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汽车电子聚焦亚洲 (2011.04.06)
对于才刚走出全球召回事件阴影的全球第一大车厂TOYOTA来说，震惊全球的东日本331地震肯定是再一次的重度伤害，因为受到地震、海啸与核灾三重打击的重灾区东北，是TOYOTA集团的全球第三大生产聚落 |
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力旺Neobit技术率先导入于车规 IC制程平台 (2010.07.28)
嵌入式非挥发性内存厂商力旺电子宣布，其Neobit技术已率先导入于0.25微米车规IC制程平台，并已于2010年Q2完成可靠度验证，成功自工规领域迈进车规市场，未来更将强化与晶圆代工伙伴间之策略联盟，持续开发先进高阶制程之OTP技术，期能针对规格要求严格之汽车电子产业客户，提供更稳固可靠的嵌入式非挥发性内存技术及制程平台导入 |
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满足客户多重需求 力旺提供MTP之技术平台 (2010.05.06)
力旺电子（ememory）Neobit OTP 技术在各晶圆代工厂及各制程平台快速扩散，在普及度高居世界第一的同时，因应市场产品应用的需求，同步致力于MTP (Multiple-Times-Programmable embedded non-volatile memory 多次可程序嵌入式非挥发性内存)之技术开发 |
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台积电0.25微米车用嵌入式闪存广受好评 (2010.04.27)
台积电日前宣布该公司符合汽车电子AEC-Q100第一级（AEC-Q100 grade1）高规格要求之0.25微米嵌入式闪存制程，在2009年，部分客户产品的实际行车故障率（field failure rate）已达到低于千万分之一（
考虑每个产品在测试筛选过程中 |
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台积电完成0.18微米嵌入式闪存制程认证 (2009.04.01)
台积电宣布完成0.18微米嵌入式闪存（embedded flash）的制程认证。据了解，新制程可提供1.8～5伏特的标准化制程、以及超低漏电制程（ultra-low leakage）等优势，并提供特定汽车产业认证过的嵌入式闪存IP |
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安森美推出PureEdge高性能时钟产生器件 (2007.12.14)
安森美半导体(ON Semiconductor)扩展其PureEdge高性能时钟产生产品系列，推出NB3N3002和NB3N5573这两款在同类产品中为最佳的器件。
NB3N3002和NB3N5573是3.3伏(V)时钟产生器，生成频率可在25、100、125和200兆赫(MHz)之间选择的主时钟信令等级(HCSL)和亚皮秒(ps)抖动的优质时钟 |
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NEC0.25微米制程门阵列CMOS-10HD开始供货 (2007.09.06)
NEC电子发表2款可使用闸数为6,793闸及2款闸数21,118闸的产品，其可采用0.25微米制程的门阵列CMOS-10HD系列产品。可实现接口电路及输入输出控制电路等IC化。
NEC电子指出，门阵列是指由半导体厂商准备出已在硅片形成被称为基本单元逻辑闸的母板，按照客户所需的电路进行布线，在母板上形成电路的半客制化芯片 |
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砷化镓的磊晶技术与应用市场 (2007.04.04)
砷化镓早年主要是应用于国防太空工业，以及高速电脑元件、高频测量仪器等特定应用领域。随着冷战时代的结束、军事管制的解除及个人通讯的快速发展，以微波频率为主的无线通讯已可广泛用于个人通讯、卫星通讯及光纤通讯等民生用途上 |
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经济部审查通过台积电0.18微米赴中国投资 (2007.03.21)
经济部投资审议委员会于3月20日审查通过台积电申请将其上海松江厂的晶圆制程技术由0.25微米修正为至0.18微米以上，这是经济部去年底宣布放宽制程技术后第一件审查通过的晶圆厂0.18微米制程登陆投资案 |
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新雷射 小廉巧 (2007.03.05)
一种可被广泛用在各类装置上的新型雷射光镜，已经发展出来了。由加州柏克莱大学Connie J. Chang-Hasnain教授所主持的研究团队，不久前利用砷化镓铝组成的薄片来做出新雷射光镜，可达到更小、更便宜与更佳的结果 |
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英特尔宣布突破性晶体管技术 (2007.01.28)
英特尔（Intel）宣布一项重大的基础晶体管设计突破，以两种全新材料制作45奈米 (nm) 晶体管绝缘层 (insulating wall) 和开关闸极(switching gate)。下一代Intel Core 2 Duo（Intel 酷睿 2 双核心处理器）、Intel Core 2 Quad（Intel 酷睿2 四核心处理器）和Xeon多核心处理器系列，将使用上亿个这种超小型晶体管（或开关） |
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因应淡季 一线晶圆厂调降0.25微米制程价格 (2007.01.10)
由于晶圆代工产能利用率不断下滑，晶圆价格压力也愈来愈大，近期传出0.25微米成熟制程已下杀至每片600美元，且此报价是一线晶圆厂对于特定客户的优惠。一线晶圆厂率先于成熟制程降价，巩固特定大客户，间接也使二线晶圆厂压力倍增 |
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中芯成都8吋晶圆厂落成 布局渐趋完整 (2006.12.21)
由于半导体产业景气需求不振，两岸晶圆代工产业竞争激烈，现阶段杀价竞争的产线已经从先前的0.13微米，延伸到90奈米，而适逢竞争激烈之际，中国大陆晶圆代工龙头中芯 |
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行动电视下的新兴产物－Silicon Tuner!! (2006.12.11)
因应行动接收的到来，Silicon Tuner也逐渐兴起，根据各大研调机构预测以及笔者市场搜寻，至2009球Silicon Tuner应用的量至少在1.1亿以上，若以Mobile TV Tuner来看2006~2010年CAGR为75.6﹪ |
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模拟芯片填补八吋晶圆代工产能 (2006.08.18)
由于个人计算机、网络通讯等核心逻辑组件的库存调整问题，上游客户第三季对晶圆代工厂的下单量减少，造成台积电、联电等代工大厂八吋厂产能利用率下滑，不过包括稳压、电源管理等模拟IC |
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力旺推出高电压制程OTP提升芯片良率与性能 (2006.07.18)
力旺电子完成0.15微米高电压制程之Neobit硅智财的技术开发；在达成此项里程碑后，力旺电子的嵌入式非挥发性内存Neobit硅智财已广泛地建置于组件制造整合厂(IDM)与晶圆代工厂高压制程平台之上，其涵盖了0.6微米、0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.22微米、0.18微米与0.15微米的制程技术 |
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需求不足 台积电第三季产能利用率下滑 (2006.07.13)
今年第二季PC及面板等应用芯片需求弱，已反映在第三季上游半导体厂接单。设备业者指出，由于包括LCD驱动IC、DVD播放器等光储存组件、GSM手机芯片等第三季订单递延，个人计算机相关芯片组、绘图芯片等又未见到订单回笼，台积电已经将原订八吋厂新机台装机时间延二至三个月，其中0 |
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NVIDIA首度与联电携手走向80奈米制程 (2006.07.06)
继绘图芯片大厂ATi于Q3开始导入80奈米制程后，另一绘图芯片大厂NVIDIA则将于今年Q4开始以80奈米制程投片，奈米制成竞赛显然已经鸣枪起跑。值得关注的是，NVIDIA 80奈米制程除了在台积电投片外，同时也将在联电下单，这是NVIDIA首次与联电携手投入高阶制程 |
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硅晶圆供不应求 力晶则率先调涨价格 (2006.06.27)
硅晶圆（silicon wafer）供不应求导致第三季合约价上调5％，虽然过去晶圆代工厂多自行吸收材料涨幅，但是硅晶圆第三季已是第六个季度调涨价格，所以国内晶圆代工厂已经开始考虑，将硅晶圆涨价幅度转嫁到上游IC设计业者 |
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中芯联贷9亿美元 扩产加速布局 (2006.06.12)
中国最大晶圆厂的中芯国际公司，在5月底、6月初连续两周内，总共获得高达9亿美元的银行团贷款，中芯国际首席执行官张汝京表示，这批巨额贷款将先用于偿还中芯上海八吋厂的3.93亿美元负债外，剩下的资金将用于扩产营运，加速全国布局工作，特别是武汉、上海两家十二吋厂都在建设中，尤其武汉厂计划年内动工，明年底前投产 |
