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英飛凌首創12吋氮化鎵功率半導體製程技術 推動市場快速增長
 

【CTIMES/SmartAuto 陳玨 報導】   2024年09月11日 星期三
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英飛凌科技（Infineon）宣佈成功開發出全球首創12吋氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握此一技術的企業，這項突破將大幅推動GaN功率半導體市場的發展。相較於8吋晶圓，12吋晶圓因晶圓直徑的擴大，每片晶圓上的晶片數量增加2.3倍，能夠顯著提高效率。
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關鍵字： GaN功率晶圓  Infineon(英飛凌) 
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