随着全球对高效能源与高性能技术需求的增加，碳化矽（SiC）市场正迎来快速增长。碳化矽材料因其优异的热稳定性、高击穿电压与高功率密度性能，成为许多高效能应用的首选，涵盖电动车、再生能源系统以及资料中心等领域。特别是在人工智慧（AI）驱动的资料中心与电动汽车快速崛起的推动下，市场对碳化矽技术的需求日益迫切。

在此背景下，碳化矽接面场效电晶体（SiC JFET）技术的发展显得尤为重要。SiC JFET 是一种基於碳化矽材料的半导体元件，具有超低单位面积导通电阻，能显着降低能耗并提升系统效率。与其他技术相比，SiC JFET 的导通电阻低近一半，且可兼容传统矽基电晶体使用的现成驱动器，极大简化了技术导入和设计过程。这些特性不仅能加速产品开发，更能帮助产业降低整体系统成本，成为高效能电源解决方案的关键技术之一。

随着Al工作负载日趋复杂和耗能，能提供高能效并能够处理高压的可靠SiC JFET将越来越重要。近日，安森美（onsemi）宣布以1.15亿美元现金收购Qorvo的碳化矽接面场效电晶体（SiC JFET）技术业务及其子公司United Silicon Carbide。此项收购将大幅补强安森美的EliteSiC电源产品组合，满足AI资料中心电源AC-DC段对高能效与高功率密度的需求，同时加速其在电动汽车断电开关与固态断路器（SSCB）等新兴市场的部署。

SiC JFET 技术的融入，不仅可强化电源领域的竞争力，更为资料中心运营商和电源设计师带来更高效、低耗的解决方案，助力产业朝向更高效、更永续的未来迈进。