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Vishay推出具有金属陶瓷组件的功率面板电位计 (2008.02.04)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界首款具有金属陶瓷组件的功率面板电位计，温度在50°C时其额定功率为6W。PE60采用美国及欧盟套管螺纹和完全密封式封装，主要面向飞机驾驶舱、卡车与农耕机、HVAC系统、电焊机、加工设备、农场与采矿设备及防水设备等终端产品中的工业和航空控制面板及重型控制应用 |
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Vishay推出五款新型高灵敏度红外线接收器系列 (2008.01.31)
为减少荧光灯(CFL)以及其他干扰信号源对红外线遥控系统的影响，Vishay宣布推出五款新型高灵敏度红外线接收器系列。上述AGC3接收器适用于噪声环境和短脉冲码应用。
紧凑型荧光灯是主要的环境光噪声源之一，它发射出类似于红外线遥控信号的噪声信号，严重影响红外线系统的性能 |
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Vishay推出适用高温应用的第5代高性能二极管 (2008.01.31)
Vishay宣布推出适用于高温应用的新型高性能Schottky二极管第5代硅平台，以及具有低正向压降、低反向漏电流和较高的最大结温的8款新型器件。
Vishay新型Schottky二极管系列采用亚微米沟槽技术，最大结温为+175°C，适用于汽车及其它高温应用 |
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Vishay推出新型Power Metal Strip仪表并联电阻 (2008.01.24)
Vishay宣布推出采用5515尺寸封装的新型Power Metal Strip仪表并联电阻，该器件具有3W功率以及低至100µΩ的超低电阻值。WSMS5515仪表并联电阻采用可产生100µΩ～500µΩ超低电阻值的专有工艺技术，该技术可在面向工业及民用电子电表的电流表并联应用中提供更高的精确度 |
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Vishay推出最新超小型四信道ESD二极管保护数组 (2008.01.24)
Vishay提供两款采用最新超小型LLP1010-5L封装的四信道ESD二极管保护数组，占位面积为1mm×1mm，浓度仅为0.4mm，可实现板面空间节约两款器件分别具有6.5pF和12pF的低负载电容以及5V和9V的最大工作电压范围 |
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Vishay推出具长使用寿命的小型面板电位计 (2008.01.21)
Vishay宣布推出具有长久使用寿命的最新小型面板电位计，该器件具有2W的高额定功率、低温度系数及高工作扭矩。标准面板电位计的寿命为100,000个周期，而P30L具有100万个周期的长久使用寿命 |
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Vishay推出新型首款ESD单线路保护二极管 (2008.01.21)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界首款具有1.5pF低电容且采用新型LLP1006封装的ESD单线路保护二极管。
凭借0.6毫米×1.0毫米的占位面积以及0.38毫米的超薄浓度，BUS051BD-HD1可在面向移动计算、移动通信、消费类、工业及医疗应用的电子设备中节省板面空间，以及提供ESD保护 |
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Vishay 3V红外接收器系列具高灵敏度 (2008.01.14)
Vishay宣布利用可在光线较低的情况下将组件灵敏度提高一倍的新一代IC升级其3V红外接收器的性能。该IC是IR接收器性能的主要决定因素之一，此外还有光电二极管及光封装本身 |
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Vishay推新高压单、双电源单刀双掷模拟开关 (2008.01.14)
Vishay推出两款新型高压单、双电源单刀双掷(SPDT)模拟开关。DG469与DG470器件是相同的，不同之处是DG470带有启动引脚，该引脚可将所有开关置于高阻抗状态，从而在启动时可保持“安全状态”并可防止意外信号或电源短路 |
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Vishay推出新型SiP21301 LDO控制器 (2008.01.07)
Vishay推出具有可调及固定输出电压选择的LDO控制器，该器件采用n信道MOSFET，可在高达7A的极高电流情况下提供不到50mV的超低压降。
SiP21301器件已进行了优化，可驱动n信道MOSFET，以便为游戏机、机顶盒、液晶电视及网络设备中的FPGA、ASIC及 ASSP供电 |
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Vishay发表200-V、TMBS槽沟式肖特基整流器 (2007.12.20)
Vishay发表业界首款200-V、30-A双路高压TMBS槽沟式肖特基整流器，为同步整流解决方案提供一低成本之替代方案。V30200C提供许多超越平面肖特基整流器之优点。当操作电压达到100 V及更高时 |
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Vishay产品现可由Digi-Key供货 (2007.12.19)
Vishay Intertechnology, Inc.与Digi-Key Corporation宣布，Vishay的延伸性半导体产品，包括MOSFET、二极管、整流器、RF晶体管、光电及选择性IC目前已可透过Digi-Key供货。藉由此新产品阵容强化，Digi-Key现已负责经销Vishay的半导体及被动组件全系列产品 |
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Vishay推出尺寸09的新型单匝衬套位置传感器 (2007.11.19)
Vishay宣布推出尺寸为09（22.2mm）的新型单匝、衬套位置传感器，该器件采用霍尔效应技术，面向恶劣环境中的应用。
新型351 HE的霍尔效应技术使其能够在高达20G的高频率振动、高达50G的冲击条件下在–45°C～+125°C的温度范围内工作，因此其具有比其他技术更胜一筹的强大优势 |
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Vishay宣布推出Vishay FCSP FlipKY系列芯片 (2007.11.16)
Vishay宣布推出的Vishay FCSP FlipKY系列包含0.5A、1.0A及1.5A器件，这些器件的占位面积为0.9mm×1.2mm及1.5mm×1.5mm。
凭借0.6mm（1A器件）及0.5mm（0.5A器件）的超薄厚度，Vishay FlipKY芯片级肖特基二极管可节省手机、蓝牙附件、PDA、MP3播放器、数码相机、个人视频播放器及其他需要超薄器件的可擕式电子系统的空间 |
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Vishay新型环形高温电感器可选择垂直及水平安装 (2007.11.15)
Vishay宣布推出新型环形高电流高温电感器系列中的首款器件，该器件具有高额定电流及饱和电流及极低的DCR。
凭借+200°C的额定工作温度以及可减少EMI的环形设计，新型TJ5-HT电感器专为汽车、工业及深井钻探产品中的开关电源、EMI/RFI滤波及输出电抗器而进行了优化 |
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Vishay推出新系列汽车用TrenchFET功率MOSFET (2007.11.15)
Vishay推出已通过AEC-Q101认证的新系列汽车用TrenchFET功率MOSFET，该系列包含两款采用PowerPAK 1212-8封装且额定结温为175°C的60V组件。日前推出的组件为在10V栅极驱动时导通电阻为25毫欧的Vishay Siliconix n信道SQ7414EN以及额定导通电阻为65毫欧的p信道SQ7415EN |
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Vishay推出三款新型单线路ESD保护二极管 (2007.11.12)
Vishay宣布推出采用小型塑料SOD923封装的三款新型单线路ESD保护二极管，这些组件面向可擕式电子设备及其他对空间敏感的应用。
VESD03A1C-02Z、VESD05A1C-02Z及VESD12A1C-02Z可在空间受限的应用中提供ESD保护，例如可擕式电子设备，包括可擕式游戏设备、MP3播放器及手机 |
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Vishay推宽泛光强度及独立颜色控制SMD三色LED (2007.11.12)
Vishay推出具有宽泛光强度范围及独立颜色控制的新型多SMD三色LED。VLMRGB343..多SMD三色LED是一种高亮度器件，可针对苛刻的高效应用单独控制红色、绿色及蓝色LED芯片。该器件为黑色表面，可与所有视频标准兼容，其采用占位面积为3.2mm×2.8mm、厚度仅为1.8mm的小型PLCC-4封装，可实现板面空间节约 |
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Vishay推出采SMD功率封装的新型Little Star LED (2007.11.08)
Vishay宣布推出新系列黄色、淡黄色、暖白色及白色1W功率SMD LED。Little Star VLMK71..、VLMY71..、VLMW71..及VLMW711..系列为众多应用提供了低热阻及高光强度。
Vishay新型Little Star LED采用具有6.0mm×6.0mm较小占位面积及1.5mm超薄厚度的SMD功率封装，这些器件是市场上最坚固耐用、光效率最高的产品 |
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VSH推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET (2007.11.08)
Vishay Intertechnology, Inc.(VSH)推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET，这些器件具有三种封装选择，可提供最佳的导通电阻性能，凭借这三款器件，公司将有助于提升固定电信网络的效率 |
OASIS是一个非营利的机构，其作用在于发展、整合，以及统一世界各地电子商业所需要的专用标准。OASIS并制定出全球电子商业的安全标准、网络服务、XML的标准、全球商业的流通，以及电子业的出版。
