台积电宣布完成0.18微米嵌入式闪存（embedded flash）的制程认证。据了解，新制程可提供1.8～5伏特的标准化制程、以及超低漏电制程（ultra-low leakage）等优势，并提供特定汽车产业认证过的嵌入式闪存IP。

台积电主流技术事业处处长刘信生说，成功完成0.18微米嵌入式闪存制程，正代表了台积电对模拟、功率、汽车电子等芯片市场的重视，并可扩充台积电在相关市场的产品线。根据了解，这种制程只需要用到7层光罩，就可在台积电的Fab3厂中量产投片。

目前台积电已经拥有0.25微米到90奈米的嵌入式闪存制程完整技术。增加0.18微米的制程技术，主要是因为看好未来模拟、功率、汽车电子等芯片代工市场，仍具有非常高的成长空间所致。