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半镶嵌金属化：後段制程的转折点？ (2025.01.03)
五年多前，比利时微电子研究中心（imec）提出了半镶嵌（semi-damascene）这个全新的模组方法，以应对先进技术节点铜双镶嵌制程所面临的RC延迟增加问题。 |
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奈米科技助阵 微晶片快筛时代即将来临 (2024.12.17)
全球面临各种健康威胁，快速、可靠的居家诊断测试需求日益迫切。纽约大学坦登工程学院研发出突破性微晶片技术，可??实现多疾病同步检测、数据即时传输，将居家诊断推向新纪元 |
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台积电发表N2制程技术 2奈米晶片效能再升级 (2024.12.16)
台积电本周於旧金山举行的IEEE国际电子元件会议(IEDM)上，发表了其下一代名为N2的2奈米电晶体技术，也是台积电全新的电晶体架构━环绕闸极(GAA)或奈米片（NanoSheet）。目前包含三星也拥有生产类似电晶体的制程，英特尔和台积电，以及日本的Rapidus都预计在2025年开始量产 |
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碳化矽市场持续升温 SiC JFET技术成为关键推动力 (2024.12.11)
随着全球对高效能源与高性能技术需求的增加，碳化矽（SiC）市场正迎来快速增长。碳化矽材料因其优异的热稳定性、高击穿电压与高功率密度性能，成为许多高效能应用的首选，涵盖电动车、再生能源系统以及资料中心等领域 |
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双列CFET结构全新标准单元结构 推动7埃米制程 (2024.12.09)
在本周举行的 2024年IEEE国际电子会议（IEDM） 上，比利时微电子研究中心（imec）展示了一项突破性的技术创新：基於互补式场效电晶体（CFET）的双列标准单元架构。这种设计采用了两列CFET元件，并共用一层讯号布线墙，成功实现制程简化与显着的面积缩减，为逻辑元件和静态随机存取记忆体（SRAM）开辟了微缩新途径 |
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贸泽电子、ADI和Bourns合作出版全新电子书 探索电力电子装置基於GaN的优势 (2024.12.03)
贸泽电子（Mouser Electronics）与ADI和Bourns合作出版最新的电子书，探索氮化??（GaN）技术在追求效率、效能和永续性的过程中所面对的挑战和优势所在。
《10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology》（10位专家谈论氮化??技术）探讨GaN技术如何彻底改变电力电子技术，达到比矽更高的效率、更快的开关速度和更大的功率密度 |
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贸泽与ADI合作全新电子书探索电子设计电源效率与耐用性 (2024.11.13)
贸泽电子（Mouser Electronics）与美商亚德诺（ADI）合作出版全新的电子书，重点介绍最隹化电源系统的基本策略。在《Powering the Future: Advanced Power Solutions for Efficiency and Robustness》（为未来提供动力：实现效率和耐用性的进阶电源解决方案）中，ADI和贸泽的主题专家针对电源系统中最重要的元件、架构和应用提供深入分析 |
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三菱电机将交付用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片样品 (2024.11.12)
三菱电机株式会社（Mitsubishi Electric）宣布，将开始发货用於驱动马达的碳化矽 （SiC) 金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）裸晶片样品11月14日，三菱电机推出电动车（EV）、??电式混合动力车（PHEV）和其他电动车（xEV）的逆变器 |
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贸泽为基础架构和智慧城市设立工程技术资源中心 (2024.10.30)
基础架构是所有城市的基础，涵盖从公共运输网路到电网和通讯系统的所有一切。随着数位化程度不断提升，智慧城市技术不只强化基础架构，更改变人们的日常生活，例如透过整合智慧电表感测器收集有关能源和水的珍贵资料 |
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进入High-NA EUV微影时代 (2024.09.19)
比利时微电子研究中心（imec）运算技术及系统／运算系统微缩研究计画的资深??总裁（SVP）Steven Scheer探讨imec与艾司摩尔（ASML）合建的High-NA EUV微影实验室对半导体业的重要性 |
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imec执行长：全球合作是半导体成功的关键 (2024.09.03)
imec今日於SEMICON Taiwan 2024前夕举办ITF Taiwan 2024技术论坛，以「40年半导体创新经验与AI的大跃进」为主题，欢厌imec成立40周年，并展示其在推动半导体产业发展的关键成就与行动 |
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跨过半导体极限高墙 奈米片推动摩尔定律发展 (2024.08.21)
奈米片技术在推动摩尔定律的进一步发展中扮演着关键角色。
尽管面临图案化与蚀刻、热处理、材料选择和短通道效应等挑战，
然而，透过先进的技术和创新，这些挑战正在逐步被克服 |
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M31与高塔半导体合作 开发65奈米SRAM和ROM记忆体 (2024.08.04)
M31 Technology宣布与高塔半导体（Tower Semiconductor）合作，成功开发65奈米制程的SRAM（静态随机存取记忆体）和ROM（唯读记忆体）IP产品，并将设计模组交付客户端完成验证，搭配此平台的低功耗元件Analog FET（类比场效电晶体）所设计的电路架构，能够满足SoC晶片严格的低功耗要求 |
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开启HVAC高效、静音、节能的新时代 (2024.08.01)
文:本次要介绍的产品，是来自德州仪器（TI）一款业界首创的650V三相智慧功率模组（Intelligent Power Module；IPM）━「DRV7308」，适用於250W马达驱动器应用。 |
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imec展示单片式CFET功能元件 成功垂直堆叠金属接点 (2024.06.21)
於本周举行的2024年IEEE国际超大型积体电路技术研讨会（VLSI Symposium）上，比利时微电子研究中心（imec）首次展示了具备电性功能的CMOS互补式场效电晶体（CFET）元件，该元件包含采用垂直堆叠技术形成的底层与顶层源极／汲极金属接点（contact） |
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以固态继电器简化高电压应用中的绝缘监控设计 (2024.03.11)
快速准确侦测隔离中的故障，是强化使用者安全和降低灾难性电力中断所造成损害或火灾的重要关键。 |
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EV GROUP将革命性薄膜转移技术投入量产 (2023.12.12)
EV Group（EVG）宣布推出EVG 850 NanoCleave薄膜剥离系统，这是首款采用EVG革命性NanoCleave技术的产品平台。EVG850 NanoCleave系统使用红外线（IR）雷射搭配特殊的无机物材质，在透过实际验证且可供量产（HVM）的平台上，以奈米精度让已完成键合、沉积或增长的薄膜从矽载具基板释放 |
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宜普：氮化??将取代650伏特以下MOFEST市场 市场规模约数十亿美元 (2023.09.04)
随着氮化?? （GaN）技术在各产业中扮演起重要的角色，中国政府已积极透过资助计画、研发补助以及激励政策等方式来支持氮化??技术在中国的发展。此外，中国近年来出现了许多专注於研发氮化??的公司，并且包括复旦大学、南京大学、浙江大学及中国科学院等大学或研究机构也积极地投入氮化??相关领域的研究及发展 |
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Magnachip扩展用於行动装置电池保护电路的新型MXT LV MOSFET (2023.07.11)
Magnachip半导体发布四款新型 MXT LV 金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）采用超短通道技术，扩展 Magnachip 用於行动装置电池保护电路的第七代 MXT LV MOSFET 产品阵容。
超短沟道是Magnachip的最新设计技术，通过缩短源极和漏极之间的沟道长度来降低Ron（MOSFET在导通状态操作期间的电阻） |
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NXP携手TSMC推出车用嵌入式磁阻式随机存取记忆体 (2023.05.16)
恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）今（16）日宣布与台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）合作，推出业界首款采用16奈米（nm）鳍式场效电晶体（FinFET）技术的车用嵌入式磁阻式随机存取记忆体（Magnetic Random Access Memory；MRAM） |
