Vishay宣布推出适用于高温应用的新型高性能Schottky二极管第5代硅平台，以及具有低正向压降、低反向漏电流和较高的最大结温的8款新型器件。

Vishay推出适用高温应用的第5代高性能二极管

Vishay新型Schottky二极管系列采用亚微米沟槽技术，最大结温为+175°C，适用于汽车及其它高温应用。器件采用符合RoHS的小型封装，以改善成本能耗比，并提供反向偏置安全运行区(RBSOA)，以满足严格、极具成本效益的设计要求。击穿电压较高且稳定(115 V)，以提供电压抑制，优化功率密度，与前几代产品相比，该二极管系列的功率密度提升了30%。即使如此，新型器件价格还最多可比Vishay 3.1代和2.0代平面型器件便宜10%。

新型二极管适用于交流至直流、次级整流、反激式、降压和升压转换器、半桥、反向电池保护、续流、D型放大器和直流至直流模块应用。一般终端产品包括高功率密度 SMPS、台式PC适配器、服务器、汽车驱动器和控制装置、电信网络、PDP、LCD和高效音频系统等消费类电子，以及笔记本、移动电话和可擕式媒体播放器等移动电子设备。

新型器件典型正向压降极低，范围由0.55V（电流为8A）至0.61V（电流为30A），典型反向漏电流极小，温度为125°C时，范围由1 mA至5.5mA，且参数分布非常紧凑。上述器件坚固耐用，具有抗反向雪崩能力，雪崩时部件可得到完全屏蔽，且开关损耗极小。