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英飛凌推出新一代氮化鎵功率分立元件 (2024.11.26)
最新一代CoolGaN電晶體實現了現有平台的快速重新設計。新元件改進了性能指標，確保為重點應用帶來具有競爭力的切換性能。與主要同類產品和英飛凌之前的產品系列相比，CoolGaN 650 V G5電晶體輸出電容中儲存的能量（Eoss）降低了多達50%，漏源電荷（Qoss）和閘極電荷（Qg）均減少了多達 60% |
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2025國際固態電路研討會展科研實力 台灣20篇論文入選再創新高 (2024.11.26)
一年一度的國際固態電路研討會（ISSCC）將於2025年2月在美國舊金山舉行，被譽為晶片設計領域的奧林匹克大會，每年都展現出產學界創新的科研實力，台灣此次入選2025 ISSCC共計20篇論文 |
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筑波舉辦化合物半導體與矽光子技術研討會 引領智慧製造未來 (2024.11.15)
筑波科技（ACE Solution）攜手美商泰瑞達（Teradyne）近日舉辦年度壓軸「化合物半導體與矽光子技術研討會」。本次活動由國立陽明交通大學、中原大學電子工程學系共同主辦，打造產官學交流平台 |
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貿澤與ADI合作全新電子書探索電子設計電源效率與耐用性 (2024.11.13)
貿澤電子（Mouser Electronics）與美商亞德諾（ADI）合作出版全新的電子書，重點介紹最佳化電源系統的基本策略。在《Powering the Future: Advanced Power Solutions for Efficiency and Robustness》（為未來提供動力：實現效率和耐用性的進階電源解決方案）中，ADI和貿澤的主題專家針對電源系統中最重要的元件、架構和應用提供深入分析 |
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Power Integrations推1700V氮化鎵切換開關IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的單級、獨立穩壓多路輸出離線式電源供應器 IC 的新成員。新裝置採用了業界首款透過該公司專有 PowiGaN 技術製造的 1700 V 氮化鎵切換開關 |
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國科會新增10項核心關鍵技術 強化太空、量子、半導體領域保護 (2024.11.03)
為強化國家核心關鍵技術保護，避免國家安全、產業競爭力及經濟發展受損，國科會預告修正「國家核心關鍵技術項目及其技術主管機關」草案，新增10項太空、量子科技、半導體及能源領域之關鍵技術，預告期至11月15日止 |
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Bourns全新薄型高爬電距離隔離變壓器適用於閘極驅動和高壓電池管理系統 (2024.10.27)
美商柏恩Bourns推出新款符合AEC-Q200標準的車規級薄型、高爬電距離隔離變壓器。Bourns HVMA03F4A-LP8S系列馳返變壓器專為提供高功率密度設計，實現更高效能且具備緊湊的外形尺寸，適用於閘極驅動器和高壓電池管理系統(BMS)等多項應用場合， |
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德州儀器擴大氮化鎵半導體內部製造作業 將自有產能提升至四倍 (2024.10.25)
德州儀器 （TI） 已開始在日本會津的工廠生產氮化鎵 （GaN） 功率半導體。隨著會津廠進入生產，加上位於德州達拉斯的現有GaN製造作業，TI 現針對GaN功率半導體的自有產能可增加至四倍之多 |
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是德科技3kV高電壓晶圓測試系統專為功率半導體設計 (2024.10.15)
是德科技（Keysight）推出4881HV高電壓晶圓測試系統，擴展其半導體測試產品組合。該解決方案可實現高達3kV的參數測試，支援一次性完成高、低電壓測試，進而提高功率半導體製造商的生產效率 |
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數位電源驅動雙軸轉型 綠色革命蓄勢待發 (2024.10.01)
CTIMES日前舉辦了「數位電源驅動雙軸轉型：電子系統開發的綠色革命」為主題的東西講座研討會，此次會議深入探討了數位電源技術在推動電子系統開發的雙軸轉型中的關鍵作用，即實現更高的能源效率和更快的產品創新 |
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英飛凌全新CoolGaN Drive產品系列整合驅動器單開關和半橋 (2024.09.20)
消費電子和工業應用領域正趨向便攜化、電氣化、輕量化等多樣化發展，因此需要緊湊高效的設計，同時還需採用非常規PCB設計，但此類設計面臨嚴格的空間限制，從而限制外部元件的使用 |
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英飛凌首創12吋氮化鎵功率半導體製程技術 推動市場快速增長 (2024.09.11)
英飛凌科技（Infineon）宣佈成功開發出全球首創12吋氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握此一技術的企業，這項突破將大幅推動GaN功率半導體市場的發展 |
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緯湃採用英飛凌CoolGaN電晶體打造高功率密度DC-DC轉換器 (2024.09.03)
在電動汽車和混合動力汽車中，少不了用於連接高電壓電池和低電壓輔助電路的DC-DC轉換器，而它對於開發更多具有低壓功能的經濟節能車型也很重要。由TechInsights的資料顯示，2023年全球汽車DC-DC轉換器的市場規模為40億美元，預計到2030年將增長至110億美元，預測期內的複合年增長率為15% |
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100％綠電運營 英飛凌啟用全球最大8吋SiC功率半導體晶圓廠 (2024.08.08)
英飛凌科技宣布，其位於馬來西亞的新廠一期建設正式啟動運營。建設完成後，該廠將成為全球最大且最具競爭力的8吋碳化矽（SiC）功率半導體晶圓廠。馬來西亞總理拿督思里安華、吉打州務大臣拿督思里莫哈末沙努西與英飛凌執行長 Jochen Hanebeck 一同進行啟用儀式 |
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開啟HVAC高效、靜音、節能的新時代 (2024.08.01)
文:本次要介紹的產品，是來自德州儀器（TI）一款業界首創的650V三相智慧功率模組（Intelligent Power Module；IPM）－「DRV7308」，適用於250W馬達驅動器應用。 |
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英飛凌新一代CoolGaN電晶體系列採用8 吋晶圓製程 (2024.07.11)
根據Yole Group預測，氮化鎵（GaN）市場在未來五年內的年複合成長率將以46%成長。英飛凌科技推出兩款新一代高電壓（HV）與中電壓（MV）CoolGaN產品，讓客戶可以在更廣泛的應用領域中，採用 40 V 至 700 V 電壓等級的GaN裝置，推動數位化與低碳化進程 |
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台達與德儀攜手成立實驗室 佈局先進電動車電源系統 (2024.06.21)
台達今（21）日宣布與德州儀器成立創新聯合實驗室，不僅深化雙方長期合作關係，亦借重TI在數位控制及氮化鎵（GaN）等半導體相關領域多年的豐富經驗及創新技術，強化新一代電動車電源系統的功率密度和效能等優勢，厚植台達在電動車領域的核心競爭力 |
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CML Ka波段GaN功率放大器用於商用衛星通訊終端設備開發 (2024.06.18)
CML Micro推出Ka波段氮化鎵（GaN）功率放大器CMX90A705，這是一個商用衛星通訊終端設備，並具有高成本效益的構建元件。CMX90A705是一款封裝兩級GaN線性功率放大器，可提供+37.4 dBm（5.5 W）飽和功率，覆蓋27.5至31GHz頻率範圍，小訊號增益為16.5 dB |
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R&S推出RT-ZISO隔離探針測量系統 用於快速切換信號精確測量 (2024.06.14)
R&S新推出了R&S RT-ZISO隔離式探針系統，豐富了尖端示波器產品線。這一新型R&S RT-ZISO系統專為在高共模電壓和電流環境下實現快速切換信號的極高精度測量而設計。與此同時，還發佈了搭配MMCX連接器的R&S RT-ZPMMCX被動探頭，補充了隔離探針系統，在特定測量任務中發揮重要作用 |
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三菱電機為Ka頻段衛星通訊地球站提供GaN MMIC功率放大器 (2024.06.14)
三菱電機（Mitsubishi Electric）今（14）日宣布，將開始出貨用於Ka 波段衛星通訊的8W 和14W 氮化鎵（GaN）單片微波積體電路（MMIC）功率放大器樣品—7 月 1 日起啟用通訊（SATCOM）地球站 |
