美高森美公司(Microsemi Corporation)宣佈提供下一代1200V 碳化矽(SiC) MOSFET系列的首款產品 40 mOhm MSC040SMA120B器件，以及與之配合的1200 V SiC蕭特基阻障二極體(SBD)，進一步擴大旗下日益增長的 SiC 離散器件和模組產品組合。

全新SiC MOSFET產品系列具有高雪崩性能，展示了在工業、汽車和商業航空電源應用中的耐用性，並且提供了實現穩健運作的高耐短路能力。此外，該產品系列的其他成員將在未來幾個月內陸續發佈，包括符合商業和AEC-Q101標準的700 V和1200 V SiC MOSFET解決方案，以配合美高森美新發佈的SiC SBD器件所針對的廣泛電源應用。

美高森美副總裁兼功率離散和模組業務部門經理Leon Gross表示：「我們新的SiC MOSFET產品系列為客戶提供了更高效開關和高可靠性的優勢，特別是與矽二極體、矽MOSFET和絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 解決方案相比，我們的優勢更加明顯。專注於開發用於惡劣環境的高性價比電力電子解決方案的客戶，可以從這些新一代產品中選擇理想的解決方案，它們都能夠根據具體的SiC MOSFET需求進行擴展。」

美高森美下一代SiC MOSFET和新型SiC SBD在額定電流下具有高重複性的非鉗位元電感性開關(UIS)能力，無任何退化或故障。新型碳化矽(SiC) MOSFET在大約每平方厘米10到15焦耳(J/cm²)的情況下可保持較高的UIS能力，並在3到5微秒內保持穩健的短路保護功能。美高森美的SiC SBD在低反向電流下具有平衡浪湧電流、正向電壓、熱阻和熱容額定值，可降低開關損耗。而且，美高森美SiC MOSFET和SiC SBD晶片可以在模組中配對使用。

美高森美的新型SiC MOSFET和SBD非常適合工業和汽車市場中的各種應用，其SiC MOSFET也可用於醫療、航太、國防和資料中心市場中的開關模式電源和馬達控制應用。實例包括混合動力汽車(HEV)/純電動充電、插電/感應式車載充電 (OBC)、DC-DC轉換器、EV動力系統/牽引控制、開關電源、光伏(PV)逆變器、馬達控制和航空推進。

市場研究和諮詢公司IndustryARC指出，提高功率轉換效率和最大限度地降低功率損耗的要求驅動了電力電子應用的增長，使得寬能隙半導體技術(即建基於SiC的器件)有可能從開發階段轉向商業階段。電力轉換的進步為基於碳化矽的電動汽車充電設備打穩了基礎，這有助於減少電池充電週期並降低電池組的高成本。將SiC器件整合在車載充電機和DC-DC功率轉換系統中，可實現更高的開關頻率和更低的損耗。IndustryARC預計電動汽車充電領域中的SiC市場將在2024年之前以大約33%的速率增長。

面對這些發展趨勢，美高森美已經做好了充分的準備，其SiC MOSFET的額定失效時間(FIT)比同類矽IGBT在額定電壓方面的中子敏感度要低10倍；其SiC SBD配合了SiC MOSFET的穩健性，UIS能力比競爭對手的器件高出20%。美高森美的SiC產品還具有許多其他優勢，包括同樣物理尺寸的功率輸出增加25到50%以實現更高的系統效率、相比IGBT更高的開關頻率、更小的系統尺寸和重量、高溫度範圍內的工作穩定性(+175℃)以及顯著的散熱成本節省。

美高森美正在提供下一代1200V SiC MOSFET系列40 mOhm MSC040SMA120B器件的樣品，與之配合的SiC SBD產品已全面投入生產。這些器件和相應的SiC閘極驅動器解決方案將於2018年3月4至 8日在美國德州聖安東尼奧市舉辦的APEC 2018展會的Richardson RFPD 1147號展位進行展示。