账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
Cambridge GaN Devices 融资扩大功率半导体装置市场
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2022年11月22日 星期二

浏览人次:【1665】

无晶圆厂半导体公司Cambridge GaN Devices(CGD),於2016年从英国剑桥大学工程系着名的功率装置集团分割出来,已募集1900万美元的Series B资金。此投资案由Parkwalk Advisors和BGF领投,另有IQ Capital、CIC、Foresight Williams Technology 和 Martlet Capital 跟投。

由Parkwalk Advisors和BGF主导的募资,将使 CGD 实现用於功率应用的氮化??电晶体(GaN transistor)系列的量产目标。

關鍵字: 功率半导体  GaN  CGD 
相关新闻
德州仪器扩大氮化??半导体内部制造作业 将自有产能提升至四倍
格棋化合物半导体中坜新厂落成 携手中科院强化高频通讯技术
ASM双腔体碳化矽磊晶平台 满足先进碳化矽功率元件领域需求
ROHM与UAES签署SiC功率元件长期供货协议
ROHM第4代SiC MOSFET裸晶片导入吉利电动车三款主力车型
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» 未来无所不在的AI架构导向边缘和云端 逐步走向统一与可扩展
» 延续后段制程微缩 先进导线采用石墨烯与金属的异质结构
» 提升供应链弹性管理 应对突发事件的挑战和冲击
» 专利辩论
» 碳化矽基板及磊晶成长领域 环球晶布局掌握关键技术


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BSE60ZWSSTACUK8
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: [email protected]