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电动压缩机设计核心-SiC模组 (2024.09.29)
电动压缩机是电动汽车热管理的核心零组件，对於电驱动系统的温度控制具有重要作用，对电池的使用寿命、充电速度和续航里程均至关重要，本文主要讨论SiC MOSFET 离散元件方案 |
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CGD与Qorvo合作开发马达控制应用的GaN叁考设计及评估套件 (2024.06.07)
无晶圆厂洁净技术半导体Cambridge GaN Devices（CGD）致力於开发氮化??（GaN）器件，近日与全球连接和电源解决方案供应商Qorvo合作开发 GaN 在马达控制应用中的叁考设计和评估套件（EVK） |
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CGD与工研院合作开发氮化??电源 (2024.05.31)
无晶圆厂洁净技术半导体公司Cambridge GaN Devices（CGD）与工业技术研究院（ITRI）签署合作备忘录，以巩固双方在开发高性能氮化??USB-PD适配器的合作夥伴关系。
CGD致力於开发多种节能的氮化??（GaN）器件，以实现更环保的电子元件 |
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CGD、群光电能与剑桥大学技术服务部共组GaN生态系统 (2023.11.06)
英商剑桥氮化??元件有限公司（Cambridge GaN Devices；CGD）是一家专注於研发高效能氮化??（GaN）功率元件的半导体公司，致力於打造更环保的电子元件。近日与台湾的电力电子系统整合方案供应商群光电能（Chicony Power Technology）、英国剑桥大学技术服务部（CUTS）签署一项三方协议 |
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CGD的GaN单晶片 获台积电欧洲创新区最隹展示奖 (2023.10.15)
Cambridge GaN Devices (CGD)日前宣布，其 ICeGaN GaN HEMT系统单晶片 (SoC) 在台积电( TSMC) 2023 年欧洲技术研讨会创新区荣获「最隹展示」奖。
CGD是一家无晶圆厂洁净技术半导体公司，专门开发多种节能GaN型功率装置，旨在实现更环保的电子元件 |
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CGD推出ICeGaN 650 V氮化??HEMT系列产品 (2023.05.12)
Cambridge GaN Devices（CGD）今日宣布推出第二代的 ICeGaN 650 V氮化?? HEMT 系列产品，提供领先业界的耐用性、易於使用及最高效率等特色。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 的智慧闸极介面，几??消除一般 E 模式 GaN 的各种弱点，大幅加强过电压耐用性、提供更高的抗杂讯??值，以及提升 dV/dt 抑制和 ESD 保护效果 |
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CGD ICeGaN产品技术经维吉尼亚理工大学研究获验证 (2023.04.10)
无晶圆厂无尘技术半导体公司Cambridge GaN Devices（CGD）使用氮化?? （GaN）开发出多款高能效功率装置，协助打造出更为环保的电子产品；CGD 宣布由学术研究机构维吉尼亚理工大学进行的独立第三方研究表现，CGD 的 ICeGaN氮化??技术较其他氮化??平台更具可靠性及坚固性 |
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Cambridge GaN Devices 融资扩大功率半导体装置市场 (2022.11.22)
无晶圆厂半导体公司Cambridge GaN Devices（CGD），於2016年从英国剑桥大学工程系着名的功率装置集团分割出来，已募集1900万美元的Series B资金。此投资案由Parkwalk Advisors和BGF领投，另有IQ Capital、CIC、Foresight Williams Technology 和 Martlet Capital 跟投 |
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SiC MOSFET应用技术在雪崩条件下的鲁棒性评估 (2020.08.18)
本文透过模拟雪崩事件，进行非钳位元感性负载开关测试，并使用不同的SiC MOSFET元件，依照不同的测试条件，评估技术的失效能量和鲁棒性。 |
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ROHM推出第4代低导通电阻SiC MOSFET 加速车载动力逆变器的普及 (2020.06.17)
半导体制造商ROHM推出「1200V 第4代SiC MOSFET」，适合用於动力逆变器等车电动力总成系统和工控装置电源。
对於功率半导体来说，当导通电阻降低时短路耐受时间就会缩短，两者之间存在着权衡关系，因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时，也必须同时考虑如何兼顾短路耐受时间 |
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是德科技推出用于电力电路设计的 功率组件电容分析仪 (2014.08.12)
是德科技（Keysight Technologies Inc.）日前宣布推出一款能够在实际操作电压下自动测试功率组件接面电容的功率组件电容分析仪。
随着使用碳化硅（SiC）和氮化?（GaN）等新材料制成的功率组件不断问世，切换式电源供应器现在必须在更高的频率下运作，因而突显出准确执行组件电容特性分析的重要性 |
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利用低端栅极驱动器IC进行设计 (2008.09.04)
利用低端栅极驱动器IC可以简化开关电源转换器的设计，但这些IC必须正确运用才能充分发挥其潜力，以最大限度地减小电源尺寸和提高效率。本文阐释了利用这类器件进行设计时应注意的几个重要方面─即如何根据额定电流和功能来选择适当的驱动器；驱动器周围需要哪些补偿元件；以及如何确定热性能，包括损耗计算和结温估算 |
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广颖电通推出DDR2 800 ECC Unbuffered DIMM (2008.07.09)
国内闪存厂商广颖电通（Silicon Power）宣布推出DDR2 800 ECC Unbuffered DIMM内存模块2GB。广颖电通DDR2 800 ECC Unbuffered DIMM 2GB内存模块使用先进FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）球型数组封装颗粒，加强了电力与热感特性，提供良好的散热性能 |
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降压切换式电源转换器设计与验证 (2006.12.03)
本文将透过降压式电源转换器的基本电路，说明降压切换式电源转换器设计与验证，以使设计人员能实验实务的设计并提升效能。最后并将所有信息应用在实际电路上，藉以验证相关数据 |
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同步降压转换器中的 Shoot-through 现象 (2003.05.05)
同步降压转换器被广泛应用在CPU、芯片组、外围等，提供针对“工作点”的高电流、低电压供电，其电路中的短路现象极难测量，而其可能造成振荡加剧、效率降低、MOSFET温度升高及EMI增大等问题 |
