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3D DRAM新突破！國研院聯手旺宏提升AI晶片效能 (2025.02.26)
國研院半導體中心與旺宏電子合作，成功開發「新型高密度、高頻寬3D動態隨機存取記憶體（3D DRAM）」，此技術突破傳統2D記憶體限制，採用3D堆疊技術，大幅提升記憶體密度與效能，且具備低功耗、高耐用度優勢，有助於提升AI晶片效能 |
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應用材料新一代電子束系統技術加速晶片缺陷檢測 (2025.02.25)
電子束成像一直是重要的檢測工具，可看到光學技術無法看到的微小缺陷。應用材料公司推出新的缺陷複檢系統，幫助半導體製造商持續突破晶片微縮的極限。應材的SEMVision H20系統將電子束（eBeam）技術結合先進的AI影像辨識，能夠提供更精準、快速分析先進晶片的奈米級缺陷 |
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科林研發新型導體蝕刻機台具備新穎電漿處理技術 (2025.02.25)
Lam Research科林研發推出先進的導體蝕刻機台 Akara ─ 突破創新電漿蝕刻領域的效能。Akara 具備新穎的電漿處理技術，可實現 3D 晶片製造所需的卓越蝕刻精度和效能，助力晶片製造商克服面臨的關鍵微縮挑戰 |
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世邁科技：CXL介面加速推動伺服器AI運算效能革新 (2025.02.21)
CXL介面憑藉其高效能、低延遲和靈活的資源管理能力，正在成為數據中心、伺服器和AI運算領域的關鍵技術。隨著CXL 3.0的推出，其應用場景將進一步擴展，並在未來的高性能計算和AI領域發揮更大的作用 |
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一粒沙，一個充滿希望的世界 (2025.02.21)
想像一個沒有手機、網路或行動通訊的世界。一片苦於飢荒的大陸。一種神秘又致命的病毒，不受控制地傳播。 |
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生成式AI為中國記憶體產業崛起帶來契機 可望在中低階市場站穩根基 (2025.01.17)
隨著生成式AI技術的快速發展，全球記憶體市場需求急劇上升，這波趨勢不僅刺激了全球供應鏈的加速轉型，也為中國記憶體產業帶來嶄新的發展契機。長鑫存儲（CXMT）等中國企業，正憑藉技術突破與市場拓展，努力縮短與全球領先企業的差距，為整個產業的競爭格局注入新的變數 |
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SEMI：2025年將啟動18座新晶圓廠建設 (2025.01.08)
根據國際半導體產業協會（SEMI）最新發布的「全球晶圓廠預測報告」，預計 2025 年全球半導體產業將啟動 18 座新晶圓廠建設項目，其中包括3座200mm晶圓廠和15座300mm晶圓廠，大部分預計將於 2026年至2027年投產 |
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CES 2025：群聯於推出PCIe Gen5全方位SSD儲存方案 (2025.01.08)
群聯電子（Phison）於2025年國際消費電子展(CES) 中展示最新儲存創新成果。本次展出焦點為全新PS5028-E28 PCIe Gen5 SSD控制晶片，採用台積電先進的6nm製程，實現14.5GB/s讀寫順序速度；同時，群聯高效能的PS5031-E31T SSD控制晶片也已與美光 (Micron)最新的G9 NAND以及KIOXIA BiCS8 NAND完成驗證，並且已開始量產 |
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DRAM製程節點持續微縮並增加層數 HBM容量與性能將進一步提升 (2025.01.02)
生成式AI快速發展，記憶體技術成為推動這一技術突破的關鍵。生成式 AI 的模型訓練與推理需要高速、高頻寬及低延遲的記憶體解決方案，以即時處理海量數據。因此，記憶體性能的提升已成為支撐這些應用的核心要素 |
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工研院歡慶電光50周年 百位半導體及光電業者齊聚 (2024.12.27)
適逢2024年工研院推動半導體技術邁入半世紀！由電光所日前舉辦的「電光50紀念餐會」，匯聚國內外多家知名企業和超過百位產業界重量級人士共襄盛舉。包括史欽泰、徐爵民、陳良基等10位歷任所長也齊聚一堂，共同回顧見證台灣半導體產業從無到有的奮鬥故事 |
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盧超群：以科技提高生產力 明年半導體景氣謹慎樂觀並逐步成長 (2024.12.19)
CES 是全球最具影響力的科技盛會，2025年的CES展會，鈺創科技集團以「創新落實、AI 落地，連結 MemorAiLink 開創未來」為主軸參展，將展示「普識智慧 (Pervasive Intelligence) 與異質整合 (Heterogeneous Integration)」的 IC 產品理念，展現其在創新產品開發上的不懈努力 |
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GenAI時代需求高速資料處理效能 3D NAND技術將無可取代 (2024.12.16)
隨著生成式人工智慧（Generative AI, GenAI）與邊緣運算的快速發展，全球對高效能、高容量儲存技術的需求急速攀升。雖然GPU與DRAM常被視為推動AI發展的核心，3D NAND技術憑藉其優異的儲存密度、可靠性與能源效率，成為支撐AI應用的關鍵基石，默默扮演著「隱形推手」的角色 |
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鎧俠發表全新記憶體技術OCTRAM 實現超低功率耗 (2024.12.10)
記憶體商鎧俠株式會社（Kioxia Corporation），今日宣布開發出全新記憶體技術OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM)，這是一種新型 4F2 DRAM，採用具備高導通電流和超低截止電流的氧化物半導體電晶體 |
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研究：2024年前三季全球晶圓製造設備市場成長3% 記憶體成核心驅動力 (2024.11.26)
根據Counterpoint Research最新數據顯示，2024年前三季全球前五大晶圓製造設備（WFE）廠商的總營收年增3%，其中記憶體市場需求的強勁拉動成為關鍵推手，特別是高頻寬記憶體（HBM）和DRAM的需求大幅提升 |
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Crucial擴展DDR5 Pro電競記憶體產品組合 為遊戲玩家提供更快速度 (2024.10.30)
美光科技推出 Crucial DDR5 Pro 超頻電競記憶體，以全新 6,400 MT/s 的速度，為玩家提供更流暢、更快速的遊戲體驗。此次產品更新是繼 2月首次推出的6,000 MT/s 電競記憶體解決方案後的進一步升級 |
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默克於韓國安城揭幕旋塗式介電材料應用中心 深化下一代晶片技術支持 (2024.10.24)
默克，正式宣布在韓國安城揭幕最先進的旋塗式介電材料（Spin-on-Dielectric, SOD）應用實驗室。為因應半導體產業中人工智慧蓬勃發展的趨勢，該應用中心將加速開發用於先進記憶體和邏輯晶片的SOD材料 |
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美光超高速時脈驅動器DDR5記憶體產品組合 可助新一波AI PC發展浪潮 (2024.10.16)
美光科技推出全新類別的時脈驅動器記憶體─Crucial DDR5 時脈無緩衝雙列直插式記憶體模組（CUDIMM）和時脈小型雙直列記憶體模組（CSODIMM），現已大量出貨。這些符合 JEDEC 標準的解決方案運行速度高達 6,400 MT/s，是 DDR4 速度的兩倍之多，比傳統的非時脈驅動器 DDR5 快 15% |
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軟體定義汽車未來趨勢：革新產品開發生命週期 (2024.10.07)
軟體定義汽車的設計初衷是在汽車整個生命週期內通過無線更新不斷增強。基於雲端的虛擬化新技術允許開發始於晶片量產之前，並且延續到汽車上路之後。 |
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貿澤即日起供貨適合高效能運算應用的AMD Alveo V80加速器卡 (2024.09.25)
全球最新電子元件和工業自動化產品的授權代理商貿澤電子（Mouser Electronics）即日起供貨AMD的Alveo V80運算加速器卡。Alveo V80運算加速器卡搭載高效能的AMD Versal HBM自適應系統單晶片（SoC） |
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進入High-NA EUV微影時代 (2024.09.19)
比利時微電子研究中心（imec）運算技術及系統／運算系統微縮研究計畫的資深副總裁（SVP）Steven Scheer探討imec與艾司摩爾（ASML）合建的High-NA EUV微影實驗室對半導體業的重要性 |
