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研究网络工程的团队 - IETF

IETF是Internet Engineering Task Force (国际网络工程研究团队)是一个开放性的国际组织,其作用在于汇集网络设计师、网络操作员、网络厂商,以及研究人员共同研发改进网络的工程架构与建立起一个平稳的网络环境。
宜普:氮化??将取代650伏特以下MOFEST市场 市场规模约数十亿美元 (2023.09.04)
随着氮化?? (GaN)技术在各产业中扮演起重要的角色,中国政府已积极透过资助计画、研发补助以及激励政策等方式来支持氮化??技术在中国的发展。此外,中国近年来出现了许多专注於研发氮化??的公司,并且包括复旦大学、南京大学、浙江大学及中国科学院等大学或研究机构也积极地投入氮化??相关领域的研究及发展
英飞凌於马来西亚兴建全球最大8寸SiC晶圆厂 2030年贡献70亿欧元 (2023.08.03)
英飞凌科技宣布,将大幅扩建马来西亚居林 (Kulim) 晶圆厂,继之前於 2022 年 2 月宣布的投资计划之外,将打造全球最大的8 寸碳化矽(SiC)功率晶圆厂。支持这项扩建计画的动能,包含了约 50亿欧元在汽车与工业应用的design-win案件,以及约10亿欧元的预付款
安森美和麦格纳签署策略协议 投资碳化矽生产 (2023.07.30)
安森美(onsemi)和麦格纳(Magna)达成一项长期供货协议,麦格纳将在其电驱动(eDrive)系统中,整合安森美的EliteSiC智能电源方案。麦格纳是一家行动科技公司,也是全球最大的汽车零组件供应商之一
ST:以全面解决方案 为工业市场激发智慧并永续创新 (2023.07.17)
意法半导体透过2023年工业巡??论坛,更进一步在不同城市,为不同客户延伸和展现工业解决方案、技术和产品。 透过「激发智慧 永续创新」的主轴,与会者能透过各种技术和产品以及解决方案的介绍,亲身体验前沿技术和激发智慧的应用
英飞凌新一代1200V CoolSiC沟槽式MOSFET 推动电动出行的发展 (2023.07.05)
英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC MOSFET。这款新一代车规级碳化矽(SiC)MOSFET具有高功率密度和效率,能够实现双向充电功能,并显着降低了车载充电(OBC)和DC-DC应用的系统成本
ROHM与Vitesco签署SiC功率元件长期供货合作协定 (2023.06.20)
SiC(碳化矽)功率元件领域的领先企业ROHM(罗姆半导体)与全球先进驱动技术和电动化解决方案大型制造商Vitesco Technologies(纬湃科技)签署SiC功率元件的长期供货合作协定
Tektronix发布双脉冲测试解决方案 加速SiC和GaN验证时间 (2023.06.08)
Tektronix今日宣布推出新版双脉冲测试解决方案(WBG-DPT解决方案)。各种新型的宽能隙切换装置正不断推动电动汽车、太阳能和工业控制等领域快速发展,Tektronix WBG-DPT解决方案能够对SiC和GaN MOSFET等宽能隙装置提供自动化、可重复和高准确的量测
ST携手三安光电於中国重厌建立8寸SiC元件合资制造厂 (2023.06.08)
意法半导体(STMicroelectronics,简称ST),和涵盖LED、碳化矽、光通讯、RF、滤波器和氮化??等产品之中国化合物半导体领导企业三安光电宣布,双方已签署协定,将在中国重厌建立一个新的8寸碳化矽元件合资制造厂
纬湃科技和安森美签署碳化矽长期供应协定 同意投资於碳化矽扩产 (2023.06.01)
纬湃科技(Vitesco Technologies)和安森美(onsemi)宣布了一项价值19亿美元(17.5亿欧元)的碳化矽(SiC)产品10年期供应协定,以实现纬湃科技在电气化技术方面的提升。纬湃科技是国际领先的现代驱动技术和电气化解决方案制造商,将向安森美提供2
投身车电领域的入门课:IGBT和SiC功率模组 (2023.05.19)
随着2021年全球政府激励政策和需求上升,正推动亚太、北美和欧洲地区的电动车市场稳步扩大。作为电能转换的关键核心,IGBT和SiC模组极具市场潜力。
ROHM发布2022年度财报 营业额续创新高 (2023.05.11)
半导体制造商ROHM公布2022年度(2022年4月-2023年3月)财报, 2022年度营业额达到5,078亿日币,连续二年刷新历史记录。SiC累计投资达5,100亿日币,产能提高35倍。 在车电和工控设备两大核心领域进一步成长,加上有利的汇率环境,全年营业额同期比成长12.3%
PI新型3300V IGBT模组闸极驱动器 可实现可预测性维护 (2023.05.09)
Power Integrations推出全新的单通道随??即用闸极驱动器,该产品适用於高达 3300 V 的 190mm x 140mm IHM 和 IHV IGBT 模组。1SP0635V2A0D 结合了 Power Integrations 成熟的 SCALE-2 切换效能和保护功能,具有可配置的隔离串列输出介面,增?了驱动器的可程式性,并提供了全面的遥测报告,以实现准确的使用寿命预估
ROHM 1200V IGBT成功导入SEMIKRON-Danfoss功率模组 (2023.04.26)
SEMIKRON-Danfoss和半导体制造商ROHM在开发SiC(碳化矽)功率模组方面,已有十多年的良好合作关系。此次,SEMIKRON-Danfoss向低功率领域推出的功率模组中,采用了ROHM新产品1200V IGBT「RGA系列」
德州仪器m3携手光宝科技以GaN技术及即时微控制 MCU打造高效能伺服器电源供应器 (2023.03.02)
德州仪器(TI)宣布携手光宝科技(光宝)正式在北美市场推出搭载 TI 高整合式氮化??(GaN、Gallium nitride)与 C2000TM 即时微控制器(MCU)的商用化伺服器电源供应器(PSU)
安森美与大众汽车集团就电动车SiC技术达成策略协议 (2023.01.31)
安森美(onsemi)宣布与德国大众汽车集团 (VW)签署策略协定,为大众汽车集团的下一代平台系列提供模组和半导体元件,以实现完整的电动汽车 (EV) 主驱逆变器解决方案。安森美所提供的半导体将作为整体系统最隹化的一部分,形成能够支援大众车型前轴和後轴主驱逆变器的解决方案
德州仪器新任总裁兼执行长Haviv Ilan将於四月走马上任 (2023.01.30)
德州仪器 (TI) 表示,董事会已遴选 Haviv Ilan 担任公司新任总裁兼执行长 (CEO),此次人事异动案自 4 月 1 日起生效。在 TI 服务 24 年的 Ilan 将接替现任总裁兼执行长 Rich Templeton,而 Templeton 将在未来两个月内卸任上述职务,并持续担任公司董事长
立??科技与宜普电源转换合作推出小型化140W快充解决方案 (2023.01.18)
宜普电源转换公司(EPC)和立??科技(Richtek)?手推出新型快充叁考设计,使用RT6190降压-升压控制器和氮化??场效应电晶体EPC2204,可实现超过98%的效率。 宜普电源转换公司和立??科技宣布推出4开关双向降压-升压控制器叁考设计,可将12 V~24 V的输入电压转换?5 V~20 V的稳压输出电压,并提供高达5 A的连续电流和6.5 A的最大电流
重视汽车应用市场 ST持续加速碳化矽扩产 (2023.01.18)
汽车是ST非常重视的市场之一,2022年车用和离散元件产品部(ADG)占了ST总营收的30%以上。车用和离散元件产品部拥有意法半导体大部分的车用产品,非常全面性的产品组合能够支援汽车的所有应用
安森美的EliteSiC碳化矽系列方案提供更高能效 (2023.01.04)
安森美(onsemi)宣布将其碳化矽(SiC)系列命名为「EliteSiC」。在CES上,安森美展示EliteSiC 系列的3款新成员:一款1700 V EliteSiC MOSFET和两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极体。这些新的器件为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高能效的性能
ROHM第4代SiC MOSFET成功导入日立安斯泰莫电动车逆变器 (2022.12.20)
ROHM第4代SiC MOSFET和闸极驱动器IC已被日本知名汽车零件制造商日立安斯泰莫株式会社(以下简称日立安斯泰莫)使用於电动车(以下简称EV)逆变器。 在全球实现减碳社会的过程中,汽车的电动化进程持续加速,在此背景下,开发更高效、更小型、更轻量的电动动力总成系统已经成为必经之路

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