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乾式光阻技術可有效解決EUV微影製程中的解析度與良率挑戰 (2025.01.17)
隨著半導體技術邁向 2nm 及以下的節點，製程技術的每一步都成為推動摩爾定律延續的重要基石。在這其中，乾式光阻（dry resist）技術的出現，為解決極紫外光（EUV）微影製程中的解析度與良率挑戰提供了突破性解決方案 |
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CTIMES編輯群解析2025趨勢 (2025.01.10)
每年的一月，CTIMES編輯群們針對自身所關注的領域，提出各自對於科技產業的觀察心得與看法。今年AI應用在各產業所發揮的影響力更甚於以往，為產業增添許多的新變數，並持續為產業造就出更多的樣貌 |
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半鑲嵌金屬化：後段製程的轉折點？ (2025.01.03)
五年多前，比利時微電子研究中心（imec）提出了半鑲嵌（semi-damascene）這個全新的模組方法，以應對先進技術節點銅雙鑲嵌製程所面臨的RC延遲增加問題。 |
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DRAM製程節點持續微縮並增加層數 HBM容量與性能將進一步提升 (2025.01.02)
生成式AI快速發展，記憶體技術成為推動這一技術突破的關鍵。生成式 AI 的模型訓練與推理需要高速、高頻寬及低延遲的記憶體解決方案，以即時處理海量數據。因此，記憶體性能的提升已成為支撐這些應用的核心要素 |
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Intel Foundry使用減材釕 提升電晶體容量達25% (2024.12.24)
英特爾晶圓代工（Intel Foundry）在2024年IEEE國際電子元件會議（IEDM）上公佈了新的突破。包括展示了有助於改善晶片內互連的新材料，透過使用減材釕（subtractive Ruthenium）提升電晶體容量達25% |
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雙列CFET結構全新標準單元結構 推動7埃米製程 (2024.12.09)
在本週舉行的 2024年IEEE國際電子會議（IEDM） 上，比利時微電子研究中心（imec）展示了一項突破性的技術創新：基於互補式場效電晶體（CFET）的雙列標準單元架構。這種設計採用了兩列CFET元件，並共用一層訊號佈線牆，成功實現製程簡化與顯著的面積縮減，為邏輯元件和靜態隨機存取記憶體（SRAM）開闢了微縮新途徑 |
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半導體業界持續革命性創新 有助於實現兆級電晶體時代微縮需求 (2024.12.09)
隨著人工智慧（AI）應用迅速崛起，從生成式AI到自動駕駛和邊緣運算，對半導體晶片的需求也隨之激增。這些應用要求更高效能、更低功耗以及更高的設計靈活性。尤其在2030年實現單晶片容納1兆個電晶體的目標下，半導體產業面臨著重大挑戰：電晶體和晶片內互連的持續微縮、材料創新以突破傳統設計的限制，以及先進封裝技術的提升 |
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2025國際固態電路研討會展科研實力 台灣20篇論文入選再創新高 (2024.11.26)
一年一度的國際固態電路研討會（ISSCC）將於2025年2月在美國舊金山舉行，被譽為晶片設計領域的奧林匹克大會，每年都展現出產學界創新的科研實力，台灣此次入選2025 ISSCC共計20篇論文 |
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AI伺服器驅動PCB材料與技術革新 (2024.10.28)
目前台灣PCB產業除了積極轉型智慧製造節能以減碳之外，還須善用2024年上半年仍受惠於AI需求帶動出口好轉的契機，驅動AI伺服器供應鏈加工技術與材料革新開源，成為確保PCB產值能穩定成長的關鍵 |
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PCB智慧製造布局全球 (2024.10.28)
對於台灣PCB產業而言，節能減碳和China+1等永續策略布局，更是揮之不去的挑戰，也影響未來產值能否回穩並成長的關鍵！ |
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工研院IEK眺望2025：半導體受AI終端驅動產值達6兆元 (2024.10.23)
基於2024年全球半導體市場的蓬勃發展，產業內的技術創新與市場競爭日益激烈。工研院橫跨兩週舉行的「眺望2025產業發展趨勢研討會」，於今（22）日上午率先登場的是「2025半導體產業新紀元：半導體市場趨勢、技術革新與應用商機場次，為台灣半導體廠商提出鏈結國際市場及全球新格局先機的策略建言 |
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進入High-NA EUV微影時代 (2024.09.19)
比利時微電子研究中心（imec）運算技術及系統／運算系統微縮研究計畫的資深副總裁（SVP）Steven Scheer探討imec與艾司摩爾（ASML）合建的High-NA EUV微影實驗室對半導體業的重要性 |
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ASML助晶圓代工簡化工序 2025年每晶圓用電降30~35% (2024.09.06)
因AI人工智慧驅動半導體需求，全球晶片微影技術領導廠商艾司摩爾（ASML）今（6）日於SEMICON Taiwan 分享新一代高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術，並表示將協助晶片製造商簡化製造工序、提高產能，並降低每片晶圓生產的能耗 |
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imec執行長：全球合作是半導體成功的關鍵 (2024.09.03)
imec今日於SEMICON Taiwan 2024前夕舉辦ITF Taiwan 2024技術論壇，以「40年半導體創新經驗與AI的大躍進」為主題，歡慶imec成立40週年，並展示其在推動半導體產業發展的關鍵成就與行動 |
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imec採用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構 (2024.08.11)
比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發表了曝光後的圖形化元件結構 |
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科林研發推出Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術 加速3D NAND在AI時代的微縮 (2024.08.06)
Lam Research 科林研發推出 Lam Cryo 3.0，這是該公司經過生產驗證的第三代低溫介電層蝕刻技術，擴大了在 3D NAND 快閃記憶體蝕刻領域的領先地位。隨著生成式人工智慧（AI）的普及不斷推動更大容量和更高效能記憶體的需求，Lam Cryo 3.0 為未來先進 3D NAND 的製造提供了至關重要的蝕刻能力 |
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Lam Research以Lam Cryo 3.0 低溫蝕刻技術加速實現3D NAND目標 (2024.08.06)
隨著生成式人工智慧（AI）普及推升更大容量和更高效能記憶體的需求，Lam Research科林研發推出第三代低溫介電層蝕刻技術Lam Cryo 3.0，已經過生產驗證，擴大在3D NAND快閃記憶體蝕刻領域的地位 |
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3D IC與先進封裝晶片的多物理模擬設計工具 (2024.07.25)
在3D IC和先進封裝領域，多物理模擬的工具的導入與使用已成產業界的標配，尤其是半導體領頭羊台積電近年來也積極採用之後，更讓相關的工具成為顯學。 |
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多物理模擬應用的興起及其發展 (2024.07.25)
在現實世界中，許多工程與科學問題都涉及多種物理現象的耦合作用。例如，手機在運作時，除了電路中的電磁現象，還會有元件發熱、外殼受力等問題。透過多物理模擬才能更全面地模擬這些複雜的交互作用 |
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應材發表新晶片佈線技術 實現更節能AI運算 (2024.07.09)
基於現今人工智慧（AI）時代需要更節能的運算，尤其是在晶片佈線和堆疊方式對於效能和能耗至關重要。應用材料公司今（9）日於美國SEMICON WEST 2024展會，發表兩項新材料工程創新技術，旨在將銅互聯電網佈線微縮到2奈米及以下的邏輯節點，以協助晶片製造商擴展到埃米時代，來提高電腦系統的每瓦效能 |
