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ROHM推出100V耐壓SBD「YQ系列」 採用溝槽MOS結構 (2024.01.31)
半導體製造商ROHM針對車載設備、工業設備、消費性電子設備等電源電路和保護電路，推出業界最高等級trr的100V耐壓蕭特基二極體（SBD）「YQ系列」。
二極體的種類有很多，其中高效率SBD被廣泛用於各種應用 |
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新款200V耐壓蕭特基二極體有效降低功耗並實現小型化設計 (2019.08.27)
近年來，在48V輕度混合動力驅動系統中，將馬達和週邊零件集中在一個模組內的「機電一體化」已成為趨勢，而能夠在高溫環境下工作的高耐壓、高效率超低IR[1]蕭特基二極體[2]（簡稱SBD）之需求也日益增加 |
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美高森美下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V SBD (2018.05.29)
美高森美公司 (Microsemi Corporation) 宣佈在下季初擴大其碳化矽(SiC) MOSFET和SiC二極體產品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 蕭特基勢壘二極體(SBD)和相應的裸晶片 |
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美高森美瞄準工業和汽車市場推出新型SiC MOSFET和SiC SBD (2018.03.01)
美高森美公司(Microsemi Corporation)宣佈提供下一代1200V 碳化矽(SiC) MOSFET系列的首款產品 40 mOhm MSC040SMA120B器件，以及與之配合的1200 V SiC蕭特基阻障二極體(SBD)，進一步擴大旗下日益增長的 SiC 離散器件和模組產品組合 |
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東芝推出第二代650V碳化矽肖特基勢壘二極體 (2017.01.13)
東芝公司(Toshiba)旗下儲存與電子元件解決方案公司推出第二代650V碳化矽(SiC)肖特基勢壘二極體(SBD)，該二極體將該公司現有產品所提供的順向浪湧電流(IFSM)提高了約70%。新系列八款碳化矽肖特基勢壘二極體出貨即日啟動 |
