是愈来愈大 |
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DRAM狂亏 力晶弃守EUV转交尔必达 (2011.02.08)
尔必达（Elpida）上季财报首度出现近5季以来的亏损，截至2010年12月31日止，尔必达单季已经净损296亿日圆（约新台币104.3亿元）。而力晶在2010年第4季也亏损了新台币83.3亿元 |
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力晶与尔必达率先减少每月一成DRAM产量 (2008.09.11)
内存产量过剩，DRAM大厂力晶决定减产一成。此外，尔必达也传出将跟进减产一成的消息。据了解，这将有效减缓第四季DRAM产量过剩的状况，但对于长期效益来看，仍须持续观察 |
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瑞萨、夏普和力晶共同成立LCD驱动器合资企业 (2008.03.03)
瑞萨科技、夏普和力晶半导体宣布，共同签订了一项专为中小尺寸LCD驱动器和控制器合资企业的协议。据了解，为了巩固瑞萨科技和夏普在此领域的优势，新公司将从事设计、开发、销售和推广LCD驱动器和控制器 |
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力晶协同瑞萨共赴中国大陆设厂 (2007.07.02)
2006年底经济部同意力晶西进中国大陆设立8吋、0.18微米制程晶圆厂后，力晶曾表示将与日商合作伙伴瑞萨合资前往设厂，以逻辑代工为主，并考虑向日商采购或就地购买二手设备 |
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2007 DRAM最重要趋势为70奈米的推进 (2007.05.02)
DRAM报价跌势剧烈，除了将产能转移外，为持续降低营运成本，台湾内存厂的茂德、力晶都将加快70奈米制程的脚步，至于华邦则宣布试产80奈米，90奈米与70奈米产出比例相差55％，下半年将主流制程推进到70奈米后，将更具成本竞争优势 |
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DRAM导入90奈米制程 八吋厂寻找新出路 (2007.04.30)
由于标准型DRAM纷纷导入90奈米制程，因此为了解决八吋厂成本竞争力不足的问题，DRAM厂有意将八吋厂产能转为逻辑芯片代工之用途，对于此举是否影响晶圆代工厂之产能利用，部份晶圆代工厂认为将不会有所影响 |
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良率不佳及产能延迟 DRAM供给Q4吃紧 (2006.08.30)
第四季DRAM需求大好，但供给面恐不如预期，继先前华亚爆出90奈米良率不佳的问题后，近期也传三星80奈米良率不稳，及三星新十二吋DRAM厂Fab15产能要等到明年以后才开出，此举恐导致第四季DRAM供给告急压力将再度升高 |
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90奈米制程微缩顺利 DRAM业者乐观 (2006.07.04)
第二季以来DRAM市场供需平衡未有太大变化，DRAM价格也维持在一定区间之内，这个市况对于DRAM厂来说，却可有效控制成本，并尽力拉高营收及毛利率，如国内DRAM厂力晶、茂德、南亚科等，第二季营收创下历史新高，毛利率也较第一季大跃进 |
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尔必达移转80奈米技术 力晶受益 (2005.07.26)
国内DRAM龙头厂力晶半导体宣布，与技术合作伙伴尔必达签订新技转合约，尔必达将技转力晶80奈米及75奈米制程技术。力晶为尔必达代工的标准型DRAM，已经开始采用0.1微米量产中 |
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传三大半导体厂将在竹科三期投资3000亿新台币 (2005.03.08)
业界消息指出，台积电、力晶及世界先进三大厂近期在竹科园区三期总共申请约30公顷建地，规划设立5座12吋晶圆厂及35奈米研发中心，合计总投资额在新台币3000亿元以上 |
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力晶1Gb AG-AND Flash良率获突破 迈入量产 (2005.01.03)
据业界消息，内存大厂力晶12吋厂第四季在代工生产日本瑞萨科技（Renesas）的1Gb AG-AND Flash（闪存）产品上获得重大突破，目前良率已经有所突破，投片量也达每月1000片左右，是台湾第一家量产1Gb NAND Flash的晶圆厂 |
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中国晶圆厂将掀起新一波集资热 (2004.12.27)
中国晶圆业者近来掀起新一波集资热潮，据业界消息，除了今年度已经进行海外上市募资的上海中芯、华润上华以及甫宣布增资的台积电上海公司，明年包括上海先进，与茂德、力晶等计划前往设厂的台资企业，也将加入这一波集资行列 |
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力晶已向应材采购100套12吋晶圆设备 (2004.12.02)
半导体设备大厂应用材料宣布，12吋晶圆厂月产能迈向4万片的DRAM大厂力晶半导体，向应材采购的第100套12吋晶圆制程用钨金属化学机械研磨设备（CMP）已完成装机，象征双方合作关系紧密 |
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力晶十年有成 未来计划在台兴建四座12吋厂 (2004.11.16)
DRAM大厂力晶半导体于15日欢庆十岁生日，除公布最新的企业识别标志，董事长黄崇仁也宣示该公司将在台投资上千亿元，兴建4座12吋DRAM厂。而包括吕秀莲副总统、台积电董事长张忠谋、Renesas董事长长泽纮一等国内外政商界重量级人士 |
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抢攻两席西进配额 晶圆业者摩拳擦掌 (2004.08.23)
我国首家获准登陆的台积电8吋晶圆厂将于下季量产，而由于我国晶圆厂赴中国大陆投资8吋厂的申请配额仅剩两席，南亚科、茂德、力晶及联电竞争也渐趋白热化。四晶圆厂中，力晶、茂德及联电在台12吋厂量产进度已达标准，南亚科转投资的华亚科技12吋厂则将于第四季跨越申请门坎 |
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力晶计划再建两座12吋晶圆厂 (2004.06.27)
据中央社报导，国内DRAM大厂力晶半导体计划在近年内增建两座12吋晶圆厂，以满足未来市场需求；力晶发言人谭仲民表示，目前该公司已向主管机关提出用地需求，最快明年就能动土兴建 |
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力晶发布93年第一季营收报告 (2004.04.07)
力晶半导体公布93年第一季未经会计师核阅之自行结算财务报表，第一季总营收达105.36亿元。自结毛利与毛利率分别为36.92亿元与35%；首季税前、税后净利为33.58亿元、32.28亿元，每股获利达0.95元 |
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力晶3月份营收达41.2亿元 (2004.04.05)
力晶半导体宣布内部自行结算之2004年3月份营收报告。报告指出，3月营业净额达新台币41.2亿元，相较上月大幅成长24.4%，更较去年同期成长302%。营业收入持续创下历史新高纪录 |
